Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник»
The article presents experimental results of the effect atomic hydrogen has on the Cu—Ge and Ni—Ge structures. It has been shown experimentally that the treatment of structures at room temperature is accompanied by the introduction of metal atoms with an abnormally high concentration in the surface...
Saved in:
| Date: | 2012 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.44 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-415 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-4152025-09-19T16:00:47Z Hydrogen-stimulated migration of metal atoms in «metal — semiconductor» structures Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» Matyushin, V. M. Zhavzharov, E. L. ohmic contacts heterodiffusion atomic hydrogen омические контакты гетеродиффузия атомарный водород The article presents experimental results of the effect atomic hydrogen has on the Cu—Ge and Ni—Ge structures. It has been shown experimentally that the treatment of structures at room temperature is accompanied by the introduction of metal atoms with an abnormally high concentration in the surface layers of thickness up to 1 mm. Представлены результаты исследования воздействия атомарного водорода на структуры Cu—Ge, Ni—Ge. Экспериментально показано, что обработка структур при комнатной температуре сопровождается внедрением атомов металла с аномально высокой концентрацией в приповерхностные слои толщиной до 1 мкм. Рассмотренный процесс может быть использован для создания омических контактов полупроводниковых устройств на основе структур «металл — полупроводник» с минимальным контактным сопротивлением. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-12-27 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.44 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 44-48 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 44-48 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.44/374 Copyright (c) 2012 Matyushin V. M., Zhavzharov E. L. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-09-19T16:00:47Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
омические контакты гетеродиффузия атомарный водород |
| spellingShingle |
омические контакты гетеродиффузия атомарный водород Matyushin, V. M. Zhavzharov, E. L. Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» |
| topic_facet |
ohmic contacts heterodiffusion atomic hydrogen омические контакты гетеродиффузия атомарный водород |
| format |
Article |
| author |
Matyushin, V. M. Zhavzharov, E. L. |
| author_facet |
Matyushin, V. M. Zhavzharov, E. L. |
| author_sort |
Matyushin, V. M. |
| title |
Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» |
| title_short |
Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» |
| title_full |
Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» |
| title_fullStr |
Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» |
| title_full_unstemmed |
Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» |
| title_sort |
стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах «металл — полупроводник» |
| title_alt |
Hydrogen-stimulated migration of metal atoms in «metal — semiconductor» structures |
| description |
The article presents experimental results of the effect atomic hydrogen has on the Cu—Ge and Ni—Ge structures. It has been shown experimentally that the treatment of structures at room temperature is accompanied by the introduction of metal atoms with an abnormally high concentration in the surface layers of thickness up to 1 mm. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2012 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.6.44 |
| work_keys_str_mv |
AT matyushinvm hydrogenstimulatedmigrationofmetalatomsinmetalsemiconductorstructures AT zhavzharovel hydrogenstimulatedmigrationofmetalatomsinmetalsemiconductorstructures AT matyushinvm stimuliruemaâvodorodommigraciâatomovmetallovvstrukturahmetallpoluprovodnik AT zhavzharovel stimuliruemaâvodorodommigraciâatomovmetallovvstrukturahmetallpoluprovodnik |
| first_indexed |
2025-09-24T17:30:54Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:30:54Z |
| _version_ |
1850410251361189888 |