Cover Image

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии

The double epitaxial p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterostructures with coinciding electrical and metallurgical boundaries has been obtained. Such coincidence is achieved due to growing an additional buffer n-InP layer and de...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2012
Main Authors:	Vakiv, N. M., Krukovskii, S. I., Sukach, A. V., Tetyorkin, V. V., Mrykhin, I. A., Mikhashchuk, Yu. S., Krukovskii, R. S.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Subjects:	эпитаксиальные гетероструктуры жидкофазная эпитаксия легирование электролюминесценция фоточувствительность
Online Access:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.27
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Similar Items

Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
by: Mitin, Vadim, et al.
Published: (2020)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Novitskyi, S. V.
Published: (2012)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
by: Vakiv, M. M., et al.
Published: (2010)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2011)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
by: Krasnov, V. A., et al.
Published: (2008)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
by: Boltovets, N. S., et al.
Published: (2010)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)

Gunn Diode with Tunnel p++-n++-cathode
by: Arkusha, Yu. V., et al.
Published: (2013)

Pеакції N-алкілгідразонів аліфатичних кетонів
by: Kurpil’, B. B., et al.
Published: (2014)

On strongly almost \(m\)-\(\omega_1\)-\(p^{\omega+n}\)-projective abelian \(p\)-groups
by: Danchev, Peter
Published: (2016)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
by: Mostovyi, A. I., et al.
Published: (2013)

Спектральна фоточутливість дифузійних Ge-p-i-n-фотодіодів
by: Fedorenko, Artem
Published: (2020)

Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю
by: Kukurudziak, Mykola, et al.
Published: (2021)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
by: Dobrovolskiy, Yu. G., et al.
Published: (2011)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
by: Kovaliuk, Taras, et al.
Published: (2021)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
by: Karimov, A. V., et al.
Published: (2009)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
by: Popov, V. M., et al.
Published: (2010)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
by: Kovalyuk, Z. D., et al.
Published: (2015)

Проблеми хіміко-динамічного полірування в технології кремнієвих p-i-n фотодіодів
by: Kukurudziak, M. S.
Published: (2023)

Коммутационные управляемые устройства на p–i–n-диодах миллиметрового диапазона длин волн
by: Karushkin, N. F., et al.
Published: (2016)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)

Метод «очищення» поверхні фоточутливих елементів кремнієвих p-i-n фотодіодів від дислокацій
by: Kukurudziak, M. S.
Published: (2023)

On Sushchansky \(p\)-groups
by: Bondarenko, Ievgen V., et al.
Published: (2018)

Steiner \(P\)-algebras
by: Chakrabarti, Sucheta
Published: (2018)

Classifying cubic \(s\)-regular graphs of orders \(22p \) and \( 22p^{2}\)
by: Talebi, A. A., et al.
Published: (2018)

Kaluzhnin's representations of Sylow \(p\)-subgroups of automorphism groups of \(p\)-adic rooted trees
by: Bier, Agnieszka, et al.
Published: (2018)

Моделювання розподілу носіїв заряду в активній області P-I-N-діодів методами теорії збурень
by: Бомба, Андрій, et al.
Published: (2021)

Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
by: Gnilenko, A. B., et al.
Published: (2012)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
by: Boltovets, M. S., et al.
Published: (2009)

P-velocity of the upper mantle
by: Gordienko, V.V., et al.
Published: (2021)

Про збіжність GARCH(p,q)
by: Carkovs, J., et al.
Published: (2018)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
by: Parkhomenko, H. P., et al.
Published: (2016)

V. P. SHESTOPALOV AND HIS SCIENTIFIC SCHOOL: FROM QUASISTATICS TO QUASIOPTICS (to mark V.P.'s birth centenary)
by: Melezhik, P. M., et al.
Published: (2023)

To the 75-th Anniversary of P. M. MELEZHYK
by: ,
Published: (2025)

On classifying the non-Tits \(P\)-critical posets
by: Bondarenko, V. M., et al.
Published: (2022)

Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
by: Kukurudziak , Mykola, et al.
Published: (2020)

PROFESSOR P.P. KOPNIAIEV - SCIENTIST, PUBLIC PERSON, ESTABLISHER OF HIGHER ELECTRICAL ENGINEERING EDUCATION (TO THE 150TH ANNIVERSARY OF HIS BIRTH)
by: Klepikov, V. B., et al.
Published: (2017)

Semisymmetric \(Z_{p}\)-covers of the \(C20\) graph
by: Talebi, A. A., et al.
Published: (2021)

ACADEMICIAN P.A. TUTKOVSKY ABOUT GENESIS OF AMBER
by: Matsui, V.M.
Published: (2017)