Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром

Differential distribution profiles of the thermal «junction-to-case» resistance of KP723G transistors in accordance with the attachment of the crystals into the package have been investigated. Spectra of thermal resistances were calculated from the analysis of the temporal dependence of the dynamic...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: Turtsevich, A. S., Rubtsevich, I. I., Solov’yov, Ya. А., Vas’kov, O. S., Kononenko, V. K., Niss, V. S., Kerentsev, A. F.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.44
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-426
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-4262025-09-19T16:00:28Z The investigation of quality of power-transistor crystals soldering by a transient impedance-spectrometer Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром Turtsevich, A. S. Rubtsevich, I. I. Solov’yov, Ya. А. Vas’kov, O. S. Kononenko, V. K. Niss, V. S. Kerentsev, A. F. transistor thermal resistance transient impedance-spectrometer crystal attachment транзистор тепловое сопротивление релаксационный импеданс-спектрометр посадка кристалла Differential distribution profiles of the thermal «junction-to-case» resistance of KP723G transistors in accordance with the attachment of the crystals into the package have been investigated. Spectra of thermal resistances were calculated from the analysis of the temporal dependence of the dynamic thermal impedance obtained by a new non-destructive method of differential spectroscopy. The dependence of internal thermal resistance of transistor structure components on the thermal relaxation time constant is presented. Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления «переход — корпус» транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа временной зависимости динамического теплового импеданса, полученной новым неразрушающим методом дифференциальной спектроскопии. Представлена зависимость внутреннего теплового сопротивления компонентов транзисторной структуры от постоянной времени тепловой релаксации. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-10-23 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.44 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 44-47 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 44-47 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.44/385 Copyright (c) 2012 Turtsevich А. S., Rubtsevich I. I., Solov’yov Ya. А., Vas’kov O. S., Kononenko V. К., Niss V. S., Kerentsev А. F. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-09-19T16:00:28Z
collection OJS
language Ukrainian
topic транзистор
тепловое сопротивление
релаксационный импеданс-спектрометр
посадка кристалла
spellingShingle транзистор
тепловое сопротивление
релаксационный импеданс-спектрометр
посадка кристалла
Turtsevich, A. S.
Rubtsevich, I. I.
Solov’yov, Ya. А.
Vas’kov, O. S.
Kononenko, V. K.
Niss, V. S.
Kerentsev, A. F.
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
topic_facet transistor
thermal resistance
transient impedance-spectrometer
crystal attachment
транзистор
тепловое сопротивление
релаксационный импеданс-спектрометр
посадка кристалла
format Article
author Turtsevich, A. S.
Rubtsevich, I. I.
Solov’yov, Ya. А.
Vas’kov, O. S.
Kononenko, V. K.
Niss, V. S.
Kerentsev, A. F.
author_facet Turtsevich, A. S.
Rubtsevich, I. I.
Solov’yov, Ya. А.
Vas’kov, O. S.
Kononenko, V. K.
Niss, V. S.
Kerentsev, A. F.
author_sort Turtsevich, A. S.
title Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
title_short Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
title_full Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
title_fullStr Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
title_full_unstemmed Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
title_sort исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
title_alt The investigation of quality of power-transistor crystals soldering by a transient impedance-spectrometer
description Differential distribution profiles of the thermal «junction-to-case» resistance of KP723G transistors in accordance with the attachment of the crystals into the package have been investigated. Spectra of thermal resistances were calculated from the analysis of the temporal dependence of the dynamic thermal impedance obtained by a new non-destructive method of differential spectroscopy. The dependence of internal thermal resistance of transistor structure components on the thermal relaxation time constant is presented.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2012
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.44
work_keys_str_mv AT turtsevichas theinvestigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer
AT rubtsevichii theinvestigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer
AT solovyovyaa theinvestigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer
AT vaskovos theinvestigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer
AT kononenkovk theinvestigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer
AT nissvs theinvestigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer
AT kerentsevaf theinvestigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer
AT turtsevichas issledovaniekačestvapajkikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom
AT rubtsevichii issledovaniekačestvapajkikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom
AT solovyovyaa issledovaniekačestvapajkikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom
AT vaskovos issledovaniekačestvapajkikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom
AT kononenkovk issledovaniekačestvapajkikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom
AT nissvs issledovaniekačestvapajkikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom
AT kerentsevaf issledovaniekačestvapajkikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom
AT turtsevichas investigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer
AT rubtsevichii investigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer
AT solovyovyaa investigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer
AT vaskovos investigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer
AT kononenkovk investigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer
AT nissvs investigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer
AT kerentsevaf investigationofqualityofpowertransistorcrystalssolderingbyatransientimpedancespectrometer
first_indexed 2025-09-24T17:30:55Z
last_indexed 2025-09-24T17:30:55Z
_version_ 1850410253207732224