Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
Experimental studies of Schottky diodes with molybdenum barrier structure showed that resistance of the structures to electrostatic discharge depends on the design parameters, as well as on guard ring diffusion depth. It has been proven that to improve the reliability of Schottky diodes one should u...
Saved in:
| Date: | 2012 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.22 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-421 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-4212025-09-19T16:00:28Z Improving the reliability of Schottky diodes under the influence of electrostatic discharges Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества Sоlоdukha, V. A. Turtsevich, A. S. Solov’yov, J. A. Rubtsevich, I. I. Kerentsev, A. F. Schottky diode potential barrier electrostatic discharge диод Шоттки потенциальный барьер разряд статического электричества Experimental studies of Schottky diodes with molybdenum barrier structure showed that resistance of the structures to electrostatic discharge depends on the design parameters, as well as on guard ring diffusion depth. It has been proven that to improve the reliability of Schottky diodes one should use the structures with distributed guard ring containing p-type cell matrix. This reduces the electric field strength in critical areas of the active structure due to potential balancing along the guard ring and the diode area perimeter. Исследования диодов Шоттки с барьерной структурой на основе молибденовой пленки показали, что устойчивость структур к разрядам статического электричества зависит от параметров конструкции, а также от глубины охранного кольца. Установлено, что для повышения надежности диодов Шоттки необходимо использовать структуры с распределенным охранным кольцом, которое представляет собой матрицу ячеек р-типа. Это позволяет снизить напряженность электрического поля в критических зонах активной структуры за счет выравнивания потенциала по периметру охранного кольца и площади диода. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-10-23 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.22 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 22-26 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 22-26 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.22/380 Copyright (c) 2012 Sоlоdukha V. A., Turtsevich A. S., Solov’yov J. A., Rubtsevich I. I., Kerentsev A. F. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-09-19T16:00:28Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
диод Шоттки потенциальный барьер разряд статического электричества |
| spellingShingle |
диод Шоттки потенциальный барьер разряд статического электричества Sоlоdukha, V. A. Turtsevich, A. S. Solov’yov, J. A. Rubtsevich, I. I. Kerentsev, A. F. Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества |
| topic_facet |
Schottky diode potential barrier electrostatic discharge диод Шоттки потенциальный барьер разряд статического электричества |
| format |
Article |
| author |
Sоlоdukha, V. A. Turtsevich, A. S. Solov’yov, J. A. Rubtsevich, I. I. Kerentsev, A. F. |
| author_facet |
Sоlоdukha, V. A. Turtsevich, A. S. Solov’yov, J. A. Rubtsevich, I. I. Kerentsev, A. F. |
| author_sort |
Sоlоdukha, V. A. |
| title |
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества |
| title_short |
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества |
| title_full |
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества |
| title_fullStr |
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества |
| title_full_unstemmed |
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества |
| title_sort |
повышение надежности диодов шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества |
| title_alt |
Improving the reliability of Schottky diodes under the influence of electrostatic discharges |
| description |
Experimental studies of Schottky diodes with molybdenum barrier structure showed that resistance of the structures to electrostatic discharge depends on the design parameters, as well as on guard ring diffusion depth. It has been proven that to improve the reliability of Schottky diodes one should use the structures with distributed guard ring containing p-type cell matrix. This reduces the electric field strength in critical areas of the active structure due to potential balancing along the guard ring and the diode area perimeter. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2012 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.22 |
| work_keys_str_mv |
AT solodukhava improvingthereliabilityofschottkydiodesundertheinfluenceofelectrostaticdischarges AT turtsevichas improvingthereliabilityofschottkydiodesundertheinfluenceofelectrostaticdischarges AT solovyovja improvingthereliabilityofschottkydiodesundertheinfluenceofelectrostaticdischarges AT rubtsevichii improvingthereliabilityofschottkydiodesundertheinfluenceofelectrostaticdischarges AT kerentsevaf improvingthereliabilityofschottkydiodesundertheinfluenceofelectrostaticdischarges AT solodukhava povyšenienadežnostidiodovšottkiprivozdejstviirazrâdovctatičeskogoélektričestva AT turtsevichas povyšenienadežnostidiodovšottkiprivozdejstviirazrâdovctatičeskogoélektričestva AT solovyovja povyšenienadežnostidiodovšottkiprivozdejstviirazrâdovctatičeskogoélektričestva AT rubtsevichii povyšenienadežnostidiodovšottkiprivozdejstviirazrâdovctatičeskogoélektričestva AT kerentsevaf povyšenienadežnostidiodovšottkiprivozdejstviirazrâdovctatičeskogoélektričestva |
| first_indexed |
2025-09-24T17:30:54Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:30:54Z |
| _version_ |
1850410252557615104 |