Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка

The article presents a method of creating heterojunc¬tions based on semiconductors with different lattice types. Substrates manufactured from GaSe and InSe layered crystals were annealed in Zn vapor. This way, n-ZnSe–p-GaSe and n-ZnSe–p-InSe heterojunctions were obtained. The obtained heterojunction...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Kudrynskyi, Z. R., Kovalyuk, Z. D.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainian
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:	слоистые кристаллы гетеропереходы отжиг спектральные характеристики вольт-фарадные характеристики
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA.2012.6.40
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-414
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-4142025-09-19T16:00:47Z Heterojunctions formed by annealing of GaSe and InSe layered crystals in zinc vapor Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка Kudrynskyi, Z. R. Kovalyuk, Z. D. layered crystals heterojunctions annealing spectral characteristics current-voltage characteristics слоистые кристаллы гетеропереходы отжиг спектральные характеристики вольт-фарадные характеристики The article presents a method of creating heterojunc¬tions based on semiconductors with different lattice types. Substrates manufactured from GaSe and InSe layered crystals were annealed in Zn vapor. This way, n-ZnSe–p-GaSe and n-ZnSe–p-InSe heterojunctions were obtained. The obtained heterojunctions are photo¬sensitive in near and infrared spectral regions. This method opens up greate possibilities of producing heterostructures with a desired sensitivity band. Показан способ создания гетеропереходов из полупроводников с разным типом решетки. На подложках, изготовленных из слоистых кристаллов GaSe и InSe, отожженных в парах Zn, получены гетеропереходы n-ZnSe–p-GaSe и n-ZnSe–p-InSe, фоточувствительные в ближней инфракрасной и видимой областях спектра. Способ открывает широкие возможности изготовления гетероструктур с заданной полосой чувствительности. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-12-27 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA.2012.6.40 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 40-43 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 40-43 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA.2012.6.40/373 Copyright (c) 2012 Kudrynskyi Z. R., Kovalyuk Z. D. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-09-19T16:00:47Z
collection	OJS
language	Ukrainian
topic	слоистые кристаллы гетеропереходы отжиг спектральные характеристики вольт-фарадные характеристики
spellingShingle	слоистые кристаллы гетеропереходы отжиг спектральные характеристики вольт-фарадные характеристики Kudrynskyi, Z. R. Kovalyuk, Z. D. Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
topic_facet	layered crystals heterojunctions annealing spectral characteristics current-voltage characteristics слоистые кристаллы гетеропереходы отжиг спектральные характеристики вольт-фарадные характеристики
format	Article
author	Kudrynskyi, Z. R. Kovalyuk, Z. D.
author_facet	Kudrynskyi, Z. R. Kovalyuk, Z. D.
author_sort	Kudrynskyi, Z. R.
title	Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
title_short	Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
title_full	Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
title_fullStr	Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
title_full_unstemmed	Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
title_sort	гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов gase и inse в парах цинка
title_alt	Heterojunctions formed by annealing of GaSe and InSe layered crystals in zinc vapor
description	The article presents a method of creating heterojunc¬tions based on semiconductors with different lattice types. Substrates manufactured from GaSe and InSe layered crystals were annealed in Zn vapor. This way, n-ZnSe–p-GaSe and n-ZnSe–p-InSe heterojunctions were obtained. The obtained heterojunctions are photo¬sensitive in near and infrared spectral regions. This method opens up greate possibilities of producing heterostructures with a desired sensitivity band.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2012
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA.2012.6.40
work_keys_str_mv	AT kudrynskyizr heterojunctionsformedbyannealingofgaseandinselayeredcrystalsinzincvapor AT kovalyukzd heterojunctionsformedbyannealingofgaseandinselayeredcrystalsinzincvapor AT kudrynskyizr geteroperehodysformirovannyeotžigomsloistyhkristallovgaseiinsevparahcinka AT kovalyukzd geteroperehodysformirovannyeotžigomsloistyhkristallovgaseiinsevparahcinka
first_indexed	2025-09-24T17:30:53Z
last_indexed	2025-09-24T17:30:53Z
_version_	1850410251157766144

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка

Institution

Ähnliche Einträge