Технология создания легированных бором слоев на алмазе

Технология создания легированных бором слоев на алмазе

The authors investigated natural type IIa diamond crystals and CVD diamond films. The article presents electrophysical parameters of the structures obtained in different modes of ion implantation of boron into the crystal with further annealing. Parameters of the crystals with a high nitrogen impuri...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2012
Hauptverfasser: Zyablyuk, K. N., Mityagin, A. Yu., Talipov, N. H., Chucheva, G. V., Duhnovskii, M. P., Khmel’nitskii, R. A.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:
алмаз
легирование бором
ионная имплантация
СВЧ-транзистор
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.39
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Online

https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.39

Ähnliche Einträge