Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии

The double epitaxial p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and de...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2012
Hauptverfasser: Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Mrykhin, I. A., Mikhashchuk, Yu. S., Kru­kov­skii, R. S.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Schlagworte:
эпитаксиальные гетероструктуры
жидкофазная эпитаксия
легирование
электролюминесценция
фоточувствительность
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.27
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
id oai:tkea.com.ua:article-458
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-4582025-10-04T10:04:34Z Properties of double p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterojunctions obtained by LPE method Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии Vakiv, N. M. Krukovskii, S. I. Sukach, A. V. Tetyorkin, V. V. Mrykhin, I. A. Mikhashchuk, Yu. S. Kru­kov­skii, R. S. epitaxial heterostructures liquid-phase epitaxy doping electroluminescence photosensitivity эпитаксиальные гетероструктуры жидкофазная эпитаксия легирование электролюминесценция фоточувствительность The double epitaxial p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and decreasing the time for growing an emitter p+-InP layer heavily doped by zinc. Electroluminescence spectra of such structures have a smaller half-width and the infrared radiation of higher power than the structures in which the p–n-junction is formed in the InGaAsP layer. These heterostructures are designed to create efficient IR LEDs with wavelength of 1,06 mm in spectrum maximum. Получены эпитаксиальные гетероструктуры p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, в которых ме­тал­лур­ги­чес­кая граница совпадает с электрической. Это достигается выращиванием до­пол­ни­тель­но­го буферного слоя n-InP и уменьшением времени выращивания эмиттерного p+-InP-слоя, сильно легированного Zn. Спектры электролюминесценции таких структур имеют ме­нь­шую полуширину и более высокую мощность ИК-излучения, чем те, в которых фор­ми­ру­ет­ся p-n-переход в InGaAsP-слое. Гетероструктуры предназначены для создания эф­фек­тив­ных ИК-светодиодов с длиной волны в максимуме спектра 1,06 мкм. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.27 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 27-30 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 27-30 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.27/413 Copyright (c) 2012 Vakiv N. M., Krukovskii S. I., Sukach A. V., Tetyorkin V. V., Mrykhin I. A., Mikhashchuk Yu. S., Kru­kov­skii R. S. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date 2025-10-04T10:04:34Z
collection OJS
language Ukrainian
topic эпитаксиальные гетероструктуры
жидкофазная эпитаксия
легирование
электролюминесценция
фоточувствительность
spellingShingle эпитаксиальные гетероструктуры
жидкофазная эпитаксия
легирование
электролюминесценция
фоточувствительность
Vakiv, N. M.
Krukovskii, S. I.
Sukach, A. V.
Tetyorkin, V. V.
Mrykhin, I. A.
Mikhashchuk, Yu. S.
Kru­kov­skii, R. S.
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии
topic_facet epitaxial heterostructures
liquid-phase epitaxy
doping
electroluminescence
photosensitivity
эпитаксиальные гетероструктуры
жидкофазная эпитаксия
легирование
электролюминесценция
фоточувствительность
format Article
author Vakiv, N. M.
Krukovskii, S. I.
Sukach, A. V.
Tetyorkin, V. V.
Mrykhin, I. A.
Mikhashchuk, Yu. S.
Kru­kov­skii, R. S.
author_facet Vakiv, N. M.
Krukovskii, S. I.
Sukach, A. V.
Tetyorkin, V. V.
Mrykhin, I. A.
Mikhashchuk, Yu. S.
Kru­kov­skii, R. S.
author_sort Vakiv, N. M.
title Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии
title_short Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии
title_full Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии
title_fullStr Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии
title_full_unstemmed Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии
title_sort свойства двойных гетеропереходов p+-inp/n-ingaasp/n-inp, изготовленных методом жид­ко­фаз­ной эпитаксии
title_alt Properties of double p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterojunctions obtained by LPE method
description The double epitaxial p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and decreasing the time for growing an emitter p+-InP layer heavily doped by zinc. Electroluminescence spectra of such structures have a smaller half-width and the infrared radiation of higher power than the structures in which the p–n-junction is formed in the InGaAsP layer. These heterostructures are designed to create efficient IR LEDs with wavelength of 1,06 mm in spectrum maximum.
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate 2012
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.27
work_keys_str_mv AT vakivnm propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod
AT krukovskiisi propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod
AT sukachav propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod
AT tetyorkinvv propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod
AT mrykhinia propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod
AT mikhashchukyus propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod
AT krukovskiirs propertiesofdoublepinpningaaspninpheterojunctionsobtainedbylpemethod
AT vakivnm svojstvadvojnyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznojépitaksii
AT krukovskiisi svojstvadvojnyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznojépitaksii
AT sukachav svojstvadvojnyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznojépitaksii
AT tetyorkinvv svojstvadvojnyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznojépitaksii
AT mrykhinia svojstvadvojnyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznojépitaksii
AT mikhashchukyus svojstvadvojnyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznojépitaksii
AT krukovskiirs svojstvadvojnyhgeteroperehodovpinpningaaspninpizgotovlennyhmetodomžidkofaznojépitaksii
first_indexed 2025-09-24T17:30:58Z
last_indexed 2025-10-05T01:25:49Z
_version_ 1850410258271305728

Ähnliche Einträge