Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
The article describes the research of the influence of electrons with an effective energy of 12 MeV in the 0,33–33 Mrad dose range on the electrical and photovoltaic properties of photodiodes with «intrinsic oxide — p-InSe» structure. It has been found that the minimum dose improves their basic para...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.29 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)
Подвижность дислокаций в кристаллах LiF, облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Малик, А.К., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Малик, А.К., та інші
Опубліковано: (2003)
Особенности радиационного повреждения кремниевых детекторов высокоэнергетическими электронами
за авторством: Маслов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Маслов, Н.И., та інші
Опубліковано: (2002)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)
Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами
за авторством: Неклюдов, И.М., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Неклюдов, И.М., та інші
Опубліковано: (2009)
Confinement effects on decay rate of surface electron states over liquid helium
за авторством: Sokolov, S.S., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Sokolov, S.S., та інші
Опубліковано: (2008)
Photoresonance and conductivity of surface electrons on liquid ³He
за авторством: Konstantinov, D., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Konstantinov, D., та інші
Опубліковано: (2008)
Dynamical structure factor of two-dimensional electrons over a helium film
за авторством: Patricia Cristina Venturini, та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Patricia Cristina Venturini, та інші
Опубліковано: (2008)
Electron attachment to atomic hydrogen on the surface of liquid ⁴He
за авторством: Arai, T., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Arai, T., та інші
Опубліковано: (2008)
Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)
Радиационное упрочнение облученных электронами сплавов Н36 и Н36Т2
за авторством: Данилов, С.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Данилов, С.Е., та інші
Опубліковано: (2005)
Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
за авторством: Belyanin, A. F., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Belyanin, A. F., та інші
Опубліковано: (2013)
Изохронный отжиг сплавов Zr-Sc и Zr-Y, облученных 2 МэВ электронами
за авторством: Борисенко, В.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Борисенко, В.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2004)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Makhniy, V. P., та інші
Опубліковано: (2016)
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)
Собственный капитал предприятия: проблемы отражения в учетной политике
за авторством: Зинова, Ю.В.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Зинова, Ю.В.
Опубліковано: (2007)
Oscillation mode transformation of edge magnetoplasmons in two-dimensional electron system on liquid-helium surface
за авторством: Yamanaka, Shuji, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Yamanaka, Shuji, та інші
Опубліковано: (2013)
Низкочастотные аномалии эффективной массы заряженных кластеров в жидком гелии
за авторством: Шикин, В.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Шикин, В.
Опубліковано: (2013)
Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
за авторством: Perevertailo, V. L., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Perevertailo, V. L., та інші
Опубліковано: (2010)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)
Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
за авторством: Рюхтин, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Рюхтин, В.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Формирование наноструктур оксид никеля—оксид индия методом CVD
за авторством: Герасимчук, А.И., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Герасимчук, А.И., та інші
Опубліковано: (2010)
Resonant tunneling of electrons in quantum wires
за авторством: Krive, I.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Krive, I.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Действие электрического поля на квантованные вихри в He II
за авторством: Нацик, В.Д.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Нацик, В.Д.
Опубліковано: (2007)
Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре
за авторством: Николаенко, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Николаенко, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Кинетика зародышеобразования при структурном ОЦК–ГПУ переходе в твердом гелии
за авторством: Бирченко, А.П., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Бирченко, А.П., та інші
Опубліковано: (2013)
Смешанный сценарий реконструкции заряженной поверхности гелия
за авторством: Шикин, В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Шикин, В., та інші
Опубліковано: (2010)
Microwave-resonance-induced magnetooscillations and vanishing resistance states in multisubband two-dimensional electron systems
за авторством: Monarkha, Yu.P.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Monarkha, Yu.P.
Опубліковано: (2011)
Квантовая турбулентность: коэффициент сопротивления при колебаниях погруженного в He II кварцевого камертона
за авторством: Гриценко, И., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Гриценко, И., та інші
Опубліковано: (2015)
Ползучесть твердого ⁴Не при температурах ниже 1 К
за авторством: Жучков, В.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Жучков, В.А., та інші
Опубліковано: (2015)
О возможности рождения вихрей в сверхтекучих системах скрещенными однородным магнитным и неоднородным электрическим полями
за авторством: Шевченко, С.И.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Шевченко, С.И.
Опубліковано: (2013)
Формирование низкочастотных гармоник на поверхности жидкого водорода и гелия в турбулентном режиме
за авторством: Абдурахимов, Л.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Абдурахимов, Л.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Об электрических явлениях в электронейтральных сверхтекучих системах
за авторством: Шевченко, С.И., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Шевченко, С.И., та інші
Опубліковано: (2010)
К теории явлений переноса в многокомпонентных квантовых системах
Опубліковано: (1996)
Опубліковано: (1996)
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2011)