Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
The article describes the research of the influence of electrons with an effective energy of 12 MeV in the 0,33–33 Mrad dose range on the electrical and photovoltaic properties of photodiodes with «intrinsic oxide — p-InSe» structure. It has been found that the minimum dose improves their basic para...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Sydor, O. N., Sydor, O. A., Kovalyuk, Z. D., Dubinko, V. I. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.29 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Подвижность дислокаций в кристаллах LiF, облученных высокоэнергетическими электронами
von: Малик, А.К., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Малик, А.К., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами
von: Маслов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Маслов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2002)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами
von: Неклюдов, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Неклюдов, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Confinement effects on decay rate of surface electron states over liquid helium
von: Sokolov, S.S., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Sokolov, S.S., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Photoresonance and conductivity of surface electrons on liquid ³He
von: Konstantinov, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Konstantinov, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Dynamical structure factor of two-dimensional electrons over a helium film
von: Patricia Cristina Venturini, et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Patricia Cristina Venturini, et al.
Veröffentlicht: (2008)
Electron attachment to atomic hydrogen on the surface of liquid ⁴He
von: Arai, T., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Arai, T., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Радиационное упрочнение облученных электронами сплавов Н36 и Н36Т2
von: Данилов, С.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Данилов, С.Е., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Изохронный отжиг сплавов Zr-Sc и Zr-Y, облученных 2 МэВ электронами
von: Борисенко, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Борисенко, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
von: Belyanin, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Belyanin, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Собственный капитал предприятия: проблемы отражения в учетной политике
von: Зинова, Ю.В.
Veröffentlicht: (2007)
von: Зинова, Ю.В.
Veröffentlicht: (2007)
Oscillation mode transformation of edge magnetoplasmons in two-dimensional electron system on liquid-helium surface
von: Yamanaka, Shuji, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Yamanaka, Shuji, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Низкочастотные аномалии эффективной массы заряженных кластеров в жидком гелии
von: Шикин, В.
Veröffentlicht: (2013)
von: Шикин, В.
Veröffentlicht: (2013)
Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
von: Perevertailo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Perevertailo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)
Формирование наноструктур оксид никеля—оксид индия методом CVD
von: Герасимчук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Герасимчук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Perevertailo, V. L.
Veröffentlicht: (2012)
von: Perevertailo, V. L.
Veröffentlicht: (2012)
Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
von: Рюхтин, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Рюхтин, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Resonant tunneling of electrons in quantum wires
von: Krive, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Krive, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Действие электрического поля на квантованные вихри в He II
von: Нацик, В.Д.
Veröffentlicht: (2007)
von: Нацик, В.Д.
Veröffentlicht: (2007)
Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре
von: Николаенко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Николаенко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Кинетика зародышеобразования при структурном ОЦК–ГПУ переходе в твердом гелии
von: Бирченко, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Бирченко, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Смешанный сценарий реконструкции заряженной поверхности гелия
von: Шикин, В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Шикин, В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Microwave-resonance-induced magnetooscillations and vanishing resistance states in multisubband two-dimensional electron systems
von: Monarkha, Yu.P.
Veröffentlicht: (2011)
von: Monarkha, Yu.P.
Veröffentlicht: (2011)
Квантовая турбулентность: коэффициент сопротивления при колебаниях погруженного в He II кварцевого камертона
von: Гриценко, И., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Гриценко, И., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Ползучесть твердого ⁴Не при температурах ниже 1 К
von: Жучков, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Жучков, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
О возможности рождения вихрей в сверхтекучих системах скрещенными однородным магнитным и неоднородным электрическим полями
von: Шевченко, С.И.
Veröffentlicht: (2013)
von: Шевченко, С.И.
Veröffentlicht: (2013)
Формирование низкочастотных гармоник на поверхности жидкого водорода и гелия в турбулентном режиме
von: Абдурахимов, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Абдурахимов, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Об электрических явлениях в электронейтральных сверхтекучих системах
von: Шевченко, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Шевченко, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
К теории явлений переноса в многокомпонентных квантовых системах
Veröffentlicht: (1996)
Veröffentlicht: (1996)
Каталитические и поверхностные свойства двойной системы оксид меди - оксид цинка
von: Бондарь, П.Г., et al.
Veröffentlicht: (1983)
von: Бондарь, П.Г., et al.
Veröffentlicht: (1983)
Ähnliche Einträge
-
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Подвижность дислокаций в кристаллах LiF, облученных высокоэнергетическими электронами
von: Малик, А.К., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами
von: Маслов, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2002)