Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
The article describes a newly-developed method of manufacturing of an operating element of the Cd1–xZnxTe-detector of ionizing radiation with high sensitivity to low-energy gamma radiation of the americium 241Am radioactive isotope. The proposed two-step method of chemical surface treatment...
Saved in:
| Date: | 2013 |
|---|---|
| Main Authors: | Tomashik, Z. F., Stratiichuk, I. B., Tomashik, V. N., Budzulyak, S. I., Gnativ, І. І., Komar, V. K., Dubina, N. G., Lots’ko , A. P., Korbutyak, D. V., Demchina, L. A., Vakhnyak, N. D. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.42 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
Моделирование процессов бесконтактного химикомеханического изготовления подложек полупроводников
by: Grigoriev, N. N., et al.
Published: (2003)
by: Grigoriev, N. N., et al.
Published: (2003)
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
by: Pavlovich, I. I., et al.
Published: (2011)
by: Pavlovich, I. I., et al.
Published: (2011)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
by: Iatsunskyi, I. R.
Published: (2013)
by: Iatsunskyi, I. R.
Published: (2013)
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
by: Томашик, З.Ф., et al.
Published: (2013)
by: Томашик, З.Ф., et al.
Published: (2013)
Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
by: Z. F. Tomashik, et al.
Published: (2013)
by: Z. F. Tomashik, et al.
Published: (2013)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 2. Мономолекулярная модель кинетики
by: Balitskaya, V. A., et al.
Published: (2004)
by: Balitskaya, V. A., et al.
Published: (2004)
Analysis of luminescence method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
by: Glinchuk, K.D., et al.
Published: (2005)
by: Glinchuk, K.D., et al.
Published: (2005)
Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей
by: Polozov, B. P., et al.
Published: (2006)
by: Polozov, B. P., et al.
Published: (2006)
Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
by: Glinchuk, K.D., et al.
Published: (2003)
by: Glinchuk, K.D., et al.
Published: (2003)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
by: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Published: (2010)
by: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Published: (2010)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
by: Загоруйко, Ю.А., et al.
Published: (2010)
by: Загоруйко, Ю.А., et al.
Published: (2010)
МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДВИГАТЕЛЬ ВОЗВРАТНО-ВРАЩАТЕЛЬНОГО ДВИЖЕНИЯ С УПРУГОЙ СВЯЗЬЮ РОТОРА
by: Антонов, А.Е., et al.
Published: (2012)
by: Антонов, А.Е., et al.
Published: (2012)
МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДВИГАТЕЛЬ ВОЗВРАТНО-ВРАЩАТЕЛЬНОГО ДВИЖЕНИЯ С УПРУГОЙ СВЯЗЬЮ РОТОРА
by: Антонов, А.Е., et al.
Published: (2012)
by: Антонов, А.Е., et al.
Published: (2012)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2003)
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2003)
Analysis of photoluminescence of p-Cd1–xZnxTe crystals irradiated by y-quanta
by: N. M. Litovchenko, et al.
Published: (2010)
by: N. M. Litovchenko, et al.
Published: (2010)
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2010)
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2010)
Влияние длительности спекания на микроструктуру и электрические свойства низковольтной варисторной керамики на основе оксида цинка
by: Lyashkov, A. Yu.
Published: (2018)
by: Lyashkov, A. Yu.
Published: (2018)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
by: Borisenko, A. G., et al.
Published: (2005)
by: Borisenko, A. G., et al.
Published: (2005)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
by: Boltovets, M. S., et al.
Published: (2009)
by: Boltovets, M. S., et al.
Published: (2009)
Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
by: Kudryk, Ya. Ya.
Published: (2013)
by: Kudryk, Ya. Ya.
Published: (2013)
Методика и установка для определения теплопроводности полупроводников с использованием лучистой энергии
by: Gurbanniyazov, M. A., et al.
Published: (2011)
by: Gurbanniyazov, M. A., et al.
