Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
The authors have investigated electronic properties of n-TiO2:Mn/p-CdTe anisotype heterojunctions, produced by the method of electron-beam evaporation of TiO2:Mn film on single-crystal CdTe substrates in vacuum. The dominant mechanism of charge transport in the forward and reverse bias has been esta...
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Mostovyi, A. I., Brus, V. V., Maryanchuk, P. D., Ulyanitskii, K. S. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2013
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2013.1.45 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
-
Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
von: Kovaliuk, Taras, et al.
Veröffentlicht: (2021) -
Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
von: Yakovkin, I.N.
Veröffentlicht: (2021) -
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
von: Мостовой, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)