Технология создания легированных бором слоев на алмазе

The authors investigated natural type IIa diamond crystals and CVD diamond films. The article presents electrophysical parameters of the structures obtained in different modes of ion implantation of boron into the crystal with further annealing. Parameters of the crystals with a high nitrogen impuri...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Zyablyuk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V., Duhnovskii, M. P., Khmel’nitskii, R. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainian
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:	алмаз легирование бором ионная имплантация СВЧ-транзистор
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.39
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-425
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-4252025-09-19T16:00:28Z Technology for boron-doped layers formation on the diamond Технология создания легированных бором слоев на алмазе Zyablyuk, K. N. Mityagin, A. Yu. Talipov, N. H. Chucheva, G. V. Duhnovskii, M. P. Khmel’nitskii, R. A. diamond boron doping ion implantation microwave transistor алмаз легирование бором ионная имплантация СВЧ-транзистор The authors investigated natural type IIa diamond crystals and CVD diamond films. The article presents electrophysical parameters of the structures obtained in different modes of ion implantation of boron into the crystal with further annealing. Parameters of the crystals with a high nitrogen impurity density indicate that they can be used for the manufacture of microwave field-effect transistors operating at room temperature. CVD diamond films doped with boron during the growth process also have the required for MOSFET manufacture carrier mobility. However, due to the high activation energy of boron, the required channel conductivity is achieved at high operating temperatures. Исследовались природные кристаллы алмаза типа IIa и CVD алмазные пленки. Представлены электрофизические параметры структур, полученных при различных режимах ионной имплантации бора в кристалл и последующего отжига. Параметры кристаллов с высокой концентрацией примесного азота указывают на то, что их можно использовать для изготовления СВЧ полевых транзисторов, работающих при комнатной температуре. Алмазные CVD-пленки, легированные бором в процессе роста, также обладают требуемой для изготовления полевых транзисторов подвижностью носителей заряда, однако, вследствие высокой энергии активации бора, требуемая проводимость канала достигается при высокой рабочей температуре. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-10-23 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.39 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 39-43 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 39-43 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.39/384 Copyright (c) 2012 Zyablyuk K. N., Mityagin A. Yu., Talipov N. H., Chucheva G. V., Duhnovskii M. P., Khmel’nitskii R. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-09-19T16:00:28Z
collection	OJS
language	Ukrainian
topic	алмаз легирование бором ионная имплантация СВЧ-транзистор
spellingShingle	алмаз легирование бором ионная имплантация СВЧ-транзистор Zyablyuk, K. N. Mityagin, A. Yu. Talipov, N. H. Chucheva, G. V. Duhnovskii, M. P. Khmel’nitskii, R. A. Технология создания легированных бором слоев на алмазе
topic_facet	diamond boron doping ion implantation microwave transistor алмаз легирование бором ионная имплантация СВЧ-транзистор
format	Article
author	Zyablyuk, K. N. Mityagin, A. Yu. Talipov, N. H. Chucheva, G. V. Duhnovskii, M. P. Khmel’nitskii, R. A.
author_facet	Zyablyuk, K. N. Mityagin, A. Yu. Talipov, N. H. Chucheva, G. V. Duhnovskii, M. P. Khmel’nitskii, R. A.
author_sort	Zyablyuk, K. N.
title	Технология создания легированных бором слоев на алмазе
title_short	Технология создания легированных бором слоев на алмазе
title_full	Технология создания легированных бором слоев на алмазе
title_fullStr	Технология создания легированных бором слоев на алмазе
title_full_unstemmed	Технология создания легированных бором слоев на алмазе
title_sort	технология создания легированных бором слоев на алмазе
title_alt	Technology for boron-doped layers formation on the diamond
description	The authors investigated natural type IIa diamond crystals and CVD diamond films. The article presents electrophysical parameters of the structures obtained in different modes of ion implantation of boron into the crystal with further annealing. Parameters of the crystals with a high nitrogen impurity density indicate that they can be used for the manufacture of microwave field-effect transistors operating at room temperature. CVD diamond films doped with boron during the growth process also have the required for MOSFET manufacture carrier mobility. However, due to the high activation energy of boron, the required channel conductivity is achieved at high operating temperatures.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2012
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.39
work_keys_str_mv	AT zyablyukkn technologyforborondopedlayersformationonthediamond AT mityaginayu technologyforborondopedlayersformationonthediamond AT talipovnh technologyforborondopedlayersformationonthediamond AT chuchevagv technologyforborondopedlayersformationonthediamond AT duhnovskiimp technologyforborondopedlayersformationonthediamond AT khmelnitskiira technologyforborondopedlayersformationonthediamond AT zyablyukkn tehnologiâsozdaniâlegirovannyhboromsloevnaalmaze AT mityaginayu tehnologiâsozdaniâlegirovannyhboromsloevnaalmaze AT talipovnh tehnologiâsozdaniâlegirovannyhboromsloevnaalmaze AT chuchevagv tehnologiâsozdaniâlegirovannyhboromsloevnaalmaze AT duhnovskiimp tehnologiâsozdaniâlegirovannyhboromsloevnaalmaze AT khmelnitskiira tehnologiâsozdaniâlegirovannyhboromsloevnaalmaze
first_indexed	2025-09-24T17:30:55Z
last_indexed	2025-09-24T17:30:55Z
_version_	1844167369207840768

Технология создания легированных бором слоев на алмазе

Institution

Ähnliche Einträge