Buchumschlag

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния

Studies aimed at the creating of piezoresistive pressure sensors based on silicon whiskers, operating at high temperatures were carried out. Using the glass adhesive for strain gauges mounting on spring elements of covar alloy gave the possibility to elevate the sensor’s operating temperature range....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Druzhinin, A. A., Kutrakov, A. P., Maryamova, I. I.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:	кремний тензорезистор датчики давления высокие температуры
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.25
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Акустические датчики для дистанционного контроля давления
von: Karapetyan, G. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Универсальная система для измерения усилия-перемещения
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Датчики ускорений на базе микромеханики и микроэлектроники
von: Голуб, В.С.
Veröffentlicht: (2001)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Датчики приближения и положения на основе индуктивных балансных сенсоров
von: Негоденко, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Многофункциональный датчик давления и температуры на основе твердых растворов SiGe
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Датчик углекислого газа на основе пленки поликристаллического кремния
von: Агаев, Ф.Г.
Veröffentlicht: (2001)

Методы уменьшения температурной погрешности датчиков давления
von: Васильев, В.А.
Veröffentlicht: (2002)

Один из механизмов деградации микроэлектромеханических структур датчиков давления
von: Адарчин, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Особенности разработки датчиков давления на ПАВ для АЭС
von: Лепих, Я.И., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Silicon whisker pressure sensors for noise reduction in silencers: Датчики тиску на основі ниткоподібних кристалів кремнію для зниження шумових параметрів автоглушників
von: Druzhinin, Anatoliy, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Экспериментальные исследования датчика давления с пневмомеханическим резонатором
von: Chernyak, M. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Влияние слоя поликристаллического кремния на механизмы токопереноса в контактах «металл — p-кремний»
von: Smyntyna, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
von: Kulinich, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Минимизация погрешности интегрального преобразователя давления с разделительной мембраной
von: Babichev, G. G., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Многофункциональный датчик давления и температуры на основе твердых растворов SiGe
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Многоканальный измеритель деформации для исследования конструкционных материалов
von: Druzhinin, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)

Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
von: Krapivko, H. I.
Veröffentlicht: (2005)

Механические свойства нитевидных кристаллов HfB₂
von: Дуб, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Інформаційно-вимірювальна система на базі датчиків з тензорезисторами на основі мікрокристалів кремнію
von: Druzhinin, A. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
von: Iatsunskyi, I. R.
Veröffentlicht: (2013)

Преобразование низкочастотных флуктуаций электропроводности в датчиках с нелинейной ВАХ
von: Головко, А.Г.
Veröffentlicht: (2003)

Оптоэлектронный люминесцентный газоанализатор
von: Плавинский, Е.Б., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Интегральные микроэлектронные преобразователи для дистанционных измерений
von: Гусейнов, Я.Ю.
Veröffentlicht: (2001)

Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок
von: Клюканов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Исследование механических напряжений в эпитаксиальных датчиках Холла различной конфигурации
von: Касимов, Ф.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Планарные взаимоиндуктивные сенсоры для датчиков положения и приближения
von: Негоденко, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)