Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов

Primary semiconductor electrodes based on the dual channel pH-sensitive field effect transistors were investigated to characterize their performance both to determine pH value of test solution and to measure sensor responses in differential mode. The simplified three-lead sensor design has been impl...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	Kukla, A. L., Lozovoy, S. V., Pavluchenko, A. S., Nagibin, S. N.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
Теми:	ионоселективный полевой транзистор рН-ПТ-электрод рН-чувствительность метрологические параметры
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.2-3.61
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-395
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-3952025-08-13T20:26:27Z Investigation of metrological parameters of sensors based on the pH-sensitive field effect transistors Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов Kukla, A. L. Lozovoy, S. V. Pavluchenko, A. S. Nagibin, S. N. ion-selective field effect transistor pH-FET electrode pH sensitivity metrological parameters ионоселективный полевой транзистор рН-ПТ-электрод рН-чувствительность метрологические параметры Primary semiconductor electrodes based on the dual channel pH-sensitive field effect transistors were investigated to characterize their performance both to determine pH value of test solution and to measure sensor responses in differential mode. The simplified three-lead sensor design has been implemented for these purposes. It is shown that such parameters as accuracy, repeatability and stability of developed sensors satisfy necessary requirements for typical laboratory applications. Исследованы полупроводниковые первичные электроды на основе двойных рН-чувствительных полевых транзисторов при работе как в режиме определения величины pH исследуемых растворов, так и в дифференциальном режиме измерения сенсорных откликов. Для измерения откликов реализована упрощенная трехэлектродная конфигурация датчика. Показано, что по параметрам точности, воспроизводимости и стабильности измерений электроды удовлетворяют требованиям типовых применений. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013-06-14 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.2-3.61 Technology and design in electronic equipment; No. 2–3 (2013): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 61-68 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2–3 (2013): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 61-68 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.2-3.61/355 Copyright (c) 2013 Kukla A. L., Lozovoy S. V., Pavluchenko A. S., Nagibin S. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-08-13T20:26:27Z
collection	OJS
language	Ukrainian
topic	ионоселективный полевой транзистор рН-ПТ-электрод рН-чувствительность метрологические параметры
spellingShingle	ионоселективный полевой транзистор рН-ПТ-электрод рН-чувствительность метрологические параметры Kukla, A. L. Lozovoy, S. V. Pavluchenko, A. S. Nagibin, S. N. Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
topic_facet	ion-selective field effect transistor pH-FET electrode pH sensitivity metrological parameters ионоселективный полевой транзистор рН-ПТ-электрод рН-чувствительность метрологические параметры
format	Article
author	Kukla, A. L. Lozovoy, S. V. Pavluchenko, A. S. Nagibin, S. N.
author_facet	Kukla, A. L. Lozovoy, S. V. Pavluchenko, A. S. Nagibin, S. N.
author_sort	Kukla, A. L.
title	Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
title_short	Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
title_full	Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
title_fullStr	Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
title_full_unstemmed	Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
title_sort	исследование метрологических параметров датчиков на основе pн-чувствительных полевых транзисторов
title_alt	Investigation of metrological parameters of sensors based on the pH-sensitive field effect transistors
description	Primary semiconductor electrodes based on the dual channel pH-sensitive field effect transistors were investigated to characterize their performance both to determine pH value of test solution and to measure sensor responses in differential mode. The simplified three-lead sensor design has been implemented for these purposes. It is shown that such parameters as accuracy, repeatability and stability of developed sensors satisfy necessary requirements for typical laboratory applications.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2013
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.2-3.61
work_keys_str_mv	AT kuklaal investigationofmetrologicalparametersofsensorsbasedonthephsensitivefieldeffecttransistors AT lozovoysv investigationofmetrologicalparametersofsensorsbasedonthephsensitivefieldeffecttransistors AT pavluchenkoas investigationofmetrologicalparametersofsensorsbasedonthephsensitivefieldeffecttransistors AT nagibinsn investigationofmetrologicalparametersofsensorsbasedonthephsensitivefieldeffecttransistors AT kuklaal issledovaniemetrologičeskihparametrovdatčikovnaosnovepnčuvstvitelʹnyhpolevyhtranzistorov AT lozovoysv issledovaniemetrologičeskihparametrovdatčikovnaosnovepnčuvstvitelʹnyhpolevyhtranzistorov AT pavluchenkoas issledovaniemetrologičeskihparametrovdatčikovnaosnovepnčuvstvitelʹnyhpolevyhtranzistorov AT nagibinsn issledovaniemetrologičeskihparametrovdatčikovnaosnovepnčuvstvitelʹnyhpolevyhtranzistorov
first_indexed	2025-09-24T17:30:51Z
last_indexed	2025-09-24T17:30:51Z
_version_	1844167365819891712

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов

Репозитарії

Схожі ресурси