Buchumschlag

Технология изготовления контактов к карбиду кремния

The authors classified the results of investigations of resistivity of ohmic contacts to silicon carbide made without any semiconductor surface modification. A set of contacts with better parameters were analysed. From the results of this analysis, some recommendations were made concerning optimal c...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Kudryk, Ya. Ya., Bigun, R. I., Kudryk, R. Ya.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
Schlagworte:	омический контакт SiC удельное сопротивление
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.25
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
von: Кудрик, Я.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
von: Sai, P. O.
Veröffentlicht: (2016)

АРМУВАННЯ МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ КУБІЧНОГО НІТРИДУ БОРУ МІКРОВОЛОКНАМИ КАРБІДУ СИЛІЦІЮ
von: Румянцева, Ю. Ю., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Bosiy, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
von: Kidalov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Получение и свойства пористого карбида кремния
von: Svetlichnaya, L. A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2013)

Электрическое сопротивление контакта тонкопленочных резисторов
von: Lougin, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію
von: Semenov, Alexander, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Kutniy, V. E., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Использование метода импедансной спектроскопии для анализа бензанольного топлива
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2015)

ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
von: Ковбаса, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2025)

МУЛЬТІКОМПОНЕНТНІ КОМПОЗИТИ cBN ГРУПИ BL: ЗНОШУВАННЯ ІНСТРУМЕНТУ ПРИ ТОЧІННІ СУПЕРСПЛАВУ НА НІКЕЛЕВІЙ ОСНОВІ
von: Петруша, Ігор, et al.
Veröffentlicht: (2025)

Поглотители СВЧ-энергии на основе нитрида алюминия с высоким уровнем поглощения
von: Chasnyk, V. I.
Veröffentlicht: (2014)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Переходное контактное сопротивление в электрических соединениях с плоскими контактами
von: Efimenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Повышение адгезионной прочности никелевых контактов ветвей термоэлектрических модулей
von: Asheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)

МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАЗВИТИЯ ПРОЦЕССОВ НА КАТОДЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ
von: Милых, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Про один підхід, пов'язаний з дослідженням напружено-деформованого стану кусково-однорідної ізотропної пластини з тріщиною за згину з урахуванням ширини області контакту її берегів
von: Опанасович, Віктор Костянтинович; Львівський національний університет імені Івана Франка, кафедра механіки, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Konakova, R. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
von: Shmid, V., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3
von: Semenov, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
von: Ya. Ya. Kudryk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au–TiB₂–n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
von: Kudryk, Ya.Ya., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
von: Druzhynin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
von: Dinev, D. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
von: Динев, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
von: Дружинин, А.A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Технология изготовления термоэлектрических модулей Пельтье повышенной надежности
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Технология изготовления кирпичей Семикаракорской крепости. Опыт реконструкции
von: Токаренко, С.Ф.
Veröffentlicht: (2009)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2009)

Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
von: Ya. Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
von: V. M. Sorokin, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
von: Sorokin, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2012)