Buchumschlag

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP

It is experimentally confirmed that the temperature dependence of specific contact resistance of ohmic contacts Au–TiB2–Ge–Au–n–n+–n++-InP is described with the current transport model with a high density of dislocations in the contact region of the semiconductor. The samples used in the experiment...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
1. Verfasser:	Novitskyi, S. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:	фосфид индия омический контакт дислокации удельное контактное сопротивление
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.4.32
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
von: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
von: Sai, P. O.
Veröffentlicht: (2016)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Bosiy, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Переходное контактное сопротивление в электрических соединениях с плоскими контактами
von: Efimenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Басанец, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор)
von: Саченко, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Получение магния высокой чистоты и исследование температурной зависимости его электрического сопротивления
von: Папиров, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)

МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ГРАНУЛИРОВАННЫХ ТОКОПРОВОДЯЩИХ СРЕД ОТ ПРОТЕКАЮЩЕГО В НИХ ИМПУЛЬСНОГО ТОКА
von: Захарченко, С.Н.
Veröffentlicht: (2012)

Электрическое сопротивление контакта тонкопленочных резисторов
von: Lougin, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Kutniy, V. E., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
von: Иващук, А.В.
Veröffentlicht: (2000)

Использование метода импедансной спектроскопии для анализа бензанольного топлива
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2015)

О температурной зависимости удельного сопротивления сплавов Mo-Re, Mo-Re-Nb
von: Игнатьева, Т.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Konakova, R. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование контактного взаимодействия диборида титана-хрома со сплавами Ni—Cr
von: Уманский, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si»
von: Kulinich, О. А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)

Поглотители СВЧ-энергии на основе нитрида алюминия с высоким уровнем поглощения
von: Chasnyk, V. I.
Veröffentlicht: (2014)

О температурной зависимости коэффициента диффузии
von: Фирстов, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАЗВИТИЯ ПРОЦЕССОВ НА КАТОДЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ
von: Милых, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Повышение адгезионной прочности никелевых контактов ветвей термоэлектрических модулей
von: Asheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Про один підхід, пов'язаний з дослідженням напружено-деформованого стану кусково-однорідної ізотропної пластини з тріщиною за згину з урахуванням ширини області контакту її берегів
von: Опанасович, Віктор Костянтинович; Львівський національний університет імені Івана Франка, кафедра механіки, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры
von: Obukhov, I. A.
Veröffentlicht: (2007)

ВЛИЯНИЕ КОММУТАЦИОННОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ВЫПРЯМИТЕЛЯ НА УСТОЙЧИВОСТЬ ГОРЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ДУГИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МИКРОПЛАЗМОТРОНА
von: Спирин, В.М.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование контактного термического сопротивления в биметаллических трубах со спирально-накатным оребрением
von: Руденко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)

О температурной зависимости параметра порядка в сверхпроводнике
von: Анцыгина, Т.Н., et al.
Veröffentlicht: (1996)

Об особенностях температурной зависимости магнитострикции NiCl₂
von: Калита, В.М., et al.
Veröffentlicht: (1995)

Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
von: Pavljuk, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние примесей на скорость контактного плавления металлов и фазообразование в контактных прослойках
von: Далакова, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Роль стехиометрии в процессах смачивания и контактного взаимодействия для системы расплав никеля—диоксид циркония
von: Дуров, А.В.
Veröffentlicht: (2015)

Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A3B5
von: Aleksandrov, S. B., et al.
Veröffentlicht: (2011)

МОДЕЛИРОВАНИЕ НЕЛИНЕЙНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОИСКРОВОЙ НАГРУЗКИ ДЛЯ СИНТЕЗА ЦЕПИ РАЗРЯДА КОНДЕНСАТОРА ПО ВРЕМЕННЫМ ХАРАКТЕРИСТИКАМ
von: Щерба , А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)