Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения

The article describes a newly-developed method of manufacturing of an operating element of the Cd1–xZnxTe-detector of ionizing radiation with high sensitivity to low-energy gamma radiation of the americium 241Am radioactive isotope. The proposed two-step method of chemical surface treatment...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	Tomashik, Z. F., Stratiichuk, I. B., Tomashik, V. N., Budzulyak, S. I., Gnativ, І. І., Komar, V. K., Dubina, N. G., Lots’ko , A. P., Korbutyak, D. V., Demchina, L. A., Vakhnyak, N. D.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
Теми:	детектор ионизирующего излучения полупроводник химическое травление химико-динамическое полирование химико-механическое полирование
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.42
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
за авторством: Pavlovich, I. I., та інші
Опубліковано: (2011)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)

Features of manufacturing Cd1–xZnxTe ionizing radiation detector
за авторством: Z. F. Tomashik, та інші
Опубліковано: (2013)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)

МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДВИГАТЕЛЬ ВОЗВРАТНО-ВРАЩАТЕЛЬНОГО ДВИЖЕНИЯ С УПРУГОЙ СВЯЗЬЮ РОТОРА
за авторством: Антонов, А.Е., та інші
Опубліковано: (2012)

Analysis of luminescence method for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2005)

Analysis of luminescence method applicability for determination of Cd₁₋xZnxTe composition
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние длительности спекания на микроструктуру и электрические свойства низковольтной варисторной керамики на основе оксида цинка
за авторством: Lyashkov, A. Yu.
Опубліковано: (2018)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Загоруйко, Ю.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Analysis of photoluminescence of p-Cd1–xZnxTe crystals irradiated by y-quanta
за авторством: N. M. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2010)

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
за авторством: Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано: (2013)

Методика и установка для определения теплопроводности полупроводников с использованием лучистой энергии
за авторством: Gurbanniyazov, M. A., та інші
Опубліковано: (2011)

Анализ фотолюминесценции кристаллов p-Cd1–xZnxTe, облученных гамма-квантами
за авторством: Литовченко, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)

State of Cd₁₋xZnxTe and Cd₁₋xMnxTe surface depending on treatment type
за авторством: Dremlyuzhenko, S.G., та інші
Опубліковано: (2004)

Growing the high-resistive Cd₁₋xZnxTe single crystals from a vapor phase
за авторством: Feychuk, P., та інші
Опубліковано: (2005)

Structural and microstructural properties of Cd₁-xZnxTe films deposited by close spaced vacuum sublimation
за авторством: Znamenshchykov, Y.V., та інші
Опубліковано: (2016)

КОМПЬЮТЕРНЫЙ АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ В ПОЛИЭТИЛЕНОВОЙ ИЗОЛЯЦИИ СИЛОВОГО КАБЕЛЯ ПРИ НАЛИЧИИ МИКРОВКЛЮЧЕНИЙ
за авторством: Кучерявая, И.Н.
Опубліковано: (2012)

Laser ablation and photostimulated passivation of Cd₁₋ₓZnₓTe crystals
за авторством: Zagoruiko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2012)

Interaction of the ZnxCd1-xTe and Cd0.2Hg0.8Te solid solutions with NaNO2–NI–lactic acid etchants
за авторством: R. A. Denisjuk, та інші
Опубліковано: (2016)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Fedorovich, O. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Dissolution of indium arsenide in nitric solutions of the hydrobromic acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
за авторством: Budzulyak, S. I., та інші
Опубліковано: (2014)

Thermographical monitoring of structure transformations in Cd₁-ₓZnₓTe milts
за авторством: Feychuk, P.I., та інші
Опубліковано: (2005)

МУЛЬТИФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ ЭЛЕКТРОИСКРОВОЙ ОБРАБОТКЕ ТОКОПРОВОДЯЩИХ ГРАНУЛ
за авторством: Кучерявая, И.Н.
Опубліковано: (2017)

On determination of Cd1–xZnxTe composition from an analysis of the 4.2, 77 and 295 K edge photoluminescence spectra
за авторством: K. D. Glinchuk, та інші
Опубліковано: (2017)

Герметизированные модули кремниевых детекторов ионизирующего излучения
за авторством: Васильев, Г.П., та інші
Опубліковано: (2010)

Chemical dynamic polishing CdTe and CdxHg₁–xTe single crystals by using solutions of H₂O₂–HCl–tartaric acid system
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2004)

Plasma treatment of Cd₁₋ₓZnₓTe (x ~ 0.04) single crystals
за авторством: Smirnov, A.B.
Опубліковано: (2011)

Chemical etching of ZnSe crystal surfaced by the H2O2–HBr– acetic acid solutions
за авторством: A. S. Stanetskaja, та інші
Опубліковано: (2014)

Chemical dissolution of indium arsenide in the Br₂-HBr solutions
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Исследование моделей родиевого эмиттера детектора прямого заряда
за авторством: Борисенко, В.И., та інші
Опубліковано: (2017)

Численный анализ источников ионизирующего излучения камер деления
за авторством: Канченко, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Formation of polished surface of PbTe and Pb1-xSnxTe semiconductor plates PbTe y Pb1–xSnxTe
за авторством: G. P. Malanich, та інші
Опубліковано: (2018)

“Новизна” доз ионизирующего излучения как фактор микроэволюционных изменений
за авторством: Глазко, В.И.
Опубліковано: (2005)

Морфологические изменения щитовидной железы под действием ионизирующего излучения
за авторством: Кувенева, О.Н., та інші
Опубліковано: (2013)

Влияние ионизирующего излучения на белок- липидные комплексы липосом
за авторством: Древаль, В.И.
Опубліковано: (1993)