Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»

The optimal thermal terms for growing by Czochralski method Si single-crystals, suitable for making photoelectric energy converters, has been defined by the computer simulation method. Dependences of temperature fields character and crystallization front form on the diameter of the crystal, stage an...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Kondrik, A. I., Datsenko, O. A., Kovtun, G. P.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainian
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:	солнечный кремний тепловые поля скорость направленной кристаллизации размеры кристалла
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.3.21
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-445
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-4452025-10-04T10:11:08Z Temperature fields in a growing solar silicon crystal Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния» Kondrik, A. I. Datsenko, O. A. Kovtun, G. P. solar silicon thermal fields rate of directional crystallization crystal size солнечный кремний тепловые поля скорость направленной кристаллизации размеры кристалла The optimal thermal terms for growing by Czochralski method Si single-crystals, suitable for making photoelectric energy converters, has been defined by the computer simulation method. Dependences of temperature fields character and crystallization front form on the diameter of the crystal, stage and speed of growing, and also on correlation between diameter and height of the crystal has been studied. Методом компьютерного моделирования определены оптимальные тепловые условия выращивания методом Чохральского монокристаллов Si, пригодного для изготовления фотоэлектрических преобразователей энергии. Изучены зависимости характера температурных полей и формы фронта кристаллизации от диаметра кристалла, стадии и скорости его выращивания, а также от соотношения диаметра и высоты кристалла. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-06-25 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.3.21 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 21-25 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 21-25 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.3.21/401 Copyright (c) 2012 Kondrik A. I., Datsenko O. A., Kovtun G. P. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-10-04T10:11:08Z
collection	OJS
language	Ukrainian
topic	солнечный кремний тепловые поля скорость направленной кристаллизации размеры кристалла
spellingShingle	солнечный кремний тепловые поля скорость направленной кристаллизации размеры кристалла Kondrik, A. I. Datsenko, O. A. Kovtun, G. P. Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
topic_facet	solar silicon thermal fields rate of directional crystallization crystal size солнечный кремний тепловые поля скорость направленной кристаллизации размеры кристалла
format	Article
author	Kondrik, A. I. Datsenko, O. A. Kovtun, G. P.
author_facet	Kondrik, A. I. Datsenko, O. A. Kovtun, G. P.
author_sort	Kondrik, A. I.
title	Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
title_short	Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
title_full	Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
title_fullStr	Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
title_full_unstemmed	Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
title_sort	температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
title_alt	Temperature fields in a growing solar silicon crystal
description	The optimal thermal terms for growing by Czochralski method Si single-crystals, suitable for making photoelectric energy converters, has been defined by the computer simulation method. Dependences of temperature fields character and crystallization front form on the diameter of the crystal, stage and speed of growing, and also on correlation between diameter and height of the crystal has been studied.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2012
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.3.21
work_keys_str_mv	AT kondrikai temperaturefieldsinagrowingsolarsiliconcrystal AT datsenkooa temperaturefieldsinagrowingsolarsiliconcrystal AT kovtungp temperaturefieldsinagrowingsolarsiliconcrystal AT kondrikai temperaturnyepolâvrastuŝemkristallesolnečnogokremniâ AT datsenkooa temperaturnyepolâvrastuŝemkristallesolnečnogokremniâ AT kovtungp temperaturnyepolâvrastuŝemkristallesolnečnogokremniâ
first_indexed	2025-09-24T17:30:57Z
last_indexed	2025-10-05T01:25:48Z
_version_	1850410256186736640

Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»

Institution

Ähnliche Einträge