Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
This paper presents the principles of design of integrated circuits low-noise amplifiers (LNA) based on silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBT) for ultra-wideband (UWB) systems. UWB systems range 0,5–10,6 GHz are used in communications, radars of medical applications and safe...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.13 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543847380680704 |
|---|---|
| author | Popov, V. P. Sidorenko, V. P. |
| author_facet | Popov, V. P. Sidorenko, V. P. |
| author_sort | Popov, V. P. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-08-13T20:25:56Z |
| description | This paper presents the principles of design of integrated circuits low-noise amplifiers (LNA) based on silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBT) for ultra-wideband (UWB) systems. UWB systems range 0,5–10,6 GHz are used in communications, radars of medical applications and safety systems. The proposed UWB LNA implemented by inductorless or minimum number of inductors schemes. In this paper researched and designed two variants of UWB LNA 0,5–11 GHz frequency range. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:52Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-400 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-09-24T17:30:52Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-4002025-08-13T20:25:56Z SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем Popov, V. P. Sidorenko, V. P. ultra-wideband systems (UWB) medical UWB radars low-noise amplifiers silicon-germanium heterojunction bipolar transistor (SiGe HBT) resistive feedback сверхширокополосные (СШП) системы СШП-радары медицинского назначения малошумящие усилители кремний-германиевый гетеропереходный биполярный транзистор (SiGe-HBT) резистивные обратные связи This paper presents the principles of design of integrated circuits low-noise amplifiers (LNA) based on silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBT) for ultra-wideband (UWB) systems. UWB systems range 0,5–10,6 GHz are used in communications, radars of medical applications and safety systems. The proposed UWB LNA implemented by inductorless or minimum number of inductors schemes. In this paper researched and designed two variants of UWB LNA 0,5–11 GHz frequency range. Рассмотрены принципы построения интегральных схем малошумящих усилителей (МШУ) на основе кремний-германиевых гетеропереходных биполярных транзисторов (SiGe HBT) для сверхширокополосных (СШП) систем. СШП-системы диапазона 0,5–10,6 ГГц применяются в области связи, радарах медицинского назначения и системах обеспечения безопасности. Предложенные СШП МШУ выполнены по безындуктивным электрическим схемам или схемам с минимальным числом индуктивностей. Проведено исследование и расчеты двух вариантов СШП МШУ. Диапазон рабочих частот — от 0,5 до 11 ГГц. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013-02-18 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.13 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2013): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 13-18 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2013): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 13-18 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.13/359 Copyright (c) 2013 Popov V. P., Sidorenko V. P. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | сверхширокополосные (СШП) системы СШП-радары медицинского назначения малошумящие усилители кремний-германиевый гетеропереходный биполярный транзистор (SiGe-HBT) резистивные обратные связи Popov, V. P. Sidorenko, V. P. Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем |
| title | Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем |
| title_alt | SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems |
| title_full | Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем |
| title_fullStr | Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем |
| title_full_unstemmed | Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем |
| title_short | Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем |
| title_sort | малошумящие усилители на основе sige-hbt для сверхширокополосных систем |
| topic | сверхширокополосные (СШП) системы СШП-радары медицинского назначения малошумящие усилители кремний-германиевый гетеропереходный биполярный транзистор (SiGe-HBT) резистивные обратные связи |
| topic_facet | ultra-wideband systems (UWB) medical UWB radars low-noise amplifiers silicon-germanium heterojunction bipolar transistor (SiGe HBT) resistive feedback сверхширокополосные (СШП) системы СШП-радары медицинского назначения малошумящие усилители кремний-германиевый гетеропереходный биполярный транзистор (SiGe-HBT) резистивные обратные связи |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.13 |
| work_keys_str_mv | AT popovvp sigehbtlownoiseamplifiersforultrawidebandsystems AT sidorenkovp sigehbtlownoiseamplifiersforultrawidebandsystems AT popovvp malošumâŝieusilitelinaosnovesigehbtdlâsverhširokopolosnyhsistem AT sidorenkovp malošumâŝieusilitelinaosnovesigehbtdlâsverhširokopolosnyhsistem |