Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
A liquid phase epitaxy diffusion model of a two-layer system at instable cooling speed of the solution-melt has been developed. It was discovered that the transition process continues even after the termination of cooling, due to which the layer growth continues as well. This effect is connected wit...
Saved in:
| Date: | 2012 |
|---|---|
| Main Authors: | Dranchuk, S. M., Zavadzkii, V. A., Mokritskii, V. A. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.5.48 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
by: Dranchuk, S. N., et al.
Published: (2013)
by: Dranchuk, S. N., et al.
Published: (2013)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
by: Дранчук, С.Н., et al.
Published: (2012)
by: Дранчук, С.Н., et al.
Published: (2012)
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2006)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2006)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
by: Дранчук, С.Н., et al.
Published: (2013)
by: Дранчук, С.Н., et al.
Published: (2013)
Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
by: Voronin, V. O., et al.
Published: (2006)
by: Voronin, V. O., et al.
Published: (2006)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
by: Круковский, С.И.
Published: (2002)
by: Круковский, С.И.
Published: (2002)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2003)
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2003)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2007)
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2007)
Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
by: Hladkovskiy, V. V., et al.
Published: (2014)
by: Hladkovskiy, V. V., et al.
Published: (2014)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)
DIVERSITY AND VARIABILITY OF THE CОРЕРОD BEHAVIOUR IN ENVIRONMENTAL GRADIENTS: AN OVERVIEW
by: Seregin, S. A., et al.
Published: (2023)
by: Seregin, S. A., et al.
Published: (2023)
Тепловой режим радиоэлектронного блока с изотермической подложкой и регулируемой температурой
by: Baturkin, V. M.
Published: (2004)
by: Baturkin, V. M.
Published: (2004)
Моделирование процессов тепломассопереноса при жидкофазной эпитаксии соединений А³В⁵ методом импульсного охлаждения насыщенного раствора-расплава
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2007)
by: Андронова, Е.В., et al.
Published: (2007)
Конструкторско-технологические варианты коммутационных плат с подложкой из кремния
by: Spirin, V. G.
Published: (2005)
by: Spirin, V. G.
Published: (2005)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
by: Vakiv, M. M., et al.
Published: (2010)
by: Vakiv, M. M., et al.
Published: (2010)
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
by: Voronin, V. A., et al.
Published: (2010)
by: Voronin, V. A., et al.
Published: (2010)
Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
by: Shangereeva, B. A.
Published: (2008)
by: Shangereeva, B. A.
Published: (2008)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)
Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития
by: Struhljak, N. Ja., et al.
Published: (2006)
by: Struhljak, N. Ja., et al.
Published: (2006)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
by: Rakhmatov, A. Z., et al.
Published: (2010)
by: Rakhmatov, A. Z., et al.
Published: (2010)
Импедансный анализатор для идентификации марок водно-спиртовых напитков
by: Kukla, A. L., et al.
Published: (2012)
by: Kukla, A. L., et al.
Published: (2012)
Прогнозирование содержания углерода в полупродукте на выпуске из большегрузных 350-т конвертеров с применением непараметрической статистики
by: Бондарь, В. И., et al.
Published: (2023)
by: Бондарь, В. И., et al.
Published: (2023)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
by: Novosyadlyi, S. P., et al.
Published: (2009)
by: Novosyadlyi, S. P., et al.
Published: (2009)
Поведение фосфора при жидкофазной восстановительной плавке
by: Костяков, В.Н., et al.
Published: (2006)
by: Костяков, В.Н., et al.
Published: (2006)
Энергоемкость процесса жидкофазной восстановительной плавки
by: Костяков, В.Н., et al.
Published: (2006)
by: Костяков, В.Н., et al.
Published: (2006)
Поведение ванадия при жидкофазной плавке ванадийсодержащего концентрата
by: Костяков, В.Н., et al.
Published: (2006)
by: Костяков, В.Н., et al.
Published: (2006)
Об обнаружении пустот на границе контакта двухслойных систем
by: Сергиенко, В.Н., et al.
Published: (2009)
by: Сергиенко, В.Н., et al.
Published: (2009)
Массоперенос при электрохимическом восстановлении палладия (ІІ) из глицинатного электролита
by: Никитенко, В.Н., et al.
Published: (2018)
by: Никитенко, В.Н., et al.
Published: (2018)
Использование метода импедансной спектроскопии для анализа бензанольного топлива
by: Kukla, A. L., et al.
Published: (2015)
by: Kukla, A. L., et al.
Published: (2015)
Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
by: Katrunov, K. A., et al.
Published: (2011)
by: Katrunov, K. A., et al.
Published: (2011)
Использование элементов искусственного интеллекта при исследовании физико-химических процессов производства конвертерной стали
by: Бондарь, В. И., et al.
Published: (2023)
by: Бондарь, В. И., et al.
Published: (2023)
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
by: Tkachuk, A. I., et al.
Published: (2007)
by: Tkachuk, A. I., et al.
Published: (2007)
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
by: Krukovsky, S. I., et al.
Published: (2007)
by: Krukovsky, S. I., et al.
Published: (2007)
Перспективы развития тонкопленочных микросборок
by: Spirin, V. G.
Published: (2005)
by: Spirin, V. G.
Published: (2005)
К устойчивости двухслойных углеродных нанотрубок
by: Семенюк, Н.П.
Published: (2016)
by: Семенюк, Н.П.
Published: (2016)
Формирование двухслойных металлополимер-полимерных покрытий
by: Ульберг 3, .Р., et al.
Published: (1983)
by: Ульберг 3, .Р., et al.
Published: (1983)
Similar Items
-
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
by: Dranchuk, S. N., et al.
Published: (2013) -
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
by: Дранчук, С.Н., et al.
Published: (2012) -
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2006) -
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012) -
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)