Технология изготовления контактов к карбиду кремния
The authors classified the results of investigations of resistivity of ohmic contacts to silicon carbide made without any semiconductor surface modification. A set of contacts with better parameters were analysed. From the results of this analysis, some recommendations were made concerning optimal c...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | Kudryk, Ya. Ya., Bigun, R. I., Kudryk, R. Ya. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.25 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)
Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
за авторством: Sai, P. O.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sai, P. O.
Опубліковано: (2016)
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)
АРМУВАННЯ МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ КУБІЧНОГО НІТРИДУ БОРУ МІКРОВОЛОКНАМИ КАРБІДУ СИЛІЦІЮ
за авторством: Румянцева, Ю. Ю., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Румянцева, Ю. Ю., та інші
Опубліковано: (2018)
Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
за авторством: Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано: (2013)
Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)
Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію
за авторством: Semenov, Alexander, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Semenov, Alexander, та інші
Опубліковано: (2021)
Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
за авторством: Konakova, R. V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Konakova, R. V., та інші
Опубліковано: (2010)
ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)
Использование метода импедансной спектроскопии для анализа бензанольного топлива
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2015)
МУЛЬТІКОМПОНЕНТНІ КОМПОЗИТИ cBN ГРУПИ BL: ЗНОШУВАННЯ ІНСТРУМЕНТУ ПРИ ТОЧІННІ СУПЕРСПЛАВУ НА НІКЕЛЕВІЙ ОСНОВІ
за авторством: Петруша, Ігор, та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Петруша, Ігор, та інші
Опубліковано: (2025)
Поглотители СВЧ-энергии на основе нитрида алюминия с высоким уровнем поглощения
за авторством: Chasnyk, V. I.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Chasnyk, V. I.
Опубліковано: (2014)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3
за авторством: Semenov, O. V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Semenov, O. V., та інші
Опубліковано: (2017)
МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАЗВИТИЯ ПРОЦЕССОВ НА КАТОДЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ
за авторством: Милых, В.И., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Милых, В.И., та інші
Опубліковано: (2013)
Переходное контактное сопротивление в электрических соединениях с плоскими контактами
за авторством: Efimenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Efimenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)
Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
за авторством: Dinev, D. A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Dinev, D. A., та інші
Опубліковано: (2013)
Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
за авторством: Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано: (2009)
МАЛОШУМНІ Й ЕКОНОМІЧНІ АКТИВНІ ЕЛЕКТРОДИ ДЛЯ СУХИХ КОНТАКТНИХ ЕКГ
за авторством: Voropai , Andrii, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Voropai , Andrii, та інші
Опубліковано: (2022)
Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
за авторством: Lugin, A. N., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Lugin, A. N., та інші
Опубліковано: (2010)
Моделирование электрических схем защиты с использованием силовых лавинных диодов Кравчина В. В., Нагорная Н. Н.
за авторством: Kravchina, V. V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kravchina, V. V., та інші
Опубліковано: (2010)
Вплив гетерування на процес формування алюмінієвого омічного контакту
за авторством: Litvinenko, Victor, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Litvinenko, Victor, та інші
Опубліковано: (2020)
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
за авторством: Gulyaev, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gulyaev, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2011)
АДАПТИВНОЕ К ВАРИАЦИЯМ АКТИВНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ РОТОРА ВЕКТОРНОЕ УПРАВЛЕНИЕ АСИНХРОННЫМ ДВИГАТЕЛЕМ НА ОСНОВЕ НЕЛИНЕЙНОГО ПРИНЦИПА РАЗДЕЛЕНИЯ
за авторством: Пересада, С.М., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Пересада, С.М., та інші
Опубліковано: (2015)
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2012)
Поліпшення зворотних характеристик кремнієвого варикапа за допомогою низькотемпературного гетерування
за авторством: Litvinenko, Victor, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Litvinenko, Victor, та інші
Опубліковано: (2023)
ВЕРИФІКАЦІЯ СКІНЧЕННО-ЕЛЕМЕНТНОЇ МОДЕЛІ КОНТАКТУ ГОРИЗОНТАЛЬНОЇ ОБОЛОНКОВОЇ СТРУКТУРИ З ЛОЖЕМЕНТОМ
за авторством: KUCHERENKO, O. Ye., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: KUCHERENKO, O. Ye., та інші
Опубліковано: (2025)
Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
за авторством: Lesyuk, R. I., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Lesyuk, R. I., та інші
Опубліковано: (2010)
ДОСЛІДЖЕННЯ ФАЗОВИХ РІВНОВАГ В СИСТЕМІ MnO-SiO2 МЕТОДОМ ДИФЕРЕНЦІАЛЬНО-СКАНУЮЧОЇ КАЛОРИМЕТРІЇ (ДСК)
за авторством: Proidak , Yu., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Proidak , Yu., та інші
Опубліковано: (2022)
ОСЕСИМЕТРИЧНА КОНТАКТНА ЗАДАЧА ТЕРМОПРУЖНОСТІ ПРО ТИСК ШТАМПА, ЩО ОБЕРТАЄТЬСЯ, НА ПРУЖНИЙ ТРАНСВЕРСАЛЬНО-ІЗОТРОПНИЙ ШАР
за авторством: Окрепкий, Богдан Степанович, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Окрепкий, Богдан Степанович, та інші
Опубліковано: (2011)
Сопротивление контактов тонкопленочного резистора
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2008)
Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Zyablyuk, K. N., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Zyablyuk, K. N., та інші
Опубліковано: (2012)
Жароміцні інтерметалідні сплави та особливості їх легування
за авторством: Byba, I. G., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Byba, I. G., та інші
Опубліковано: (2024)
Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
за авторством: Hotra, Z. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Hotra, Z. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ГРАНУЛИРОВАННЫХ ТОКОПРОВОДЯЩИХ СРЕД ОТ ПРОТЕКАЮЩЕГО В НИХ ИМПУЛЬСНОГО ТОКА
за авторством: Захарченко, С.Н.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Захарченко, С.Н.
Опубліковано: (2012)
ОЦЕНКА ПОГРЕШНОСТИ ЭТАЛОННОЙ КОНДУКТОМЕТРИЧЕСКОЙ ЯЧЕЙКИ, ОБУСЛОВЛЕННОЙ НЕЭКВИПОТЕНЦИАЛЬНОСТЬЮ ПОВЕРХНОСТИ ЭЛЕКТРОДОВ
за авторством: Глухенький, А.И., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Глухенький, А.И., та інші
Опубліковано: (2010)
Способи та методи зміни морфології залізовмісних фаз у силумінах: Processy litʹâ, 2020, Tom 139, №1, p.30-41
за авторством: Фон Прусс, М. А.
Опубліковано: (2020)
за авторством: Фон Прусс, М. А.
Опубліковано: (2020)
Теплотехнические характеристики радиатора для эффективных систем охлаждения радиоэлектронной техники
за авторством: Rudenko, A. I., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Rudenko, A. I., та інші
Опубліковано: (2011)
Схожі ресурси
-
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012) -
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015) -
Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
за авторством: Sai, P. O.
Опубліковано: (2016) -
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010) -
АРМУВАННЯ МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ КУБІЧНОГО НІТРИДУ БОРУ МІКРОВОЛОКНАМИ КАРБІДУ СИЛІЦІЮ
за авторством: Румянцева, Ю. Ю., та інші
Опубліковано: (2018)