Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
The influence of silicon nitride deposition condition on parameters of the obtained films has been investigated. It has been found that the deposition rate of silicon nitride films decreases with deposition temperature decreasing, and at the same time the within wafer thickness uniformity improves....
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.34 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-413 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-4132025-09-19T16:00:47Z The deposition of silicon nitride films under low pressure on wafers up to 200 mm Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм Nalivaiko, O. Yu. Turtsevich, A. S. silicon nitride deposition capacitor нитрид кремния конденсаторный диэлектрик осаждение тонких пленок The influence of silicon nitride deposition condition on parameters of the obtained films has been investigated. It has been found that the deposition rate of silicon nitride films decreases with deposition temperature decreasing, and at the same time the within wafer thickness uniformity improves. It allows performing the reproducible deposition of silicon nitride films with thickness of less than 10 nm. It has been found that in order to decrease the oxidation depth of silicon nitride, it is appropriate to carry out the oxidation under 850–900°C. The developed process of silicon nitride deposition made it possible to obtain reservoir capacitors with specific capacitance of 3,8–3,9 fF/μm2 at film thickness of 7,0 nm. Исследовано влияние режимов осаждения нитрида кремния на параметры полученных пленок. Установлено, что с уменьшением температуры осаждения скорость осаждения пленок нитрида кремния уменьшается, при этом повышается однородность толщины пленки по пластине. Это позволяет воспроизводимо осаждать пленки нитрида кремния толщиной менее 10 нм. Установлено, что с целью уменьшения глубины прокисления нитрида кремния окисление целесообразно проводить при температуре 850–900°С. Разработанный процесс осаждения нитрида кремния позволил получить накопительные конденсаторы с удельной емкостью 3,8–3,9 фФ/мкм2 при толщине пленки 7,0 нм. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-12-27 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.34 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 34-39 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 34-39 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.34/372 Copyright (c) 2012 Nalivaiko O. Yu., Turtsevich A. S. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-09-19T16:00:47Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
нитрид кремния конденсаторный диэлектрик осаждение тонких пленок |
| spellingShingle |
нитрид кремния конденсаторный диэлектрик осаждение тонких пленок Nalivaiko, O. Yu. Turtsevich, A. S. Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм |
| topic_facet |
silicon nitride deposition capacitor нитрид кремния конденсаторный диэлектрик осаждение тонких пленок |
| format |
Article |
| author |
Nalivaiko, O. Yu. Turtsevich, A. S. |
| author_facet |
Nalivaiko, O. Yu. Turtsevich, A. S. |
| author_sort |
Nalivaiko, O. Yu. |
| title |
Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм |
| title_short |
Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм |
| title_full |
Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм |
| title_fullStr |
Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм |
| title_full_unstemmed |
Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм |
| title_sort |
получение тонких пленок si3n4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм |
| title_alt |
The deposition of silicon nitride films under low pressure on wafers up to 200 mm |
| description |
The influence of silicon nitride deposition condition on parameters of the obtained films has been investigated. It has been found that the deposition rate of silicon nitride films decreases with deposition temperature decreasing, and at the same time the within wafer thickness uniformity improves. It allows performing the reproducible deposition of silicon nitride films with thickness of less than 10 nm. It has been found that in order to decrease the oxidation depth of silicon nitride, it is appropriate to carry out the oxidation under 850–900°C. The developed process of silicon nitride deposition made it possible to obtain reservoir capacitors with specific capacitance of 3,8–3,9 fF/μm2 at film thickness of 7,0 nm. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2012 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.34 |
| work_keys_str_mv |
AT nalivaikooyu thedepositionofsiliconnitridefilmsunderlowpressureonwafersupto200mm AT turtsevichas thedepositionofsiliconnitridefilmsunderlowpressureonwafersupto200mm AT nalivaikooyu polučenietonkihplenoksi3n4priponižennomdavleniinaplastinahdiametromdo200mm AT turtsevichas polučenietonkihplenoksi3n4priponižennomdavleniinaplastinahdiametromdo200mm AT nalivaikooyu depositionofsiliconnitridefilmsunderlowpressureonwafersupto200mm AT turtsevichas depositionofsiliconnitridefilmsunderlowpressureonwafersupto200mm |
| first_indexed |
2025-09-24T17:30:53Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:30:53Z |
| _version_ |
1844167367811137536 |