Технология изготовления контактов к карбиду кремния
The authors classified the results of investigations of resistivity of ohmic contacts to silicon carbide made without any semiconductor surface modification. A set of contacts with better parameters were analysed. From the results of this analysis, some recommendations were made concerning optimal c...
Saved in:
| Date: | 2013 |
|---|---|
| Main Authors: | Kudryk, Ya. Ya., Bigun, R. I., Kudryk, R. Ya. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.25 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
-
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Novitskyi, S. V.
Published: (2012) -
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
by: Basanets, V. V., et al.
Published: (2015) -
Технология изготовления контактов к карбиду кремния
by: Кудрик, Я.Я., et al.
Published: (2013) -
Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
by: Sai, P. O.
Published: (2016) -
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
by: Boltovets, N. S., et al.
Published: (2010)