Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения

The article describes a newly-developed method of manufacturing of an operating element of the Cd1–xZnxTe-detector of ionizing radiation with high sensitivity to low-energy gamma radiation of the americium 241Am radioactive isotope. The proposed two-step method of chemical surface treatment...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2013
Hauptverfasser: Tomashik, Z. F., Stratiichuk, I. B., Tomashik, V. N., Budzulyak, S. I., Gnativ, І. І., Komar, V. K., Dubina, N. G., Lots’ko , A. P., Korbutyak, D. V., Demchina, L. A., Vakhnyak, N. D.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
Schlagworte:
детектор ионизирующего излучения
полупроводник
химическое травление
химико-динамическое полирование
химико-механическое полирование
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.42
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Online

https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.42

Ähnliche Einträge