Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
On the basis of the authors' model of mass transfer, a new method for thick layers epitaxy has been developed. The method provides for the growth of different parts of the layers in two-layer systems obtained from the solution-melt and allows to control the thickness of substrate submelting and...
Saved in:
| Date: | 2013 |
|---|---|
| Main Authors: | Dranchuk, S. N., Zavadskiy, V. A., Mokritskiy, V. A. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.2-3.58 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
by: Dranchuk, S. M., et al.
Published: (2012)
by: Dranchuk, S. M., et al.
Published: (2012)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
by: Круковский, С.И.
Published: (2002)
by: Круковский, С.И.
Published: (2002)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
by: Дранчук, С.Н., et al.
Published: (2012)
by: Дранчук, С.Н., et al.
Published: (2012)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
by: Vakiv, M. M., et al.
Published: (2010)
by: Vakiv, M. M., et al.
Published: (2010)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2007)
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2007)
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
by: Krukovsky, S. I., et al.
Published: (2007)
by: Krukovsky, S. I., et al.
Published: (2007)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)
Моделирование процессов тепломассопереноса при жидкофазной эпитаксии соединений А³В⁵ методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2007)
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2007)
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
by: Voronin, V. A., et al.
Published: (2010)
by: Voronin, V. A., et al.
Published: (2010)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2007)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2007)
Выбор предпочтительных слоев для проводников при трассировке многослойных печатных плат
by: Petrosjan, G. S., et al.
Published: (2010)
by: Petrosjan, G. S., et al.
Published: (2010)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
Импедансный анализатор для идентификации марок водно-спиртовых напитков
by: Kukla, A. L., et al.
Published: (2012)
by: Kukla, A. L., et al.
Published: (2012)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
by: Rakhmatov, A. Z., et al.
Published: (2010)
by: Rakhmatov, A. Z., et al.
Published: (2010)
Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
by: Губа, С.К.
Published: (1998)
by: Губа, С.К.
Published: (1998)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
by: Novosyadlyi, S. P., et al.
Published: (2009)
by: Novosyadlyi, S. P., et al.
Published: (2009)
Гибридный автодинный сенсор магнитного резонанса
by: Brajilovskyj, V. V., et al.
Published: (2009)
by: Brajilovskyj, V. V., et al.
Published: (2009)
DIVERSITY AND VARIABILITY OF THE CОРЕРОD BEHAVIOUR IN ENVIRONMENTAL GRADIENTS: AN OVERVIEW
by: Seregin, S. A., et al.
Published: (2023)
by: Seregin, S. A., et al.
Published: (2023)
Энергоемкость процесса жидкофазной восстановительной плавки
by: Костяков, В.Н., et al.
Published: (2006)
by: Костяков, В.Н., et al.
Published: (2006)
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
by: Tkachuk, A. I., et al.
Published: (2007)
by: Tkachuk, A. I., et al.
Published: (2007)
Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
by: Katrunov, K. A., et al.
Published: (2011)
by: Katrunov, K. A., et al.
Published: (2011)
Использование метода импедансной спектроскопии для анализа бензанольного топлива
by: Kukla, A. L., et al.
Published: (2015)
by: Kukla, A. L., et al.
Published: (2015)
Поведение фосфора при жидкофазной восстановительной плавке
by: Костяков, В.Н., et al.
Published: (2006)
by: Костяков, В.Н., et al.
Published: (2006)
Использование элементов искусственного интеллекта при исследовании физико-химических процессов производства конвертерной стали
by: Бондарь, В. И., et al.
Published: (2023)
by: Бондарь, В. И., et al.
Published: (2023)
Поведение ванадия при жидкофазной плавке ванадийсодержащего концентрата
by: Костяков, В.Н., et al.
Published: (2006)
by: Костяков, В.Н., et al.
Published: (2006)
Повышение эффективности модифицирования силуминов путем жидкофазной электрогидроимпульсной обработки
by: Цуркин, В.Н., et al.
Published: (2011)
by: Цуркин, В.Н., et al.
Published: (2011)
Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
by: Воронин, В.А., et al.
Published: (2006)
by: Воронин, В.А., et al.
Published: (2006)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
by: Shangereeva, B. A.
Published: (2008)
by: Shangereeva, B. A.
Published: (2008)
Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi2Te3
by: Alieva, A. P., et al.
Published: (2012)
by: Alieva, A. P., et al.
Published: (2012)
ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК
by: Бондина, Н.Н., et al.
Published: (2012)
by: Бондина, Н.Н., et al.
Published: (2012)
Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A2VB3VI
by: Aliyeva, A. P., et al.
Published: (2011)
by: Aliyeva, A. P., et al.
Published: (2011)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2008)
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2008)
Прогнозирование содержания углерода в полупродукте на выпуске из большегрузных 350-т конвертеров с применением непараметрической статистики
by: Бондарь, В. И., et al.
Published: (2023)
by: Бондарь, В. И., et al.
Published: (2023)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2008)
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2008)
Размерно-геометрические параметры моделей микроструктуры толстых резистивных пленок
by: Стерхова, А.В.
Published: (2002)
by: Стерхова, А.В.
Published: (2002)
Similar Items
-
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
by: Dranchuk, S. M., et al.
Published: (2012) -
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009) -
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
by: Круковский, С.И.
Published: (2002) -
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012) -
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)