Утворення дефектів на поверхні Si-підкладок в процесі термічного напилення золота
Silicon photodetectors, in particular p–i–n photodiodes, are widely used as sensors of optical radiation. With technological advances, the requirements for the parameters and reliability of these elements of solid-state electronics are increasing sharply, thus improving these characteristics is an i...
Збережено в:
| Дата: | 2023 |
|---|---|
| Автори: | Kukurudziak, Mykola, Kukurudziak, Anastasiya |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2023
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.3-4.47 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
-
Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю
за авторством: Kukurudziak, Mykola, та інші
Опубліковано: (2021) -
Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
за авторством: Kukurudziak , Mykola, та інші
Опубліковано: (2020) -
Дослідження динамічних ВАХ Si-фотодіодів в області малих струмів за допомогою комп’ютеризованого вимірювального комплексу
за авторством: Kshevetskyi, Oleg, та інші
Опубліковано: (2025) -
Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування
за авторством: Vikulin, I. M., та інші
Опубліковано: (2018) -
ВИЗНАЧЕННЯ ВПЛИВУ РОЗПОДІЛУ ЗОВНІШНЬОГО ЕЛЕКТРИЧНОГО ПОЛЯ ОПОРНО-СТРИЖНЕВОГО ІЗОЛЯТОРА НА ЙОГО СУХОРОЗРЯДНУ НАПРУГУ
за авторством: Пальчиков , О.О.
Опубліковано: (2024)