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Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si

Photovoltaic effect in isotype heterotructure formed by nanocrystalline silicon carbide films on single crystal n-Si substrates (n-SiC/n-Si heterojunction) was studied. The films were produced by direct ionic deposition method. The model that takes into account the quantum wells and potential barrie...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Semenov, A. V., Kozlovskii, А. А., Puzikov, V. M.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:	карбид кремния фотовольтаический эффект гетеропереход
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.27
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Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

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Technology and design in electronic equipment

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