Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
The authors have investigated electronic properties of n-TiO2:Mn/p-CdTe anisotype heterojunctions, produced by the method of electron-beam evaporation of TiO2:Mn film on single-crystal CdTe substrates in vacuum. The dominant mechanism of charge transport in the forward and reverse bias has been esta...
Saved in:
| Date: | 2013 |
|---|---|
| Main Authors: | Mostovyi, A. I., Brus, V. V., Maryanchuk, P. D., Ulyanitskii, K. S. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.45 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
-
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
by: Parkhomenko, H. P., et al.
Published: (2016) -
Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
by: Kovaliuk, T. T., et al.
Published: (2015) -
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
by: Kovaliuk, Taras, et al.
Published: (2021) -
Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
by: Yakovkin, I.N.
Published: (2021) -
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
by: Мостовой, А.И., et al.
Published: (2013)