Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
Experimental studies of Schottky diodes with molybdenum barrier structure showed that resistance of the structures to electrostatic discharge depends on the design parameters, as well as on guard ring diffusion depth. It has been proven that to improve the reliability of Schottky diodes one should u...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.22 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Солодуха, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Солодуха, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
за авторством: Mirsagatov, Sh. A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Mirsagatov, Sh. A., та інші
Опубліковано: (2018)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Baranov, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
за авторством: Anufriev, L. P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Anufriev, L. P., та інші
Опубліковано: (2005)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2016)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2005)
МОДЕЛИРОВАНИЕ СТАТИЧЕСКОГО ГЕОМАГНИТНОГО ПОЛЯ ВНУТРИ ПОМЕЩЕНИЙ СОВРЕМЕННЫХ ЖИЛЫХ ДОМОВ
за авторством: Розов , В.Ю., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Розов , В.Ю., та інші
Опубліковано: (2014)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Fedorovich, O. A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Fedorovich, O. A., та інші
Опубліковано: (2009)
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2012)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Altukhov, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
за авторством: Perevertailo, V. L., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Perevertailo, V. L., та інші
Опубліковано: (2010)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2009)
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
за авторством: Rubtsevich, I. I., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Rubtsevich, I. I., та інші
Опубліковано: (2011)
Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
Моделювання комбінованого діода Шоттки
за авторством: Кісельов, Є.М.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Кісельов, Є.М.
Опубліковано: (2013)
Ретроспектива исследований в области искусственного и атмосферного электричества и молниезащиты технических объектов
за авторством: Баранов, М.И.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Баранов, М.И.
Опубліковано: (2006)
Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2010)
Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2012)
Теплотехнические характеристики радиатора для эффективных систем охлаждения радиоэлектронной техники
за авторством: Rudenko, A. I., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Rudenko, A. I., та інші
Опубліковано: (2011)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки – Мотта
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Анализ энергетических и магнитных процессов в дросселях импульсных преобразователей электрической энергии
за авторством: Kadatsky, A. F., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Kadatsky, A. F., та інші
Опубліковано: (2016)
Модель линии передачи для наноэлектроники
за авторством: Nelin, E. A.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Nelin, E. A.
Опубліковано: (2009)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Латеральная фотоЭДС в неоднородном контакте Шоттки
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2011)
Surface mounting of unpackaged power MOSFET
за авторством: D. L. Anufriev, та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: D. L. Anufriev, та інші
Опубліковано: (2006)
Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов
за авторством: Anufriev, D. L., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Anufriev, D. L., та інші
Опубліковано: (2006)
Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
за авторством: Баранов, В.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Баранов, В.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Тонкопленочные детекторные CdTe-структуры с барьером Шоттки
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Мирсагатов, Ш.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Шаровая молния – мощный природный молекулярный накопитель атмосферного электричества. Новая гипотеза происхождения и теория электрофизического феномена
за авторством: Баранов, М.И.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Баранов, М.И.
Опубліковано: (2008)
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2005)
Математические модели формирования химической связи твердых растворов CdSb–ZnSb
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ashcheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2009)