Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V

The paper highlights the results of quantitative studies of the influence of the content of impurities and structural defects on the electrophysical and detector properties of Cd0.9Mn0.1Te:V — resistivity and concentrations of free charge carriers, life time of nonequilibrium charge carriers τ, char...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2023
Hauptverfasser: Kondrik, Оleksandr, Solopikhin, Dmitriy
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2023
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2023.3-4.52
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Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

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