Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами

• Дата: 2012
• Автори: Sydor, O. N., Sydor, O. A., Kovalyuk, Z. D., Dubinko, V. I.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
• Теми: слоистые кристаллы; селенид индия; фотодиод; высокоэнергетические электроны; радиационные дефекты
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.29
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The article describes the research of the influence of electrons with an effective energy of 12 MeV in the 0,33–33 Mrad dose range on the electrical and photovoltaic properties of photodiodes with «intrinsic oxide — p-InSe» structure. It has been found that the minimum dose improves their basic para...