Published: (2011)
Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
by: Литовченко, Н.М., et al.
Published: (2010)
by: Литовченко, Н.М., et al.
Published: (2010)
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
by: Yodgorova, D. М.
Published: (2006)
by: Yodgorova, D. М.
Published: (2006)
Growing the high-resistive Cd₁₋xZnxTe single crystals from a vapor phase
by: Feychuk, P., et al.
Published: (2005)
by: Feychuk, P., et al.
Published: (2005)
State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
by: Dremlyuzhenko, S.G., et al.
Published: (2004)
by: Dremlyuzhenko, S.G., et al.
Published: (2004)
Structural and microstructural properties of Cd₁-xZnxTe films deposited by close spaced vacuum sublimation
by: Znamenshchykov, Y.V., et al.
Published: (2016)
by: Znamenshchykov, Y.V., et al.
Published: (2016)
Formation of the ZnxCd1-xTe solid solution single crystal polished surfaces with the HNO3–HBr–ethylene glycol etchants
by: Tomashik, V. M., et al.
Published: (2008)
by: Tomashik, V. M., et al.
Published: (2008)
Interaction of the ZnxCd1-xTe and Cd0.2Hg0.8Te solid solutions with NaNO2–NI–lactic acid etchants
by: R. A. Denisjuk, et al.
Published: (2016)
by: R. A. Denisjuk, et al.
Published: (2016)
Laser ablation and photostimulated passivation of Cd₁₋ₓZnₓTe crystals
by: Zagoruiko, Yu.A., et al.
Published: (2012)
by: Zagoruiko, Yu.A., et al.
Published: (2012)
Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
by: Budzulyak, S. I., et al.
Published: (2014)
by: Budzulyak, S. I., et al.
Published: (2014)
Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid
by: Tomashik, Z.F., et al.
Published: (1999)
by: Tomashik, Z.F., et al.
Published: (1999)
Thermographical monitoring of structure transformations in Cd₁-ₓZnₓTe milts
by: Feychuk, P.I., et al.
Published: (2005)
by: Feychuk, P.I., et al.
Published: (2005)
Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника
by: Mamedov, A. K.
Published: (2003)
by: Mamedov, A. K.
Published: (2003)
Герметизированные модули кремниевых детекторов ионизирующего излучения
by: Васильев, Г.П., et al.
Published: (2010)
by: Васильев, Г.П., et al.
Published: (2010)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
by: Melebayew, D., et al.
Published: (2008)
by: Melebayew, D., et al.
Published: (2008)
Chemical dynamic polishing CdTe and CdxHg₁–xTe single crystals by using solutions of H₂O₂–HCl–tartaric acid system
by: Tomashik, Z.F., et al.
Published: (2004)
by: Tomashik, Z.F., et al.
Published: (2004)
Исследование моделей родиевого эмиттера детектора прямого заряда
by: Борисенко, В.И., et al.
Published: (2017)
by: Борисенко, В.И., et al.
Published: (2017)
On determination of Cd1–xZnxTe composition from an analysis of the 4.2, 77 and 295 K edge photoluminescence spectra
by: K. D. Glinchuk, et al.
Published: (2017)
by: K. D. Glinchuk, et al.
Published: (2017)
Chemical etching of ZnSe crystal surfaced by the H2O2–HBr– acetic acid solutions
by: A. S. Stanetskaja, et al.
Published: (2014)
by: A. S. Stanetskaja, et al.
Published: (2014)
Similar Items
-
Моделирование процессов бесконтактного химикомеханического изготовления подложек полупроводников
by: Grigoriev, N. N., et al.
Published: (2003) -
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
by: Pavlovich, I. I., et al.
Published: (2011) -
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
by: Iatsunskyi, I. R.
Published: (2013) -
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
by: Томашик, З.Ф., et al.
Published: (2013) -
Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
by: Z. F. Tomashik, et al.
Published: (2013)