Buchumschlag

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем

A liquid phase epitaxy diffusion model of a two-layer system at instable cooling speed of the solution-melt has been developed. It was discovered that the transition process continues even after the termination of cooling, due to which the layer growth continues as well. This effect is connected wit...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Dranchuk, S. M., Zavadzkii, V. A., Mokritskii, V. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:	эпитаксия массоперенос диффузия раствор-расплав подложка режим слои температура
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.48
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Krukovskyi, S. I.
Veröffentlicht: (2002)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
von: Voronin, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
von: Hladkovskiy, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)

DIVERSITY AND VARIABILITY OF THE CОРЕРОD BEHAVIOUR IN ENVIRONMENTAL GRADIENTS: AN OVERVIEW
von: Seregin, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Тепловой режим радиоэлектронного блока с изотермической подложкой и регулируемой температурой
von: Baturkin, V. M.
Veröffentlicht: (2004)

Моделирование процессов тепломассопереноса при жидкофазной эпитаксии соединений А³В⁵ методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Конструкторско-технологические варианты коммутационных плат с подложкой из кремния
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2005)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
von: Shangereeva, B. A.
Veröffentlicht: (2008)

Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития
von: Struhljak, N. Ja., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Rakhmatov, A. Z., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Импедансный анализатор для идентификации марок водно-спиртовых напитков
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Прогнозирование содержания углерода в полупродукте на выпуске из большегрузных 350-т конвертеров с применением непараметрической статистики
von: Бондарь, В. И., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Поведение фосфора при жидкофазной восстановительной плавке
von: Костяков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Использование метода импедансной спектроскопии для анализа бензанольного топлива
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Энергоемкость процесса жидкофазной восстановительной плавки
von: Костяков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
von: Katrunov, K. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Поведение ванадия при жидкофазной плавке ванадийсодержащего концентрата
von: Костяков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Использование элементов искусственного интеллекта при исследовании физико-химических процессов производства конвертерной стали
von: Бондарь, В. И., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Об обнаружении пустот на границе контакта двухслойных систем
von: Сергиенко, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Массоперенос при электрохимическом восстановлении палладия (ІІ) из глицинатного электролита
von: Никитенко, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Перспективы развития тонкопленочных микросборок
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2005)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
von: Tkachuk, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние кремниевой подложки на пробивное напряжение разветвленного n++–p+-перехода
von: Sidorenko, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
von: Krukovsky, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)