Зображення обкладинки

Технология изготовления контактов к карбиду кремния

The authors classified the results of investigations of resistivity of ohmic contacts to silicon carbide made without any semiconductor surface modification. A set of contacts with better parameters were analysed. From the results of this analysis, some recommendations were made concerning optimal c...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	Kudryk, Ya. Ya., Bigun, R. I., Kudryk, R. Ya.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
Теми:	омический контакт SiC удельное сопротивление
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.25
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
за авторством: Кудрик, Я.Я., та інші
Опубліковано: (2013)

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
за авторством: Sai, P. O.
Опубліковано: (2016)

АРМУВАННЯ МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ КУБІЧНОГО НІТРИДУ БОРУ МІКРОВОЛОКНАМИ КАРБІДУ СИЛІЦІЮ
за авторством: Румянцева, Ю. Ю., та інші
Опубліковано: (2018)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2007)

Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)

Получение и свойства пористого карбида кремния
за авторством: Svetlichnaya, L. A., та інші
Опубліковано: (2005)

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
за авторством: Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано: (2013)

Электрическое сопротивление контакта тонкопленочных резисторов
за авторством: Lougin, A. N., та інші
Опубліковано: (2006)

Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію
за авторством: Semenov, Alexander, та інші
Опубліковано: (2021)

Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
за авторством: Kutniy, V. E., та інші
Опубліковано: (2005)

Использование метода импедансной спектроскопии для анализа бензанольного топлива
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2015)

ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)

МУЛЬТІКОМПОНЕНТНІ КОМПОЗИТИ cBN ГРУПИ BL: ЗНОШУВАННЯ ІНСТРУМЕНТУ ПРИ ТОЧІННІ СУПЕРСПЛАВУ НА НІКЕЛЕВІЙ ОСНОВІ
за авторством: Петруша, Ігор, та інші
Опубліковано: (2025)

Поглотители СВЧ-энергии на основе нитрида алюминия с высоким уровнем поглощения
за авторством: Chasnyk, V. I.
Опубліковано: (2014)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
за авторством: Smyntyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Переходное контактное сопротивление в электрических соединениях с плоскими контактами
за авторством: Efimenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)

Повышение адгезионной прочности никелевых контактов ветвей термоэлектрических модулей
за авторством: Asheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2006)

МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАЗВИТИЯ ПРОЦЕССОВ НА КАТОДЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ
за авторством: Милых, В.И., та інші
Опубліковано: (2013)

Про один підхід, пов'язаний з дослідженням напружено-деформованого стану кусково-однорідної ізотропної пластини з тріщиною за згину з урахуванням ширини області контакту її берегів
за авторством: Опанасович, Віктор Костянтинович; Львівський національний університет імені Івана Франка, кафедра механіки, та інші
Опубліковано: (2016)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
за авторством: Konakova, R. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Фотоелектричні властивості плівок SiGe, покритих шарами аморфного та полікристалічного кремнію
за авторством: Shmid, V., та інші
Опубліковано: (2019)

Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3
за авторством: Semenov, O. V., та інші
Опубліковано: (2017)

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2014)

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au–TiB₂–n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Kudryk, Ya.Ya., та інші
Опубліковано: (2014)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
за авторством: Конакова, Р.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
за авторством: Druzhynin, A. A., та інші
Опубліковано: (2007)

Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
за авторством: Dinev, D. A., та інші
Опубліковано: (2013)

Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
за авторством: Динев, Д.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
за авторством: Дружинин, А.A., та інші
Опубліковано: (2007)

Технология изготовления термоэлектрических модулей Пельтье повышенной надежности
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2004)

Технология изготовления кирпичей Семикаракорской крепости. Опыт реконструкции
за авторством: Токаренко, С.Ф.
Опубліковано: (2009)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
за авторством: Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано: (2009)

Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
за авторством: V. M. Sorokin, та інші
Опубліковано: (2012)

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
за авторством: Sorokin, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)