Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
It is experimentally confirmed that the temperature dependence of specific contact resistance of ohmic contacts Au–TiB2–Ge–Au–n–n+–n++-InP is described with the current transport model with a high density of dislocations in the contact region of the semiconductor. The samples used in the experiment...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.4.32 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543858758778880 |
|---|---|
| author | Novitskyi, S. V. |
| author_facet | Novitskyi, S. V. |
| author_sort | Novitskyi, S. V. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-09-19T16:00:10Z |
| description | It is experimentally confirmed that the temperature dependence of specific contact resistance of ohmic contacts Au–TiB2–Ge–Au–n–n+–n++-InP is described with the current transport model with a high density of dislocations in the contact region of the semiconductor. The samples used in the experiment were obtained at different annealing temperatures. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:56Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-435 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-09-24T17:30:56Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-4352025-09-19T16:00:10Z Effect of annealing temperature on the value of contact resistance of ohmic contacts to InP Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP Novitskyi, S. V. indium phosphide ohmic contact dislocation the specific contact resistance фосфид индия омический контакт дислокации удельное контактное сопротивление It is experimentally confirmed that the temperature dependence of specific contact resistance of ohmic contacts Au–TiB2–Ge–Au–n–n+–n++-InP is described with the current transport model with a high density of dislocations in the contact region of the semiconductor. The samples used in the experiment were obtained at different annealing temperatures. Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au–TiB2–Ge–Au–n–n+–n++-InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Исследовались образцы, полученные при разных температурах отжига. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-08-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.4.32 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 32-34 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 32-34 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.4.32/394 Copyright (c) 2012 Новицкий С. В. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | фосфид индия омический контакт дислокации удельное контактное сопротивление Novitskyi, S. V. Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP |
| title | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP |
| title_alt | Effect of annealing temperature on the value of contact resistance of ohmic contacts to InP |
| title_full | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP |
| title_fullStr | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP |
| title_full_unstemmed | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP |
| title_short | Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP |
| title_sort | исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к inp |
| topic | фосфид индия омический контакт дислокации удельное контактное сопротивление |
| topic_facet | indium phosphide ohmic contact dislocation the specific contact resistance фосфид индия омический контакт дислокации удельное контактное сопротивление |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.4.32 |
| work_keys_str_mv | AT novitskyisv effectofannealingtemperatureonthevalueofcontactresistanceofohmiccontactstoinp AT novitskyisv issledovanietemperaturnojzavisimostikontaktnogosoprotivleniâomičeskihkontaktovkinp |