Технология изготовления контактов к карбиду кремния
The authors classified the results of investigations of resistivity of ohmic contacts to silicon carbide made without any semiconductor surface modification. A set of contacts with better parameters were analysed. From the results of this analysis, some recommendations were made concerning optimal c...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.25 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-402 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-4022025-08-13T20:25:56Z Manufacturing technology for contacts to silicon carbide Технология изготовления контактов к карбиду кремния Kudryk, Ya. Ya. Bigun, R. I. Kudryk, R. Ya. ohmic contact SiC resistivity омический контакт SiC удельное сопротивление The authors classified the results of investigations of resistivity of ohmic contacts to silicon carbide made without any semiconductor surface modification. A set of contacts with better parameters were analysed. From the results of this analysis, some recommendations were made concerning optimal contact-forming layers for p- and n-SiC types of 4H, 6H, 3C, 15R, 21R polytypes. Систематизированы имеющиеся в различных публикациях результаты исследований удельного сопротивления омических контактов к карбиду кремния, изготовленных без какой-либо модификации поверхности полупроводника. Проведен анализ группы контактов с наилучшими параметрами, и на основе его результатов даны рекомендации по оптимальным контактообразующим слоям для p- и n-типов SiC политипов 4H, 6H, 3C, 15R, 21R. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013-02-18 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.25 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2013): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 25-37 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2013): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 25-37 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.25/361 Copyright (c) 2013 Kudryk Ya.Ya., Bigun R. I., Kudryk R. Ya. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-08-13T20:25:56Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
омический контакт SiC удельное сопротивление |
| spellingShingle |
омический контакт SiC удельное сопротивление Kudryk, Ya. Ya. Bigun, R. I. Kudryk, R. Ya. Технология изготовления контактов к карбиду кремния |
| topic_facet |
ohmic contact SiC resistivity омический контакт SiC удельное сопротивление |
| format |
Article |
| author |
Kudryk, Ya. Ya. Bigun, R. I. Kudryk, R. Ya. |
| author_facet |
Kudryk, Ya. Ya. Bigun, R. I. Kudryk, R. Ya. |
| author_sort |
Kudryk, Ya. Ya. |
| title |
Технология изготовления контактов к карбиду кремния |
| title_short |
Технология изготовления контактов к карбиду кремния |
| title_full |
Технология изготовления контактов к карбиду кремния |
| title_fullStr |
Технология изготовления контактов к карбиду кремния |
| title_full_unstemmed |
Технология изготовления контактов к карбиду кремния |
| title_sort |
технология изготовления контактов к карбиду кремния |
| title_alt |
Manufacturing technology for contacts to silicon carbide |
| description |
The authors classified the results of investigations of resistivity of ohmic contacts to silicon carbide made without any semiconductor surface modification. A set of contacts with better parameters were analysed. From the results of this analysis, some recommendations were made concerning optimal contact-forming layers for p- and n-SiC types of 4H, 6H, 3C, 15R, 21R polytypes. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2013 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.25 |
| work_keys_str_mv |
AT kudrykyaya manufacturingtechnologyforcontactstosiliconcarbide AT bigunri manufacturingtechnologyforcontactstosiliconcarbide AT kudrykrya manufacturingtechnologyforcontactstosiliconcarbide AT kudrykyaya tehnologiâizgotovleniâkontaktovkkarbidukremniâ AT bigunri tehnologiâizgotovleniâkontaktovkkarbidukremniâ AT kudrykrya tehnologiâizgotovleniâkontaktovkkarbidukremniâ |
| first_indexed |
2025-09-24T17:30:52Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:30:52Z |
| _version_ |
1850410248941076480 |