Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si»
The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO2 — Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation.
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.47 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1856543864513363968 |
|---|---|
| author | Kulinich, О. А. Yatsunskiy, I. P. Eshtokina, T. Yu. Brusenskaya, G. I. Marchuk, I. A. |
| author_facet | Kulinich, О. А. Yatsunskiy, I. P. Eshtokina, T. Yu. Brusenskaya, G. I. Marchuk, I. A. |
| author_sort | Kulinich, О. А. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2025-10-04T10:06:37Z |
| description | The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO2 — Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation. |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:58Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-462 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-10-05T01:25:50Z |
| publishDate | 2012 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-4622025-10-04T10:06:37Z Photoluminescent method for studying the plastic deformation at the boudary of «SiO2–Si» Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si» Kulinich, О. А. Yatsunskiy, I. P. Eshtokina, T. Yu. Brusenskaya, G. I. Marchuk, I. A. photoluminescence flowage defects dislocations tensions фотолюминесценция пластическая деформация дефекты дислокации напряжения The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO2 — Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation. Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2012-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.47 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2012): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 47-50 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2012): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 47-50 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.47/417 Copyright (c) 2012 Kulinich O. A., Yatsunskiy I. P., Eshtokina T. Yu, Brusenskaya G. I., Marchuk I. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | фотолюминесценция пластическая деформация дефекты дислокации напряжения Kulinich, О. А. Yatsunskiy, I. P. Eshtokina, T. Yu. Brusenskaya, G. I. Marchuk, I. A. Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si» |
| title | Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si» |
| title_alt | Photoluminescent method for studying the plastic deformation at the boudary of «SiO2–Si» |
| title_full | Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si» |
| title_fullStr | Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si» |
| title_full_unstemmed | Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si» |
| title_short | Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si» |
| title_sort | фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «sio2–si» |
| topic | фотолюминесценция пластическая деформация дефекты дислокации напряжения |
| topic_facet | photoluminescence flowage defects dislocations tensions фотолюминесценция пластическая деформация дефекты дислокации напряжения |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.47 |
| work_keys_str_mv | AT kulinichoa photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si AT yatsunskiyip photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si AT eshtokinatyu photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si AT brusenskayagi photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si AT marchukia photoluminescentmethodforstudyingtheplasticdeformationattheboudaryofsio2si AT kulinichoa fotolûminescentnyjmetodissledovaniâplastičeskojdeformaciinagranicerazdelasio2si AT yatsunskiyip fotolûminescentnyjmetodissledovaniâplastičeskojdeformaciinagranicerazdelasio2si AT eshtokinatyu fotolûminescentnyjmetodissledovaniâplastičeskojdeformaciinagranicerazdelasio2si AT brusenskayagi fotolûminescentnyjmetodissledovaniâplastičeskojdeformaciinagranicerazdelasio2si AT marchukia fotolûminescentnyjmetodissledovaniâplastičeskojdeformaciinagranicerazdelasio2si |