Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
The optimal thermal terms for growing by Czochralski method Si single-crystals, suitable for making photoelectric energy converters, has been defined by the computer simulation method. Dependences of temperature fields character and crystallization front form on the diameter of the crystal, stage an...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.3.21 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543860836007936 |
|---|---|
| author | Kondrik, A. I. Datsenko, O. A. Kovtun, G. P. |
| author_facet | Kondrik, A. I. Datsenko, O. A. Kovtun, G. P. |
| author_sort | Kondrik, A. I. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-10-04T10:11:08Z |
| description | The optimal thermal terms for growing by Czochralski method Si single-crystals, suitable for making photoelectric energy converters, has been defined by the computer simulation method. Dependences of temperature fields character and crystallization front form on the diameter of the crystal, stage and speed of growing, and also on correlation between diameter and height of the crystal has been studied. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:57Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-445 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-10-05T01:25:48Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-4452025-10-04T10:11:08Z Temperature fields in a growing solar silicon crystal Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» Kondrik, A. I. Datsenko, O. A. Kovtun, G. P. solar silicon thermal fields rate of directional crystallization crystal size солнечный кремний тепловые поля скорость направленной кристаллизации размеры кристалла The optimal thermal terms for growing by Czochralski method Si single-crystals, suitable for making photoelectric energy converters, has been defined by the computer simulation method. Dependences of temperature fields character and crystallization front form on the diameter of the crystal, stage and speed of growing, and also on correlation between diameter and height of the crystal has been studied. Методом компьютерного моделирования определены оптимальные тепловые условия выращивания методом Чохральского монокристаллов Si, пригодного для изготовления фотоэлектрических преобразователей энергии. Изучены зависимости характера температурных полей и формы фронта кристаллизации от диаметра кристалла, стадии и скорости его выращивания, а также от соотношения диаметра и высоты кристалла. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-06-25 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.3.21 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 21-25 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 21-25 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.3.21/401 Copyright (c) 2012 Kondrik A. I., Datsenko O. A., Kovtun G. P. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | солнечный кремний тепловые поля скорость направленной кристаллизации размеры кристалла Kondrik, A. I. Datsenko, O. A. Kovtun, G. P. Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» |
| title | Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» |
| title_alt | Temperature fields in a growing solar silicon crystal |
| title_full | Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» |
| title_fullStr | Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» |
| title_full_unstemmed | Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» |
| title_short | Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» |
| title_sort | температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» |
| topic | солнечный кремний тепловые поля скорость направленной кристаллизации размеры кристалла |
| topic_facet | solar silicon thermal fields rate of directional crystallization crystal size солнечный кремний тепловые поля скорость направленной кристаллизации размеры кристалла |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.3.21 |
| work_keys_str_mv | AT kondrikai temperaturefieldsinagrowingsolarsiliconcrystal AT datsenkooa temperaturefieldsinagrowingsolarsiliconcrystal AT kovtungp temperaturefieldsinagrowingsolarsiliconcrystal AT kondrikai temperaturnyepolâvrastuŝemkristallesolnečnogokremniâ AT datsenkooa temperaturnyepolâvrastuŝemkristallesolnečnogokremniâ AT kovtungp temperaturnyepolâvrastuŝemkristallesolnečnogokremniâ |