Buchumschlag

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников

The article presents the study on spectral, capacitance-voltage and current-voltage characteristics of surface-barrier structures based on A2B6 composition with different carrier concentration profiles in space-charge region sensitive to ultraviolet range and perspective for ultraviolet sen...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Bobrenko, Yu. N., Komaschenko, V. N., Yaroshenko, N. V., Sheremetova, G. I., Atdaev, B. S.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:	поверхностно-барьерные структуры соединения A2B6 УФ-фотоприемник спектральные характеристики ВФХ ВАХ
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.35
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
von: Doktorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Методика калибровки УФ-радиометров энергетической освещенности
von: Doctorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Cравнительные характеристики оптронов с открытым оптическим каналом
von: Shvets, O. H., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2009)

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
von: Tsybrii, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
von: Perevertailo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Воїнське поховання рубежу ер на Сеймі
von: Терпиловський, Р.В, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Тілоспалення знатного воїна рубежу ер на Сеймі
von: Терпиловський, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Совещание «Двухканальные фотоэлектрические астрофотометры»
von: Пугач, А.Ф.
Veröffentlicht: (1985)

Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения
von: Колежук, К.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Методика определения динамического диапазона полупроводниковых фотоприемников
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Фотоэлектрические цифровые преобразователи перемещений пространственного кодирования
von: Габидулин, М.А.
Veröffentlicht: (2008)

До 90-річчя Б.А. Шрамка
von: Буйнов, Ю.В.
Veröffentlicht: (2010)

Функциональные возможности фотоприемников на основе низкоомных полупроводниковых пленок
von: Клюканов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
von: Кирилаш, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Фотоэлектрические цифровые преобразователи перемещений шкально-матричного кодирования
von: Габидулин, М.А.
Veröffentlicht: (2009)

ВПЛИВ УЛЬТАФІОЛЕТОВОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ЖИТТЄЗДАТНІСТЬ ВЕГЕТАТИВНИХ КЛІТИН І ЦИСТ AZOTOBACTER CHROOCOCCUM 2.1
von: Білоконська, О.М.
Veröffentlicht: (2018)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики трехбарьерной фотодиодной GaAs-структуры
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2000)

Востоковедческая деятельность Б.А. Дорна в Харьковском университете
von: Чувпило, Л.А.
Veröffentlicht: (2005)

Опыт применения ПЗС-фотоприемников в Астрономической обсерватории Харьковского национального университета
von: Корохин, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Инвариантность текущего энергетического Фурье-спектра действительных дискретных сигналов на конечных интервалах
von: Ponomarev, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Кірієвський Б.А. До 70-річчя від дня народження
Veröffentlicht: (2010)

Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Переходные фотоэлектрические процессы в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковыми электродами
von: Хайдаров, З., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Е.Р. фон Штерн — дослідник античної археології Північного Причорномор’я (кін. XIX — поч. XX ст.)
von: Кузьміщев, О.Г.
Veröffentlicht: (2015)

Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
von: Джафарова, Э.А.
Veröffentlicht: (2006)

Напряженное состояние и фильтрационная проницаемость барьерных целиков вблизи изолированного пожарного участка
von: Круковский, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)