Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой
A theoretical model of a passive flat inductor with electronic control is offered. Design charts of tank inductance and Q factor dependence on the forward bias voltage of n–i–p–i–n-structure, used as a specific core, the characteristics of which are regulated under the influence of an applied electr...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Semenov, А. А., Usanov, D. A., Kolokin, A. A. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.4.35 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
-
Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой
von: Семенов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Индуктивность, перестраиваемая электрическим полем
von: Semenov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Индуктивность, перестраиваемая электрическим полем
von: Семёнов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
von: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2011)