Поліпшення зворотних характеристик кремнієвого варикапа за допомогою низькотемпературного гетерування

Varicaps are widely used in radio electronics as a variable capacitance, the value of which is controlled by voltage. However, it should be noted that the cost of varicaps remains relatively high due to a low yield of suitable devices. This is caused by high levels of reverse currents and low breakd...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2023
Автори:	Litvinenko, Victor, Shutov, Stanislav
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2023
Теми:	нікель омічний контакт гетерування варикап структурні дефекти зворотний струм
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.1-2.43
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-38
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-382025-08-11T09:08:46Z Improvement of inverse characteristics of silicon varicap by using low-temperature gettering Поліпшення зворотних характеристик кремнієвого варикапа за допомогою низькотемпературного гетерування Litvinenko, Victor Shutov, Stanislav nickel atoms ohmic contact gettering varicap structural defects reverse current нікель омічний контакт гетерування варикап структурні дефекти зворотний струм Varicaps are widely used in radio electronics as a variable capacitance, the value of which is controlled by voltage. However, it should be noted that the cost of varicaps remains relatively high due to a low yield of suitable devices. This is caused by high levels of reverse currents and low breakdown voltages of varicaps, which is determined by the significant dependence of the reverse characteristics of varicaps on the density of structural defects and heavy metal impurities in their active regions.This study aimed to discover the causes and mechanisms of degradation of the reverse characteristics of varicaps with an ohmic contact based on nickel during annealing of a nickel film during the formation of an ohmic contact. Another goal was to determine the possibility of using gettering operations to prevent degradation of the reverse characteristics of varicaps and increase the yield of suitable devices.The conducted experimental studies have shown that the reason for the degradation of the reverse characteristics of varicaps during the formation of a nickel-based ohmic contact is that, during the annealing of the nickel film, the excess nickel atoms not involved in the formation of NiSi silicide penetrate into the region of the space charge of the p-n junction.The authors consider in detail the proposed technology for manufacturing nickel-based varicap structures with an ohmic contact using gettering of excess nickel atoms by carrying out additional low-temperature annealing of varicap structures using a ready-made "intrinsic geter" — the Si-NiSi interface.It is shown that the developed technology for fabricating varicap structures using gettering makes it possible to clean the active regions of varicaps from nickel atoms, which ensures a significant decrease in the level of varicap reverse currents and an increase in the yield of suitable devices. Розглянуто причини та механізми деградації зворотних характеристик варикапа в процесі формування омічного контакту на основі нікелю. Досліджено вплив низькотемпературного гетерувального відпалу варикапних структур після формування омічного контакту на основі нікелю на рівень зворотного струму варикапів, а також проаналізовано можливі механізми цього впливу. Показано ефективність запропонованої технології з використанням гетерування щодо зниження рівня зворотних струмів і підвищення виходу придатних приладів. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2023-05-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.1-2.43 10.15222/TKEA2023.1-2.43 Technology and design in electronic equipment; No. 1–2 (2023): Technology and design in electronic equipment; 43-49 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1–2 (2023): Технологія та конструювання в електронній апаратурі; 43-49 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2023.1-2 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.1-2.43/32 Copyright (c) 2023 Victor Litvinenko, Stanislav Shutov http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-08-11T09:08:46Z
collection	OJS
language	Ukrainian
topic	нікель омічний контакт гетерування варикап структурні дефекти зворотний струм
spellingShingle	нікель омічний контакт гетерування варикап структурні дефекти зворотний струм Litvinenko, Victor Shutov, Stanislav Поліпшення зворотних характеристик кремнієвого варикапа за допомогою низькотемпературного гетерування
topic_facet	nickel atoms ohmic contact gettering varicap structural defects reverse current нікель омічний контакт гетерування варикап структурні дефекти зворотний струм
format	Article
author	Litvinenko, Victor Shutov, Stanislav
author_facet	Litvinenko, Victor Shutov, Stanislav
author_sort	Litvinenko, Victor
title	Поліпшення зворотних характеристик кремнієвого варикапа за допомогою низькотемпературного гетерування
title_short	Поліпшення зворотних характеристик кремнієвого варикапа за допомогою низькотемпературного гетерування
title_full	Поліпшення зворотних характеристик кремнієвого варикапа за допомогою низькотемпературного гетерування
title_fullStr	Поліпшення зворотних характеристик кремнієвого варикапа за допомогою низькотемпературного гетерування
title_full_unstemmed	Поліпшення зворотних характеристик кремнієвого варикапа за допомогою низькотемпературного гетерування
title_sort	поліпшення зворотних характеристик кремнієвого варикапа за допомогою низькотемпературного гетерування
title_alt	Improvement of inverse characteristics of silicon varicap by using low-temperature gettering
description	Varicaps are widely used in radio electronics as a variable capacitance, the value of which is controlled by voltage. However, it should be noted that the cost of varicaps remains relatively high due to a low yield of suitable devices. This is caused by high levels of reverse currents and low breakdown voltages of varicaps, which is determined by the significant dependence of the reverse characteristics of varicaps on the density of structural defects and heavy metal impurities in their active regions.This study aimed to discover the causes and mechanisms of degradation of the reverse characteristics of varicaps with an ohmic contact based on nickel during annealing of a nickel film during the formation of an ohmic contact. Another goal was to determine the possibility of using gettering operations to prevent degradation of the reverse characteristics of varicaps and increase the yield of suitable devices.The conducted experimental studies have shown that the reason for the degradation of the reverse characteristics of varicaps during the formation of a nickel-based ohmic contact is that, during the annealing of the nickel film, the excess nickel atoms not involved in the formation of NiSi silicide penetrate into the region of the space charge of the p-n junction.The authors consider in detail the proposed technology for manufacturing nickel-based varicap structures with an ohmic contact using gettering of excess nickel atoms by carrying out additional low-temperature annealing of varicap structures using a ready-made "intrinsic geter" — the Si-NiSi interface.It is shown that the developed technology for fabricating varicap structures using gettering makes it possible to clean the active regions of varicaps from nickel atoms, which ensures a significant decrease in the level of varicap reverse currents and an increase in the yield of suitable devices.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2023
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.1-2.43
work_keys_str_mv	AT litvinenkovictor improvementofinversecharacteristicsofsiliconvaricapbyusinglowtemperaturegettering AT shutovstanislav improvementofinversecharacteristicsofsiliconvaricapbyusinglowtemperaturegettering AT litvinenkovictor polípšennâzvorotnihharakteristikkremníêvogovarikapazadopomogoûnizʹkotemperaturnogogeteruvannâ AT shutovstanislav polípšennâzvorotnihharakteristikkremníêvogovarikapazadopomogoûnizʹkotemperaturnogogeteruvannâ
first_indexed	2025-09-24T17:30:17Z
last_indexed	2025-09-24T17:30:17Z
_version_	1850410201109233665

Поліпшення зворотних характеристик кремнієвого варикапа за допомогою низькотемпературного гетерування

Репозитарії

Схожі ресурси