Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI

The formation characteristics of chalcogenide scintillators (CS) based on zinc sulfide and selenide are considered. The research has shown that such scintillators have high specific light yield, low afterglow level, short luminescence time, low value of the effective atomic number (Zeff=26–33), larg...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Starzhinskiy, N. G., Grinyov, B. V., Ryzhikov, V. D., Maliykin, Yu. V., Zhukov, A. V., Sidletskiy, О. Ts., Zenya, I. M., Lalayants, A. I.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainian
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:	кристаллы AIIBVI-соединений сульфид цинка сцинтилляционные характеристики центры люминесценции халькогенидные сцинтилляторы
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.4.25
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-433
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-4332025-09-19T16:00:10Z Wide-band chalcogenide scintillators on the basis of AIIBVI compounds Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI Starzhinskiy, N. G. Grinyov, B. V. Ryzhikov, V. D. Maliykin, Yu. V. Zhukov, A. V. Sidletskiy, О. Ts. Zenya, I. M. Lalayants, A. I. crystals of AIIBVI compounds zinc sulfide scintillation characteristics luminescence centers chalcogenide scintillators кристаллы AIIBVI-соединений сульфид цинка сцинтилляционные характеристики центры люминесценции халькогенидные сцинтилляторы The formation characteristics of chalcogenide scintillators (CS) based on zinc sulfide and selenide are considered. The research has shown that such scintillators have high specific light yield, low afterglow level, short luminescence time, low value of the effective atomic number (Zeff=26–33), large band gap (Eg=2,8–3,6 eV), high thermal stability of output parameters. The prospects of use of such scintillators in various devices of modern radiation instrumentation has been shown. Рассмотрены особенности получения халькогенидных сцинтилляторов (ХС) на основе сульфида и селенида цинка. Исследования показали, что полученные сцинтилляторы обладают высоким световыходом, низким послесвечением, малым временем высвечивания, низким значением эффективного атомного номера (Zэфф=26–33), большой шириной запрещенной зоны (Eg=2,8–3,6 эВ), высокой термостабильностью выходных параметров. Показана перспективность их применения в различных устройствах современного радиационного приборостроения. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-08-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.4.25 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 25-28 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 25-28 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.4.25/392 Copyright (c) 2012 Старжинский Н. Г., Гринёв Б. В., Рыжиков В. Д., Малюкин Ю. В., Жуков А. В., Сидлецкий О. Ц., Зеня И. М., Лалаянц А. И. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-09-19T16:00:10Z
collection	OJS
language	Ukrainian
topic	кристаллы AIIBVI-соединений сульфид цинка сцинтилляционные характеристики центры люминесценции халькогенидные сцинтилляторы
spellingShingle	кристаллы AIIBVI-соединений сульфид цинка сцинтилляционные характеристики центры люминесценции халькогенидные сцинтилляторы Starzhinskiy, N. G. Grinyov, B. V. Ryzhikov, V. D. Maliykin, Yu. V. Zhukov, A. V. Sidletskiy, О. Ts. Zenya, I. M. Lalayants, A. I. Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
topic_facet	crystals of AIIBVI compounds zinc sulfide scintillation characteristics luminescence centers chalcogenide scintillators кристаллы AIIBVI-соединений сульфид цинка сцинтилляционные характеристики центры люминесценции халькогенидные сцинтилляторы
format	Article
author	Starzhinskiy, N. G. Grinyov, B. V. Ryzhikov, V. D. Maliykin, Yu. V. Zhukov, A. V. Sidletskiy, О. Ts. Zenya, I. M. Lalayants, A. I.
author_facet	Starzhinskiy, N. G. Grinyov, B. V. Ryzhikov, V. D. Maliykin, Yu. V. Zhukov, A. V. Sidletskiy, О. Ts. Zenya, I. M. Lalayants, A. I.
author_sort	Starzhinskiy, N. G.
title	Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
title_short	Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
title_full	Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
title_fullStr	Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
title_full_unstemmed	Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI
title_sort	широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений aiibvi
title_alt	Wide-band chalcogenide scintillators on the basis of AIIBVI compounds
description	The formation characteristics of chalcogenide scintillators (CS) based on zinc sulfide and selenide are considered. The research has shown that such scintillators have high specific light yield, low afterglow level, short luminescence time, low value of the effective atomic number (Zeff=26–33), large band gap (Eg=2,8–3,6 eV), high thermal stability of output parameters. The prospects of use of such scintillators in various devices of modern radiation instrumentation has been shown.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2012
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.4.25
work_keys_str_mv	AT starzhinskiyng widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds AT grinyovbv widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds AT ryzhikovvd widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds AT maliykinyuv widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds AT zhukovav widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds AT sidletskiyots widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds AT zenyaim widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds AT lalayantsai widebandchalcogenidescintillatorsonthebasisofaiibvicompounds AT starzhinskiyng širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedinenijaiibvi AT grinyovbv širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedinenijaiibvi AT ryzhikovvd širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedinenijaiibvi AT maliykinyuv širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedinenijaiibvi AT zhukovav širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedinenijaiibvi AT sidletskiyots širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedinenijaiibvi AT zenyaim širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedinenijaiibvi AT lalayantsai širokozonnyehalʹkogenidnyescintillâtorynaosnovesoedinenijaiibvi
first_indexed	2025-09-24T17:30:55Z
last_indexed	2025-09-24T17:30:55Z
_version_	1844167370091790336

Широкозонные халькогенидные сцинтилляторы на основе соединений AIIBVI

Institution

Ähnliche Einträge