Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
The article presents a method of creating heterojunc¬tions based on semiconductors with different lattice types. Substrates manufactured from GaSe and InSe layered crystals were annealed in Zn vapor. This way, n-ZnSe–p-GaSe and n-ZnSe–p-InSe heterojunctions were obtained. The obtained heterojunction...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA.2012.6.40 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543850631266304 |
|---|---|
| author | Kudrynskyi, Z. R. Kovalyuk, Z. D. |
| author_facet | Kudrynskyi, Z. R. Kovalyuk, Z. D. |
| author_sort | Kudrynskyi, Z. R. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-09-19T16:00:47Z |
| description | The article presents a method of creating heterojunc¬tions based on semiconductors with different lattice types. Substrates manufactured from GaSe and InSe layered crystals were annealed in Zn vapor. This way, n-ZnSe–p-GaSe and n-ZnSe–p-InSe heterojunctions were obtained. The obtained heterojunctions are photo¬sensitive in near and infrared spectral regions. This method opens up greate possibilities of producing heterostructures with a desired sensitivity band. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:53Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-414 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-09-24T17:30:53Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-4142025-09-19T16:00:47Z Heterojunctions formed by annealing of GaSe and InSe layered crystals in zinc vapor Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка Kudrynskyi, Z. R. Kovalyuk, Z. D. layered crystals heterojunctions annealing spectral characteristics current-voltage characteristics слоистые кристаллы гетеропереходы отжиг спектральные характеристики вольт-фарадные характеристики The article presents a method of creating heterojunc¬tions based on semiconductors with different lattice types. Substrates manufactured from GaSe and InSe layered crystals were annealed in Zn vapor. This way, n-ZnSe–p-GaSe and n-ZnSe–p-InSe heterojunctions were obtained. The obtained heterojunctions are photo¬sensitive in near and infrared spectral regions. This method opens up greate possibilities of producing heterostructures with a desired sensitivity band. Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe–p-GaSe и n-ZnSe–p-InSe, фоточувствительные в ближней инфракрасной и видимой областях спектра. Способ открывает широкие возможности изготовления гетероструктур с заданной полосой чувствительности. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-12-27 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA.2012.6.40 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 40-43 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 40-43 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA.2012.6.40/373 Copyright (c) 2012 Kudrynskyi Z. R., Kovalyuk Z. D. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | слоистые кристаллы гетеропереходы отжиг спектральные характеристики вольт-фарадные характеристики Kudrynskyi, Z. R. Kovalyuk, Z. D. Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка |
| title | Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка |
| title_alt | Heterojunctions formed by annealing of GaSe and InSe layered crystals in zinc vapor |
| title_full | Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка |
| title_fullStr | Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка |
| title_full_unstemmed | Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка |
| title_short | Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка |
| title_sort | гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов gase и inse в парах цинка |
| topic | слоистые кристаллы гетеропереходы отжиг спектральные характеристики вольт-фарадные характеристики |
| topic_facet | layered crystals heterojunctions annealing spectral characteristics current-voltage characteristics слоистые кристаллы гетеропереходы отжиг спектральные характеристики вольт-фарадные характеристики |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA.2012.6.40 |
| work_keys_str_mv | AT kudrynskyizr heterojunctionsformedbyannealingofgaseandinselayeredcrystalsinzincvapor AT kovalyukzd heterojunctionsformedbyannealingofgaseandinselayeredcrystalsinzincvapor AT kudrynskyizr geteroperehodysformirovannyeotžigomsloistyhkristallovgaseiinsevparahcinka AT kovalyukzd geteroperehodysformirovannyeotžigomsloistyhkristallovgaseiinsevparahcinka |