Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
Photovoltaic effect in isotype heterotructure formed by nanocrystalline silicon carbide films on single crystal n-Si substrates (n-SiC/n-Si heterojunction) was studied. The films were produced by direct ionic deposition method. The model that takes into account the quantum wells and potential barrie...
Saved in:
| Date: | 2012 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.27 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-422 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-4222025-09-19T16:00:28Z Photoelectric properties of n-SiC/n-Si heterojunctions Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si Semenov, A. V. Kozlovskii, А. А. Puzikov, V. M. silicon carbide photovoltaic effect heterojunction карбид кремния фотовольтаический эффект гетеропереход Photovoltaic effect in isotype heterotructure formed by nanocrystalline silicon carbide films on single crystal n-Si substrates (n-SiC/n-Si heterojunction) was studied. The films were produced by direct ionic deposition method. The model that takes into account the quantum wells and potential barriers caused by band offsets was proposed to explain the current-voltage characteristics and photovoltaic properties of the heterostructure n-SiC/n-Si. Исследован фотовольтаический эффект в изотипной гетероструктуре, образованной пленками нанокристаллического карбида кремния, осажденными на монокристаллические подложки из n-Si (гетеропереход n-SiC/n-Si). Пленки получали методом прямого ионного осаждения. Для объяснения особенностей вольт-амперных и фотоэлектрических характеристик гетероструктуры n-SiC/n-Si предложена модель, учитывающая присутствие в контактной области квантовых ям и потенциальных барьеров, обусловленных разрывами зон. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-10-23 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.27 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 27-30 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 27-30 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.27/381 Copyright (c) 2012 Semenov A. V., Kozlovskii A. A., Puzikov V. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-09-19T16:00:28Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
карбид кремния фотовольтаический эффект гетеропереход |
| spellingShingle |
карбид кремния фотовольтаический эффект гетеропереход Semenov, A. V. Kozlovskii, А. А. Puzikov, V. M. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si |
| topic_facet |
silicon carbide photovoltaic effect heterojunction карбид кремния фотовольтаический эффект гетеропереход |
| format |
Article |
| author |
Semenov, A. V. Kozlovskii, А. А. Puzikov, V. M. |
| author_facet |
Semenov, A. V. Kozlovskii, А. А. Puzikov, V. M. |
| author_sort |
Semenov, A. V. |
| title |
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si |
| title_short |
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si |
| title_full |
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si |
| title_fullStr |
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si |
| title_full_unstemmed |
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si |
| title_sort |
фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-sic/n-si |
| title_alt |
Photoelectric properties of n-SiC/n-Si heterojunctions |
| description |
Photovoltaic effect in isotype heterotructure formed by nanocrystalline silicon carbide films on single crystal n-Si substrates (n-SiC/n-Si heterojunction) was studied. The films were produced by direct ionic deposition method. The model that takes into account the quantum wells and potential barriers caused by band offsets was proposed to explain the current-voltage characteristics and photovoltaic properties of the heterostructure n-SiC/n-Si. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2012 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.27 |
| work_keys_str_mv |
AT semenovav photoelectricpropertiesofnsicnsiheterojunctions AT kozlovskiiaa photoelectricpropertiesofnsicnsiheterojunctions AT puzikovvm photoelectricpropertiesofnsicnsiheterojunctions AT semenovav fotoélektričeskiesvojstvageteroperehodovnsicnsi AT kozlovskiiaa fotoélektričeskiesvojstvageteroperehodovnsicnsi AT puzikovvm fotoélektričeskiesvojstvageteroperehodovnsicnsi |
| first_indexed |
2025-09-24T17:30:54Z |
| last_indexed |
2025-09-24T17:30:54Z |
| _version_ |
1850410252674007040 |