Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si

Photovoltaic effect in isotype heterotructure formed by nanocrystalline silicon carbide films on single crystal n-Si substrates (n-SiC/n-Si heterojunction) was studied. The films were produced by direct ionic deposition method. The model that takes into account the quantum wells and potential barrie...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2012
Автори:	Semenov, A. V., Kozlovskii, А. А., Puzikov, V. M.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Теми:	карбид кремния фотовольтаический эффект гетеропереход
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.27
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)

Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
за авторством: Chasnyk, V. I., та інші
Опубліковано: (2014)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)

Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)

Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)

The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)

Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2012)

Механические и теплофизические свойства композита АlN – SiC
за авторством: Фесенко, И.П.
Опубліковано: (2006)

Вплив розміру включень SiC у структурі AlN–SiC на електрофізичні властивості композиту
за авторством: Сербенюк, Т.Б., та інші
Опубліковано: (2016)

Ion plasma deposition and optical properties of SiC films
за авторством: Semenov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Structure and phase composition of ZrB2-SiC-AlN plasma coatings on the surfae of C/C-SiC composite materials
за авторством: Ju. S. Borisov, та інші
Опубліковано: (2019)

Теплопроводность керамики AlN–SiC, полученной свободным спеканием
за авторством: Прихна, Т.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)

Study of postimplantation annealing of SiC
за авторством: Avramenko, S.F., та інші
Опубліковано: (2001)

Investigation of the effect of SiC content on the microstructure, physical properties and hardness of SiC/Ni composites
за авторством: Hanan M. Makled, та інші
Опубліковано: (2019)

Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of macrostructure on the thermoelectric properties of biomorphous SiC/Si ceramics
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)

Effect of Si Infiltration Method on the Biomorphous SiC Microstructure Properties
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)

Atomic and electronic structure of a-SiC
за авторством: Ivashchenko, V.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2012)

Biomorphic SiC from peas and beans
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2012)

Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: V. S. Kiselov, та інші
Опубліковано: (2011)

Simple method for SiC nanowires fabrication
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2011)

Закономірності формування структури керамічних матеріалів на основі AlN–SiC
за авторством: Пріхна, Т.О., та інші
Опубліковано: (2015)

Photoelectric memory in 6H-SiC
за авторством: Duisenbaev, M.
Опубліковано: (2004)

Effect of the charge state of traps on the transport current in the SiC/Si heterostructure
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2000)

Автоэмиссионные свойства острийных катодов на основе пленок графена на SiC
за авторством: Конакова, Р.В., та інші
Опубліковано: (2016)

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2018)

Kirchhoff and electron curvature indexes for SiC nanoclusters
за авторством: Luzanov, A.V.
Опубліковано: (2017)

Перспективы использования SiC/SiC-композитов в термоядерных реакторах (по анализу Международных Баз Данных INIS, MSCI, INSPEC)
за авторством: Войценя, В.С., та інші
Опубліковано: (2007)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe
за авторством: Мостовой, А.И., та інші
Опубліковано: (2013)

Mechanism of 6H-3C transformation in SiC
за авторством: Vlaskina, S.I.
Опубліковано: (2002)

Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism
за авторством: Y. O. Suchikova, та інші
Опубліковано: (2022)

Microwave energy attenuators of high thermal conductivity based on AlN and SiC with addition of molybdenum
за авторством: V. I. Chasnyk, та інші
Опубліковано: (2014)

Частичная квазибинарная эвтектика в системе B₄C−SiC
за авторством: Закарян, Д.А.
Опубліковано: (2015)

Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2002)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012)

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
за авторством: Alieva, Kh. S., та інші
Опубліковано: (2010)