Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi2Te3

Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi2Te3

Nanowires formation process on a (0001) surface of Bi2Te3 is studied. It has been established that on interlayer urface Te(1)—Te(1) there is a process of migration of atoms, moving and coagulation of clusters on the basis of Zn atoms. As a result of diffusion-limited aggregation the structu...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2012
Main Authors: Alieva, A. P., Aleskerov, F. K., Kakhramanov, S. Sh., Nasibova, S. A., Moroidor, E. D., Pishkin, M.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Subjects:
квантовые точки и нити
миграция атомов
морфология
топологический изолятор
кластеры
диффузия
агрегация
Online Access:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.3.46
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-450
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-4502025-10-04T10:09:01Z The mechanism of formation of the interlayer quantum wires in zinc-doped Bi2Te3 Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi2Te3 Alieva, A. P. Aleskerov, F. K. Kakhramanov, S. Sh. Nasibova, S. A. Moroidor, E. D. Pishkin, M. quantum dots nanowires migration of atoms morphology topological insulators clusters diffusion aggregation квантовые точки и нити миграция атомов морфология топологический изолятор кластеры диффузия агрегация Nanowires formation process on a (0001) surface of Bi2Te3 is studied. It has been established that on interlayer urface Te(1)—Te(1) there is a process of migration of atoms, moving and coagulation of clusters on the basis of Zn atoms. As a result of diffusion-limited aggregation the structures with quantum dots are formed, from which nanowires are self-organized. Such superficial structures play regulating role in working out the topological insulators based on A2VB3VI and increase thermoelectric efficiency of a composite. Изучен процесс формирования нанонитей на поверхности (0001) Bi2Te3. Установлено, что в плос­кос­ти Te(1)—Te(1) происходит процесс миграции атомов, перемещение и коагуляция клас­те­ров на основе атомов Zn. В результате диффузионно-ограниченной агрегации фор­ми­ру­ют­ся структуры с квантовыми точками, из которых самоорганизуются нанонити. Такие по­верх­ност­ные структуры определяют свойства разрабатываемых топологических изоляторов на основе соединений A2VB3VI и увеличивают термоэлектрическую эффективность композита. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-06-25 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.3.46 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 46-48 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 46-48 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.3.46/406 Copyright (c) 2012 Alieva A. P., Aleskerov F. K., Kakhramanov S. Sh., Nasibova S. A., Moroidor E. D., Pishkin M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-10-04T10:09:01Z
collection OJS
language Ukrainian
topic квантовые точки и нити
миграция атомов
морфология
топологический изолятор
кластеры
диффузия
агрегация
spellingShingle квантовые точки и нити
миграция атомов
морфология
топологический изолятор
кластеры
диффузия
агрегация
Alieva, A. P.
Aleskerov, F. K.
Kakhramanov, S. Sh.
Nasibova, S. A.
Moroidor, E. D.
Pishkin, M.
Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi2Te3
topic_facet quantum dots
nanowires
migration of atoms
morphology
topological insulators
clusters
diffusion
aggregation
квантовые точки и нити
миграция атомов
морфология
топологический изолятор
кластеры
диффузия
агрегация
format Article
author Alieva, A. P.
Aleskerov, F. K.
Kakhramanov, S. Sh.
Nasibova, S. A.
Moroidor, E. D.
Pishkin, M.
author_facet Alieva, A. P.
Aleskerov, F. K.
Kakhramanov, S. Sh.
Nasibova, S. A.
Moroidor, E. D.
Pishkin, M.
author_sort Alieva, A. P.
title Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi2Te3
title_short Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi2Te3
title_full Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi2Te3
title_fullStr Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi2Te3
title_full_unstemmed Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi2Te3
title_sort механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком bi2te3
title_alt The mechanism of formation of the interlayer quantum wires in zinc-doped Bi2Te3
description Nanowires formation process on a (0001) surface of Bi2Te3 is studied. It has been established that on interlayer urface Te(1)—Te(1) there is a process of migration of atoms, moving and coagulation of clusters on the basis of Zn atoms. As a result of diffusion-limited aggregation the structures with quantum dots are formed, from which nanowires are self-organized. Such superficial structures play regulating role in working out the topological insulators based on A2VB3VI and increase thermoelectric efficiency of a composite.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2012
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.3.46
work_keys_str_mv AT alievaap themechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3
AT aleskerovfk themechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3
AT kakhramanovssh themechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3
AT nasibovasa themechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3
AT moroidored themechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3
AT pishkinm themechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3
AT alievaap mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhnitejvlegirovannomcinkombi2te3
AT aleskerovfk mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhnitejvlegirovannomcinkombi2te3
AT kakhramanovssh mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhnitejvlegirovannomcinkombi2te3
AT nasibovasa mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhnitejvlegirovannomcinkombi2te3
AT moroidored mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhnitejvlegirovannomcinkombi2te3
AT pishkinm mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhnitejvlegirovannomcinkombi2te3
AT alievaap mechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3
AT aleskerovfk mechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3
AT kakhramanovssh mechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3
AT nasibovasa mechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3
AT moroidored mechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3
AT pishkinm mechanismofformationoftheinterlayerquantumwiresinzincdopedbi2te3
first_indexed 2025-09-24T17:30:57Z
last_indexed 2025-10-05T01:25:48Z
_version_ 1850410256930177024

Similar Items