Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP

• Datum: 2012
• 1. Verfasser: Novitskyi, S. V.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
• Schlagworte: фосфид индия; омический контакт; дислокации; удельное контактное сопротивление
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.4.32
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

It is experimentally confirmed that the temperature dependence of specific contact resistance of ohmic contacts Au–TiB2–Ge–Au–n–n+–n++-InP is described with the current transport model with a high density of dislocations in the contact region of the semiconductor. The samples used in the experiment...