Утворення дефектів на поверхні Si-підкладок в процесі термічного напилення золота
Silicon photodetectors, in particular p–i–n photodiodes, are widely used as sensors of optical radiation. With technological advances, the requirements for the parameters and reliability of these elements of solid-state electronics are increasing sharply, thus improving these characteristics is an i...
Saved in:
| Date: | 2023 |
|---|---|
| Main Authors: | Kukurudziak, Mykola, Kukurudziak, Anastasiya |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2023
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.3-4.47 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
-
Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю
by: Kukurudziak, Mykola, et al.
Published: (2021) -
Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
by: Kukurudziak , Mykola, et al.
Published: (2020) -
Дослідження динамічних ВАХ Si-фотодіодів в області малих струмів за допомогою комп’ютеризованого вимірювального комплексу
by: Kshevetskyi, Oleg, et al.
Published: (2025) -
Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування
by: Vikulin, I. M., et al.
Published: (2018) -
ВИЗНАЧЕННЯ ВПЛИВУ РОЗПОДІЛУ ЗОВНІШНЬОГО ЕЛЕКТРИЧНОГО ПОЛЯ ОПОРНО-СТРИЖНЕВОГО ІЗОЛЯТОРА НА ЙОГО СУХОРОЗРЯДНУ НАПРУГУ
by: Пальчиков , О.О.
Published: (2024)