Технология изготовления контактов к карбиду кремния
The authors classified the results of investigations of resistivity of ohmic contacts to silicon carbide made without any semiconductor surface modification. A set of contacts with better parameters were analysed. From the results of this analysis, some recommendations were made concerning optimal c...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Kudryk, Ya. Ya., Bigun, R. I., Kudryk, R. Ya. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.25 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
von: Sai, P. O.
Veröffentlicht: (2016)
von: Sai, P. O.
Veröffentlicht: (2016)
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
АРМУВАННЯ МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ КУБІЧНОГО НІТРИДУ БОРУ МІКРОВОЛОКНАМИ КАРБІДУ СИЛІЦІЮ
von: Румянцева, Ю. Ю., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Румянцева, Ю. Ю., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2013)
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2013)
Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
von: Kidalov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Kidalov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію
von: Semenov, Alexander, et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Semenov, Alexander, et al.
Veröffentlicht: (2021)
Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Konakova, R. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Konakova, R. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
von: Ковбаса, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Ковбаса, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Использование метода импедансной спектроскопии для анализа бензанольного топлива
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2015)
МУЛЬТІКОМПОНЕНТНІ КОМПОЗИТИ cBN ГРУПИ BL: ЗНОШУВАННЯ ІНСТРУМЕНТУ ПРИ ТОЧІННІ СУПЕРСПЛАВУ НА НІКЕЛЕВІЙ ОСНОВІ
von: Петруша, Ігор, et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Петруша, Ігор, et al.
Veröffentlicht: (2025)
Поглотители СВЧ-энергии на основе нитрида алюминия с высоким уровнем поглощения
von: Chasnyk, V. I.
Veröffentlicht: (2014)
von: Chasnyk, V. I.
Veröffentlicht: (2014)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3
von: Semenov, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Semenov, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАЗВИТИЯ ПРОЦЕССОВ НА КАТОДЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ
von: Милых, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Милых, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Переходное контактное сопротивление в электрических соединениях с плоскими контактами
von: Efimenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Efimenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
von: Dinev, D. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Dinev, D. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2009)
МАЛОШУМНІ Й ЕКОНОМІЧНІ АКТИВНІ ЕЛЕКТРОДИ ДЛЯ СУХИХ КОНТАКТНИХ ЕКГ
von: Voropai , Andrii, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Voropai , Andrii, et al.
Veröffentlicht: (2022)
Повышение надежности контакта тонкопленочных резисторов
von: Lugin, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Lugin, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Моделирование электрических схем защиты с использованием силовых лавинных диодов Кравчина В. В., Нагорная Н. Н.
von: Kravchina, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Kravchina, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Вплив гетерування на процес формування алюмінієвого омічного контакту
von: Litvinenko, Victor, et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Litvinenko, Victor, et al.
Veröffentlicht: (2020)
Новый подход к созданию устройств с энергонезависимой памятью на основе Si-МОП-транзисторов
von: Gulyaev, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Gulyaev, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
АДАПТИВНОЕ К ВАРИАЦИЯМ АКТИВНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ РОТОРА ВЕКТОРНОЕ УПРАВЛЕНИЕ АСИНХРОННЫМ ДВИГАТЕЛЕМ НА ОСНОВЕ НЕЛИНЕЙНОГО ПРИНЦИПА РАЗДЕЛЕНИЯ
von: Пересада, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Пересада, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Turtsevich, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Turtsevich, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Поліпшення зворотних характеристик кремнієвого варикапа за допомогою низькотемпературного гетерування
von: Litvinenko, Victor, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Litvinenko, Victor, et al.
Veröffentlicht: (2023)
ВЕРИФІКАЦІЯ СКІНЧЕННО-ЕЛЕМЕНТНОЇ МОДЕЛІ КОНТАКТУ ГОРИЗОНТАЛЬНОЇ ОБОЛОНКОВОЇ СТРУКТУРИ З ЛОЖЕМЕНТОМ
von: KUCHERENKO, O. Ye., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: KUCHERENKO, O. Ye., et al.
Veröffentlicht: (2025)
Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
von: Lesyuk, R. I., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Lesyuk, R. I., et al.
Veröffentlicht: (2010)
ДОСЛІДЖЕННЯ ФАЗОВИХ РІВНОВАГ В СИСТЕМІ MnO-SiO2 МЕТОДОМ ДИФЕРЕНЦІАЛЬНО-СКАНУЮЧОЇ КАЛОРИМЕТРІЇ (ДСК)
von: Proidak , Yu., et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Proidak , Yu., et al.
Veröffentlicht: (2022)
ОСЕСИМЕТРИЧНА КОНТАКТНА ЗАДАЧА ТЕРМОПРУЖНОСТІ ПРО ТИСК ШТАМПА, ЩО ОБЕРТАЄТЬСЯ, НА ПРУЖНИЙ ТРАНСВЕРСАЛЬНО-ІЗОТРОПНИЙ ШАР
von: Окрепкий, Богдан Степанович, et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Окрепкий, Богдан Степанович, et al.
Veröffentlicht: (2011)
Сопротивление контактов тонкопленочного резистора
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2008)
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2008)
Технология создания легированных бором слоев на алмазе
von: Zyablyuk, K. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Zyablyuk, K. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Жароміцні інтерметалідні сплави та особливості їх легування
von: Byba, I. G., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Byba, I. G., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
von: Hotra, Z. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Hotra, Z. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ГРАНУЛИРОВАННЫХ ТОКОПРОВОДЯЩИХ СРЕД ОТ ПРОТЕКАЮЩЕГО В НИХ ИМПУЛЬСНОГО ТОКА
von: Захарченко, С.Н.
Veröffentlicht: (2012)
von: Захарченко, С.Н.
Veröffentlicht: (2012)
ОЦЕНКА ПОГРЕШНОСТИ ЭТАЛОННОЙ КОНДУКТОМЕТРИЧЕСКОЙ ЯЧЕЙКИ, ОБУСЛОВЛЕННОЙ НЕЭКВИПОТЕНЦИАЛЬНОСТЬЮ ПОВЕРХНОСТИ ЭЛЕКТРОДОВ
von: Глухенький, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Глухенький, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Способи та методи зміни морфології залізовмісних фаз у силумінах: Processy litʹâ, 2020, Tom 139, №1, p.30-41
von: Фон Прусс, М. А.
Veröffentlicht: (2020)
von: Фон Прусс, М. А.
Veröffentlicht: (2020)
Теплотехнические характеристики радиатора для эффективных систем охлаждения радиоэлектронной техники
von: Rudenko, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Rudenko, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Ähnliche Einträge
-
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012) -
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
von: Sai, P. O.
Veröffentlicht: (2016) -
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
АРМУВАННЯ МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ КУБІЧНОГО НІТРИДУ БОРУ МІКРОВОЛОКНАМИ КАРБІДУ СИЛІЦІЮ
von: Румянцева, Ю. Ю., et al.
Veröffentlicht: (2018)