Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
The authors have investigated electronic properties of n-TiO2:Mn/p-CdTe anisotype heterojunctions, produced by the method of electron-beam evaporation of TiO2:Mn film on single-crystal CdTe substrates in vacuum. The dominant mechanism of charge transport in the forward and reverse bias has been esta...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.45 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543847417380864 |
|---|---|
| author | Mostovyi, A. I. Brus, V. V. Maryanchuk, P. D. Ulyanitskii, K. S. |
| author_facet | Mostovyi, A. I. Brus, V. V. Maryanchuk, P. D. Ulyanitskii, K. S. |
| author_sort | Mostovyi, A. I. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-08-13T20:25:56Z |
| description | The authors have investigated electronic properties of n-TiO2:Mn/p-CdTe anisotype heterojunctions, produced by the method of electron-beam evaporation of TiO2:Mn film on single-crystal CdTe substrates in vacuum. The dominant mechanism of charge transport in the forward and reverse bias has been established. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:52Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-405 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-09-24T17:30:52Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-4052025-08-13T20:25:56Z Electrical properties anisotype heterojunctions n-TiO2:Mn/p-CdTe Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe Mostovyi, A. I. Brus, V. V. Maryanchuk, P. D. Ulyanitskii, K. S. heterojunction thin film doping TiO2 CdTe гетеропереход тонкая пленка легирование TiO2 CdTe The authors have investigated electronic properties of n-TiO2:Mn/p-CdTe anisotype heterojunctions, produced by the method of electron-beam evaporation of TiO2:Mn film on single-crystal CdTe substrates in vacuum. The dominant mechanism of charge transport in the forward and reverse bias has been established. Исследованы электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe, изготовленных методом электронно-лучевого испарения в вакууме пленки ТiО2:Mn на монокристаллические подложки CdTe. Установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях гетероперехода. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013-02-18 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.45 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2013): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 45-48 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2013): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 45-48 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.45/364 Copyright (c) 2013 Mostovyi A. I., Brus V. V., Maryanchuk P. D., Ulyanitskii K. S. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | гетеропереход тонкая пленка легирование TiO2 CdTe Mostovyi, A. I. Brus, V. V. Maryanchuk, P. D. Ulyanitskii, K. S. Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe |
| title | Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe |
| title_alt | Electrical properties anisotype heterojunctions n-TiO2:Mn/p-CdTe |
| title_full | Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe |
| title_fullStr | Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe |
| title_full_unstemmed | Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe |
| title_short | Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe |
| title_sort | электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-тiо2:mn/p-cdte |
| topic | гетеропереход тонкая пленка легирование TiO2 CdTe |
| topic_facet | heterojunction thin film doping TiO2 CdTe гетеропереход тонкая пленка легирование TiO2 CdTe |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.45 |
| work_keys_str_mv | AT mostovyiai electricalpropertiesanisotypeheterojunctionsntio2mnpcdte AT brusvv electricalpropertiesanisotypeheterojunctionsntio2mnpcdte AT maryanchukpd electricalpropertiesanisotypeheterojunctionsntio2mnpcdte AT ulyanitskiiks electricalpropertiesanisotypeheterojunctionsntio2mnpcdte AT mostovyiai élektričeskiesvojstvaanizotipnyhgeteroperehodovntio2mnpcdte AT brusvv élektričeskiesvojstvaanizotipnyhgeteroperehodovntio2mnpcdte AT maryanchukpd élektričeskiesvojstvaanizotipnyhgeteroperehodovntio2mnpcdte AT ulyanitskiiks élektričeskiesvojstvaanizotipnyhgeteroperehodovntio2mnpcdte |