Buchumschlag

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка

The article presents a method of creating heterojunc¬tions based on semiconductors with different lattice types. Substrates manufactured from GaSe and InSe layered crystals were annealed in Zn vapor. This way, n-ZnSe–p-GaSe and n-ZnSe–p-InSe heterojunctions were obtained. The obtained heterojunction...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Kudrynskyi, Z. R., Kovalyuk, Z. D.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:	слоистые кристаллы гетеропереходы отжиг спектральные характеристики вольт-фарадные характеристики
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA.2012.6.40
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Sydor, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Вольт-амперні характеристики HPHT алмазів, вирощених при варіації складу ростових систем
von: Чаплинський, Роман, et al.
Veröffentlicht: (2023)

ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ДУГОВОЙ СОСТАВЛЯЮЩЕЙ ЛАЗЕРНО-ДУГОВОГО РАЗРЯДА
von: Бушма , А.И., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide
von: Katerynchuk, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Topology of the surface of thin oxide films CdO formed on van der Waals surfaces of InSe and GaSe layered crystals
von: Z. R. Kudrynskyi
Veröffentlicht: (2013)

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
von: V. B. Boledzyuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Photoelectric properties of In2O3-InSe heterostructure with nanostructured oxide
von: V. M. Katerynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2012)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2011)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
von: Z. D. Kovalyuk, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
von: Bercha, D.M., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
von: Zaslonkin, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe
von: Tkachuk, I.G., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
von: Starzhinskiy, N. G., et al.
Veröffentlicht: (2009)

On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2004)

The effect of the introduction of NI2+ ions on the properties of InSe layered crystals
von: V. B. Boledziuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
von: V. M. Katerynchuk, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
von: Katerynchuk, V.M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
von: V. B. Boledziuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
von: I. V. Mintianskyi, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
von: Starzhinskiy, N. G., et al.
Veröffentlicht: (2012)

The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
von: Z. D. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
von: Garkavenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Створення гетероструктури n-InSe-графіт
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)

СТВОРЕННЯ АПАРАТУРИ ДЛЯ НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНИХ ДОСЛІДЖЕНЬ ВОЛЬТ-АМПЕРНИХ ХАРАКТЕРИСТИК І ГАЛЬВАНОМАГНІТНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛІВ ТА СТРУКТУР НА ЇХНІЙ ОСНОВI В ПОЛІ ЗОВНІШНЬОГО МАГНІТА
von: ZHARKOV, I., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
von: I. V. Mintianskyi, et al.
Veröffentlicht: (2018)