Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами

The article describes the research of the influence of electrons with an effective energy of 12 MeV in the 0,33–33 Mrad dose range on the electrical and photovoltaic properties of photodiodes with «intrinsic oxide — p-InSe» structure. It has been found that the minimum dose improves their basic para...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	Sydor, O. N., Sydor, O. A., Kovalyuk, Z. D., Dubinko, V. I.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Теми:	слоистые кристаллы селенид индия фотодиод высокоэнергетические электроны радиационные дефекты
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.29
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-412
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-4122025-09-19T16:00:47Z Characteristics of photodiodes with «intrinsic oxide — InSe» structure, irradiated with high-energy electrons Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами Sydor, O. N. Sydor, O. A. Kovalyuk, Z. D. Dubinko, V. I. layered crystals indium selenide photodiode high-energy electrons radiation defects слоистые кристаллы селенид индия фотодиод высокоэнергетические электроны, радиационные дефекты The article describes the research of the influence of electrons with an effective energy of 12 MeV in the 0,33–33 Mrad dose range on the electrical and photovoltaic properties of photodiodes with «intrinsic oxide — p-InSe» structure. It has been found that the minimum dose improves their basic parameters, while the maximum dose significantly reduces the short circuit current and devices photosensitivity. In this case, an increase in volt-watt sensitivity and a minimal increase in coupling coefficient of the I-V characteristic are observed. Исследовано влияние электронов с эффективной энергией 12 МэВ в диапазоне доз 0,33–33 Мрад на электрические и фотоэлектрические свойства фотодиодов со структурой «собственный оксид – p-InSe». Установлено, что минимальная доза облучения улучшает их основные параметры, а максимальная незначительно снижает ток короткого замыкания и фоточувствительность приборов. При этом наблюдается рост вольт-ваттной чувствительности и минимальное увеличение коэффициента неидеальности вольт-амперной характеристики. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-12-27 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.29 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 29-33 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 29-33 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.29/371 Copyright (c) 2012 Sydor O. N., Sydor О. А., Kovalyuk Z. D., Dubinko V. I. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-09-19T16:00:47Z
collection	OJS
language	Ukrainian
topic	слоистые кристаллы селенид индия фотодиод высокоэнергетические электроны радиационные дефекты
spellingShingle	слоистые кристаллы селенид индия фотодиод высокоэнергетические электроны радиационные дефекты Sydor, O. N. Sydor, O. A. Kovalyuk, Z. D. Dubinko, V. I. Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
topic_facet	layered crystals indium selenide photodiode high-energy electrons radiation defects слоистые кристаллы селенид индия фотодиод высокоэнергетические электроны радиационные дефекты
format	Article
author	Sydor, O. N. Sydor, O. A. Kovalyuk, Z. D. Dubinko, V. I.
author_facet	Sydor, O. N. Sydor, O. A. Kovalyuk, Z. D. Dubinko, V. I.
author_sort	Sydor, O. N.
title	Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
title_short	Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
title_full	Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
title_fullStr	Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
title_full_unstemmed	Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
title_sort	характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – inse», облученных высокоэнергетическими электронами
title_alt	Characteristics of photodiodes with «intrinsic oxide — InSe» structure, irradiated with high-energy electrons
description	The article describes the research of the influence of electrons with an effective energy of 12 MeV in the 0,33–33 Mrad dose range on the electrical and photovoltaic properties of photodiodes with «intrinsic oxide — p-InSe» structure. It has been found that the minimum dose improves their basic parameters, while the maximum dose significantly reduces the short circuit current and devices photosensitivity. In this case, an increase in volt-watt sensitivity and a minimal increase in coupling coefficient of the I-V characteristic are observed.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2012
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.29
work_keys_str_mv	AT sydoron characteristicsofphotodiodeswithintrinsicoxideinsestructureirradiatedwithhighenergyelectrons AT sydoroa characteristicsofphotodiodeswithintrinsicoxideinsestructureirradiatedwithhighenergyelectrons AT kovalyukzd characteristicsofphotodiodeswithintrinsicoxideinsestructureirradiatedwithhighenergyelectrons AT dubinkovi characteristicsofphotodiodeswithintrinsicoxideinsestructureirradiatedwithhighenergyelectrons AT sydoron harakteristikifotodiodovsostrukturojsobstvennyjoksidinseoblučennyhvysokoénergetičeskimiélektronami AT sydoroa harakteristikifotodiodovsostrukturojsobstvennyjoksidinseoblučennyhvysokoénergetičeskimiélektronami AT kovalyukzd harakteristikifotodiodovsostrukturojsobstvennyjoksidinseoblučennyhvysokoénergetičeskimiélektronami AT dubinkovi harakteristikifotodiodovsostrukturojsobstvennyjoksidinseoblučennyhvysokoénergetičeskimiélektronami
first_indexed	2025-09-24T17:30:53Z
last_indexed	2025-09-24T17:30:53Z
_version_	1850410250718412800

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами

Репозитарії

Схожі ресурси