Зображення обкладинки

Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем

This paper presents the principles of design of integrated circuits low-noise amplifiers (LNA) based on silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBT) for ultra-wideband (UWB) systems. UWB systems range 0,5–10,6 GHz are used in communications, radars of medical applications and safe...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	Popov, V. P., Sidorenko, V. P.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
Теми:	сверхширокополосные (СШП) системы СШП-радары медицинского назначения малошумящие усилители кремний-германиевый гетеропереходный биполярный транзистор (SiGe-HBT) резистивные обратные связи
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.13
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
за авторством: Попов, В.П., та інші
Опубліковано: (2013)

SiGe HBT low noise amplifiers for ultra-wideband systems
за авторством: V. P. Popov, та інші
Опубліковано: (2013)

Реализация вычислений в алгебрах числовых множеств в математических системах учебного назначения
за авторством: Львов, М.С.
Опубліковано: (2010)

Система, управляющая процессом поиска решения задач в условиях ограничений на ресурсы
за авторством: Дьячук, П.П., та інші
Опубліковано: (2010)

Моделирование взаимодействия участников электронного обучения с использованием агент-ориентированного подхода
за авторством: Артеменко, В.Б.
Опубліковано: (2010)

Использование метода фазовых портретов для диагностики уровня обученности
за авторством: Бортновский, С.В., та інші
Опубліковано: (2010)

ОПТИМИЗАЦИЯ РАЗРЯДНОИМПУЛЬСНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ НА БАЗЕ ПРИМЕНЕНИЯ ДВУХКОНТУРНЫХ ГЕНЕРАТОРОВ ИМПУЛЬСНЫХ ТОКОВ
за авторством: Тертилов, Р.В.
Опубліковано: (2011)

РАЗВИТИЕ ПРИНЦИПОВ ПОСТРОЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ЦИФРО-АНАЛОГОВЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ
за авторством: Таранов , С.Г., та інші
Опубліковано: (2014)

Атмосферные искажения сверхширокополосных импульсов ультракороткой длительности
за авторством: Стадник, А.М., та інші
Опубліковано: (2000)

Dynamic characteristics of QWIP-HBT-LED optoelectronic integrated devices
за авторством: Eladl, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2009)

Media Access Control - уровень сверхширокополосных импульсных радиосетей
за авторством: Войтер, А.П.
Опубліковано: (2014)

Прием сверхширокополосных радарных сигналов, рассеянных сложными целями
за авторством: Immoreev, I. J., та інші
Опубліковано: (2013)

Усилители мощности Ku-диапазона для наземной станции спутниковой связи
за авторством: Севергин, Б.Н., та інші
Опубліковано: (2005)

Сверхмалошумящие криогенно охлаждаемые усилители на псевдоморфных гетероструктурных полевых транзисторах
за авторством: Королев, А.М., та інші
Опубліковано: (2007)

Малошумящие субмиллиметровые системы когерентного приема (cовременное состояние и тенденции развития)
за авторством: Еру, И.И.
Опубліковано: (2006)

Новые параметры для описания сверхширокополосных сигналов и процессов
за авторством: Лазоренко, О.В.
Опубліковано: (2008)

Электрически большая рамочная антенна для приема сверхширокополосных импульсных полей
за авторством: Холод, П.В., та інші
Опубліковано: (2017)

Вирощування гетероепітаксійних шарів на неізоперіодних підкладках мeтодом скануючої рідиннофазової епітаксії
за авторством: Tsybulenko, Vadym, та інші
Опубліковано: (2020)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Quantum computations and density functional theory on corrosion inhibition efficiency of BIA, HBT, MBI and PIZ compounds
за авторством: D. M. Mamand, та інші
Опубліковано: (2023)

Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
за авторством: Sidorenko, V. P., та інші
Опубліковано: (2012)

Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
за авторством: Fedorenko, Artem
Опубліковано: (2020)

Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)

ФОРМУВАННЯ НЕПАРАМЕТРИЧНИХ ІНТЕГРАЛЬНИХ ДИНАМІЧНИХ МОДЕЛЕЙ ДАТЧИКІВ В СИСТЕМАХ ВИМІРЮВАННЯ ВИПРОБУВАЛЬНИХ ПРИЛАДІВ
за авторством: Горошко, Иван Олегович, та інші
Опубліковано: (2012)

Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
за авторством: Mitin, Vadim, та інші
Опубліковано: (2020)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)

Электроакустическая конверсия в модуляционно-легированных гетероструктурах SiGe/Si
за авторством: Хижный, В.И.
Опубліковано: (2008)

Seebeck&#039;s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers
за авторством: V. Shmid, та інші
Опубліковано: (2019)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
за авторством: Voronin, V. A., та інші
Опубліковано: (2010)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Двухкаскадные модули на основе Bi₂Te₃ и SiGe для термоэлектрических генераторов
за авторством: Михайловский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2012)

Magnetotransport studies of SiGe-based p-type heterostructures: problems of the effective mass determination
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2012)

Two-stage cascaded modules based on Bi2Te3 and SiGe for thermoelectric generators
за авторством: Ja. Mikhajlovskij, та інші
Опубліковано: (2013)