Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
The double epitaxial p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and de...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.27 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543863910432768 |
|---|---|
| author | Vakiv, N. M. Krukovskii, S. I. Sukach, A. V. Tetyorkin, V. V. Mrykhin, I. A. Mikhashchuk, Yu. S. Krukovskii, R. S. |
| author_facet | Vakiv, N. M. Krukovskii, S. I. Sukach, A. V. Tetyorkin, V. V. Mrykhin, I. A. Mikhashchuk, Yu. S. Krukovskii, R. S. |
| author_sort | Vakiv, N. M. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-10-04T10:04:34Z |
| description | The double epitaxial p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and decreasing the time for growing an emitter p+-InP layer heavily doped by zinc. Electroluminescence spectra of such structures have a smaller half-width and the infrared radiation of higher power than the structures in which the p–n-junction is formed in the InGaAsP layer. These heterostructures are designed to create efficient IR LEDs with wavelength of 1,06 mm in spectrum maximum. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:58Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-458 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-10-05T01:25:49Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-4582025-10-04T10:04:34Z Properties of double p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterojunctions obtained by LPE method Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии Vakiv, N. M. Krukovskii, S. I. Sukach, A. V. Tetyorkin, V. V. Mrykhin, I. A. Mikhashchuk, Yu. S. Krukovskii, R. S. epitaxial heterostructures liquid-phase epitaxy doping electroluminescence photosensitivity эпитаксиальные гетероструктуры жидкофазная эпитаксия легирование электролюминесценция фоточувствительность The double epitaxial p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and decreasing the time for growing an emitter p+-InP layer heavily doped by zinc. Electroluminescence spectra of such structures have a smaller half-width and the infrared radiation of higher power than the structures in which the p–n-junction is formed in the InGaAsP layer. These heterostructures are designed to create efficient IR LEDs with wavelength of 1,06 mm in spectrum maximum. Получены эпитаксиальные гетероструктуры p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, в которых металлургическая граница совпадает с электрической. Это достигается выращиванием дополнительного буферного слоя n-InP и уменьшением времени выращивания эмиттерного p+-InP-слоя, сильно легированного Zn. Спектры электролюминесценции таких структур имеют меньшую полуширину и более высокую мощность ИК-излучения, чем те, в которых формируется p-n-переход в InGaAsP-слое. Гетероструктуры предназначены для создания эффективных ИК-светодиодов с длиной волны в максимуме спектра 1,06 мкм. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.27 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 27-30 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 27-30 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.27/413 Copyright (c) 2012 Vakiv N. M., Krukovskii S. I., Sukach A. V., Tetyorkin V. V., Mrykhin I. A., Mikhashchuk Yu. S., Krukovskii R. S. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | эпитаксиальные гетероструктуры жидкофазная эпитаксия легирование электролюминесценция фоточувствительность Vakiv, N. M. Krukovskii, S. I. Sukach, A. V. Tetyorkin, V. V. Mrykhin, I. A. Mikhashchuk, Yu. S. Krukovskii, R. S. Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии |
| title | Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии |
| title_alt | Properties of double p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterojunctions obtained by LPE method |
| title_full | Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии |
| title_fullStr | Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии |
| title_full_unstemmed | Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии |
| title_short | Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии |
| title_sort | свойства двойных гетеропереходов p+-inp/n-ingaasp/n-inp, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии |
| topic | эпитаксиальные гетероструктуры жидкофазная эпитаксия легирование электролюминесценция фоточувствительность |
| topic_facet | epitaxial heterostructures liquid-phase epitaxy doping electroluminescence photosensitivity эпитаксиальные гетероструктуры жидкофазная эпитаксия легирование электролюминесценция фоточувствительность |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.27 |
| work_keys_str_mv | AT vakivnm propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod AT krukovskiisi propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod AT sukachav propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod AT tetyorkinvv propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod AT mrykhinia propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod AT mikhashchukyus propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod AT krukovskiirs propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod AT vakivnm svojstvadvojnyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznojépitaksii AT krukovskiisi svojstvadvojnyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznojépitaksii AT sukachav svojstvadvojnyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznojépitaksii AT tetyorkinvv svojstvadvojnyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznojépitaksii AT mrykhinia svojstvadvojnyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznojépitaksii AT mikhashchukyus svojstvadvojnyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznojépitaksii AT krukovskiirs svojstvadvojnyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznojépitaksii |