Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем

• Дата: 2013
• Автори: Popov, V. P., Sidorenko, V. P.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
• Теми: сверхширокополосные (СШП) системы; СШП-радары медицинского назначения; малошумящие усилители; кремний-германиевый гетеропереходный биполярный транзистор (SiGe-HBT); резистивные обратные связи
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.13
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

This paper presents the principles of design of integrated circuits low-noise amplifiers (LNA) based on silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBT) for ultra-wideband (UWB) systems. UWB systems range 0,5–10,6 GHz are used in communications, radars of medical applications and safe...