Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si»
The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO2 — Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation.
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.47 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| id |
oai:tkea.com.ua:article-462 |
|---|---|
| record_format |
ojs |
| spelling |
oai:tkea.com.ua:article-4622025-10-04T10:06:37Z Photoluminescent method for studying the plastic deformation at the boudary of «SiO2–Si» Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si» Kulinich, О. А. Yatsunskiy, I. P. Eshtokina, T. Yu. Brusenskaya, G. I. Marchuk, I. A. photoluminescence flowage defects dislocations tensions фотолюминесценция пластическая деформация дефекты дислокации напряжения The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO2 — Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation. Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.47 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 47-50 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 47-50 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.47/417 Copyright (c) 2012 Kulinich O. A., Yatsunskiy I. P., Eshtokina T. Yu, Brusenskaya G. I., Marchuk I. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| institution |
Technology and design in electronic equipment |
| baseUrl_str |
|
| datestamp_date |
2025-10-04T10:06:37Z |
| collection |
OJS |
| language |
Ukrainian |
| topic |
фотолюминесценция пластическая деформация дефекты дислокации напряжения |
| spellingShingle |
фотолюминесценция пластическая деформация дефекты дислокации напряжения Kulinich, О. А. Yatsunskiy, I. P. Eshtokina, T. Yu. Brusenskaya, G. I. Marchuk, I. A. Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si» |
| topic_facet |
photoluminescence flowage defects dislocations tensions фотолюминесценция пластическая деформация дефекты дислокации напряжения |
| format |
Article |
| author |
Kulinich, О. А. Yatsunskiy, I. P. Eshtokina, T. Yu. Brusenskaya, G. I. Marchuk, I. A. |
| author_facet |
Kulinich, О. А. Yatsunskiy, I. P. Eshtokina, T. Yu. Brusenskaya, G. I. Marchuk, I. A. |
| author_sort |
Kulinich, О. А. |
| title |
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si» |
| title_short |
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si» |
| title_full |
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si» |
| title_fullStr |
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si» |
| title_full_unstemmed |
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si» |
| title_sort |
фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «sio2–si» |
| title_alt |
Photoluminescent method for studying the plastic deformation at the boudary of «SiO2–Si» |
| description |
The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO2 — Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation. |
| publisher |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| publishDate |
2012 |
| url |
https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.47 |
| work_keys_str_mv |
AT kulinichoa photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si AT yatsunskiyip photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si AT eshtokinatyu photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si AT brusenskayagi photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si AT marchukia photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si AT kulinichoa fotolûminescentnyjmetodissledovaniâplastičeskojdeformaciinagranicerazdelasio2si AT yatsunskiyip fotolûminescentnyjmetodissledovaniâplastičeskojdeformaciinagranicerazdelasio2si AT eshtokinatyu fotolûminescentnyjmetodissledovaniâplastičeskojdeformaciinagranicerazdelasio2si AT brusenskayagi fotolûminescentnyjmetodissledovaniâplastičeskojdeformaciinagranicerazdelasio2si AT marchukia fotolûminescentnyjmetodissledovaniâplastičeskojdeformaciinagranicerazdelasio2si |
| first_indexed |
2025-09-24T17:30:58Z |
| last_indexed |
2025-10-05T01:25:50Z |
| _version_ |
1850410258895208448 |