Зображення обкладинки

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe

The authors have investigated electronic properties of n-TiO2:Mn/p-CdTe anisotype heterojunctions, produced by the method of electron-beam evaporation of TiO2:Mn film on single-crystal CdTe substrates in vacuum. The dominant mechanism of charge transport in the forward and reverse bias has been esta...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2013
Автори:	Mostovyi, A. I., Brus, V. V., Maryanchuk, P. D., Ulyanitskii, K. S.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2013
Теми:	гетеропереход тонкая пленка легирование TiO2 CdTe
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.45
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)

Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
за авторством: Kovaliuk, Taras, та інші
Опубліковано: (2021)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Вплив радіаційних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe:Cl, опроміненого нейтронами
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2020)

Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
за авторством: Pigur, O. N., та інші
Опубліковано: (2011)

Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2012)

Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS–Cu2S
за авторством: Borschak, V. A.
Опубліковано: (2012)

PФEС и ТПВ дослідження M/TiO2 (M=Co, Cu, Mn, Ni) порошків, одержаних золь-гель методом
за авторством: Petrik, I. S., та інші
Опубліковано: (2015)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)

Технология создания легированных бором слоев на алмазе
за авторством: Zyablyuk, K. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
за авторством: Afanasyev, M. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
за авторством: Vakiv, N. M.
Опубліковано: (2010)

Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
за авторством: Vorob'ev, A. V., та інші
Опубліковано: (2014)

Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
за авторством: Kovalenko, K. L., та інші
Опубліковано: (2009)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)

Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії із застосуванням ІСПТ. Частина 1. Теорія та моделювання
за авторством: Pavluchenko, Alexey, та інші
Опубліковано: (2021)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)

Розробка та моделювання високоточного MPPT-контролера для тонкоплівкових сонячних елементів
за авторством: Fedenko, Vitalii, та інші
Опубліковано: (2025)

Електропровідні композити на основі TiO2 та вуглецевих наноструктур, виготовлені при використанні 3D друку технології CJP
за авторством: Zolotarenk, Ol. D, та інші
Опубліковано: (2022)

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
за авторством: Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано: (2013)

Технология изготовления гибких терморезисторов на полиимидной основе
за авторством: Dinev, D. A., та інші
Опубліковано: (2013)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1–x(Al2Te3)x, легированных марганцем
за авторством: Maryanchuk, P. D., та інші
Опубліковано: (2014)

Фотокаталітичне знебарвлення органічних барвників бінарними нанокомпозитами на основі анатазу у водному дисперсійному середовищі
за авторством: Lavrynenko, O. M., та інші
Опубліковано: (2024)

Дослідження кристалів Cu2ZnSnSe4 та гетеропереходів на їхній основі
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2018)

Дослідження методом РФС поверхні нанопорошків TiO2:Ag
за авторством: Korduban, O. M., та інші
Опубліковано: (2020)

Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
за авторством: Brus, V. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Электрические соединители для поверхностного непаяного монтажа
за авторством: Yefimenko, A. A.
Опубліковано: (2012)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
за авторством: Zakharchenko, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
за авторством: Budzulyak, S. I., та інші
Опубліковано: (2014)

Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexandr, та інші
Опубліковано: (2022)

Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
за авторством: Kondrik, Alexander, та інші
Опубліковано: (2019)

Синтез композитного матеріалу O-g-C3N4/TiO2 рутил для фотокаталітичного застосування
за авторством: Bondarenko, M. E., та інші
Опубліковано: (2019)