Buchumschlag

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем

A liquid phase epitaxy diffusion model of a two-layer system at instable cooling speed of the solution-melt has been developed. It was discovered that the transition process continues even after the termination of cooling, due to which the layer growth continues as well. This effect is connected wit...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Dranchuk, S. M., Zavadzkii, V. A., Mokritskii, V. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:	эпитаксия массоперенос диффузия раствор-расплав подложка режим слои температура
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.48
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)

Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
von: Hladkovskiy, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

DIVERSITY AND VARIABILITY OF THE CОРЕРОD BEHAVIOUR IN ENVIRONMENTAL GRADIENTS: AN OVERVIEW
von: Seregin, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Моделирование процессов тепломассопереноса при жидкофазной эпитаксии соединений А³В⁵ методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
von: Shangereeva, B. A.
Veröffentlicht: (2008)

Прогнозирование содержания углерода в полупродукте на выпуске из большегрузных 350-т конвертеров с применением непараметрической статистики
von: Бондарь, В. И., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Импедансный анализатор для идентификации марок водно-спиртовых напитков
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Rakhmatov, A. Z., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Поведение ванадия при жидкофазной плавке ванадийсодержащего концентрата
von: Костяков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Использование элементов искусственного интеллекта при исследовании физико-химических процессов производства конвертерной стали
von: Бондарь, В. И., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Об обнаружении пустот на границе контакта двухслойных систем
von: Сергиенко, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Энергоемкость процесса жидкофазной восстановительной плавки
von: Костяков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Влияние подвижности краевых дислокаций на массоперенос в ГЦК-кристалле
von: Кропачёв, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Формирование двухслойных металлополимер-полимерных покрытий
von: Ульберг 3, .Р., et al.
Veröffentlicht: (1983)

Использование метода импедансной спектроскопии для анализа бензанольного топлива
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
von: Katrunov, K. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Особенности восстановления металлов углеродом из оксидных материалов при жидкофазной восстановительной плавке
von: Костяков, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Погрешности при измерении характеристик рентгеновских установок
von: Dushkin, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Выбор предпочтительных слоев для проводников при трассировке многослойных печатных плат
von: Petrosjan, G. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Повышение эффективности модифицирования силуминов путем жидкофазной электрогидроимпульсной обработки
von: Цуркин, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Моделирование процесса охлаждения двухслойных гофрированных полимерных труб
von: Вознюк, В.Т., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Некоторые характеристики экспериментальных двухслойных уран-гадолиниевых таблеток
von: Одейчук, Н.П., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Массоперенос в гетерогенной системе диметилхлорси-ланаэросил—диполярный растворитель—водный раствор легкогидролизуемых катионов
von: Чеботарев, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Низкотемпературный изотермический метод хлоридной эпитаксии In₁₋ᵪGaᵪAs
von: Губа, С.К.
Veröffentlicht: (1998)

Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi2Te3
von: Alieva, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Особенности морфологии фрактальных нанообъектов в кристаллах A2VB3VI
von: Aliyeva, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2011)

ПРИБЛИЖЕННЫЕ ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ И КОЭФФИЦИЕНТЫ ЭКРАНИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПРОВОДЯЩИХ ОБОЛОЧЕК
von: Бондина, Н.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
von: Perevertaylo, V. L.
Veröffentlicht: (2010)