Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в про­цес­се роста

The influence of deposition conditions on composition of in-situ oxygen doped polysilicon films has been investigated. A kinetic model of adsorption-deposition process using concentrated silane and nitrous oxide has been developed. The range of optimal ratios of silane and nitrous oxide flows and de...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2012
Main Authors: Nalivaiko, O. Yu., Тurtsevich, A. S.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012
Subjects:
Online Access:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.37
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment
_version_ 1856543864032067584
author Nalivaiko, O. Yu.
Тurtsevich, A. S.
author_facet Nalivaiko, O. Yu.
Тurtsevich, A. S.
author_sort Nalivaiko, O. Yu.
baseUrl_str
collection OJS
datestamp_date 2025-10-04T10:05:28Z
description The influence of deposition conditions on composition of in-situ oxygen doped polysilicon films has been investigated. A kinetic model of adsorption-deposition process using concentrated silane and nitrous oxide has been developed. The range of optimal ratios of silane and nitrous oxide flows and deposition temperature, which provide the acceptable deposition rate, thickness uniformity, controllability of oxygen content in films and conformal deposition, have been determined.
first_indexed 2025-09-24T17:30:58Z
format Article
id oai:tkea.com.ua:article-460
institution Technology and design in electronic equipment
language Ukrainian
last_indexed 2025-10-05T01:25:50Z
publishDate 2012
publisher PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
record_format ojs
spelling oai:tkea.com.ua:article-4602025-10-04T10:05:28Z Deposition kinetics of in-situ oxygen doped polysilicon film Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в про­цес­се роста Nalivaiko, O. Yu. Тurtsevich, A. S. polysilicon adsorptive-kinetic model film deposition поликристаллический кремний адсорбционно-кинетическая модель процесс осаждения пленок The influence of deposition conditions on composition of in-situ oxygen doped polysilicon films has been investigated. A kinetic model of adsorption-deposition process using concentrated silane and nitrous oxide has been developed. The range of optimal ratios of silane and nitrous oxide flows and deposition temperature, which provide the acceptable deposition rate, thickness uniformity, controllability of oxygen content in films and conformal deposition, have been determined. Исследовано влияние условий осаждения на состав пленок поликристаллического кремния, ле­ги­ро­ван­но­го в процессе роста кислородом (ПКЛК). Разработана адсорбционно-ки­не­ти­чес­кая модель процесса осаждения ПКЛК с использованием концентрированного мо­но­си­ла­на и закиси азота. Определена область оптимальных соотношений их расходов и тем­пе­ра­ту­ры осаждения, при которых обеспечиваются приемлемая скорость и однородность осаж­де­ния, а также управляемость по содержанию кислорода в пленках и конформное осаж­де­ние пленок ПКЛК. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.37 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 37-41 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 37-41 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.37/415 Copyright (c) 2012 Nalivaiko O. Yu., Turtsevich A. S. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
spellingShingle поликристаллический кремний
адсорбционно-кинетическая модель
процесс осаждения пленок
Nalivaiko, O. Yu.
Тurtsevich, A. S.
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в про­цес­се роста
title Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в про­цес­се роста
title_alt Deposition kinetics of in-situ oxygen doped polysilicon film
title_full Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в про­цес­се роста
title_fullStr Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в про­цес­се роста
title_full_unstemmed Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в про­цес­се роста
title_short Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в про­цес­се роста
title_sort кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в про­цес­се роста
topic поликристаллический кремний
адсорбционно-кинетическая модель
процесс осаждения пленок
topic_facet polysilicon
adsorptive-kinetic model
film deposition
поликристаллический кремний
адсорбционно-кинетическая модель
процесс осаждения пленок
url https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.37
work_keys_str_mv AT nalivaikooyu depositionkineticsofinsituoxygendopedpolysiliconfilm
AT turtsevichas depositionkineticsofinsituoxygendopedpolysiliconfilm
AT nalivaikooyu kinetikaprocessovosaždeniâplenokpolikremniâlegirovannogokislorodomvprocesserosta
AT turtsevichas kinetikaprocessovosaždeniâplenokpolikremniâlegirovannogokislorodomvprocesserosta