Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si»
The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO2 — Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation.
Saved in:
| Date: | 2012 |
|---|---|
| Main Authors: | Kulinich, О. А., Yatsunskiy, I. P., Eshtokina, T. Yu., Brusenskaya, G. I., Marchuk, I. A. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2012
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2012.2.47 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
Роль пластической деформации в получении нанокремния
by: Smyntyna, V. A., et al.
Published: (2011)
by: Smyntyna, V. A., et al.
Published: (2011)
Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
by: Budzulyak, S. I., et al.
Published: (2014)
by: Budzulyak, S. I., et al.
Published: (2014)
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
by: Kurmashev, Sh. D., et al.
Published: (2014)
by: Kurmashev, Sh. D., et al.
Published: (2014)
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПЛОТНОСТИ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЗАРЯДОВ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА КОНТАКТИРУЮЩИХ ИЗОЛИРОВАННЫХ ПРОВОДНИКОВ КАБЕЛЕЙ
by: Беспрозванных, А.В., et al.
Published: (2014)
by: Беспрозванных, А.В., et al.
Published: (2014)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Novitskyi, S. V.
Published: (2012)
by: Novitskyi, S. V.
Published: (2012)
Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
by: Kidalov, V. V., et al.
Published: (2024)
by: Kidalov, V. V., et al.
Published: (2024)
NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL BEHAVIOR AND OPTIMIZATION OF a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si HIT SOLAR CELL AT HIGH TEMPERATURES
by: Ganji, Jabbar
Published: (2017)
by: Ganji, Jabbar
Published: (2017)
Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова
by: Suchikova, Y. O., et al.
Published: (2022)
by: Suchikova, Y. O., et al.
Published: (2022)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Semenov, A. V., et al.
Published: (2012)
by: Semenov, A. V., et al.
Published: (2012)
Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
by: Kulinich, O. A., et al.
Published: (2008)
by: Kulinich, O. A., et al.
Published: (2008)
Одержання та дослідження гетероструктури ZnO:Al/por-Si/Si
by: Dyadenchuk, A. F., et al.
Published: (2020)
by: Dyadenchuk, A. F., et al.
Published: (2020)
Фотокаталіз та оптичні властивості наноструктур ZnO, вирощених на пластинах Si, Au/Si та Ag/Si методом MOCVD
by: Karpyna, V. A., et al.
Published: (2023)
by: Karpyna, V. A., et al.
Published: (2023)
ОСОБЛИВОСТІ СПІКАННЯ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ МЕТОДАМИ ДТА–ТГ АНАЛІЗУ КОМПОЗИТІВ ОТРИМАНИХ В СИСТЕМАХ cBN–MeSi2–(Al), де Me – V, Cr, Mo, W
by: Стратійчук, Д. А., et al.
Published: (2022)
by: Стратійчук, Д. А., et al.
Published: (2022)
ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
by: Ковбаса, С.М., et al.
Published: (2025)
by: Ковбаса, С.М., et al.
Published: (2025)
Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
by: Gnilenko, A. B., et al.
Published: (2015)
by: Gnilenko, A. B., et al.
Published: (2015)
Многоканальный измеритель деформации для исследования конструкционных материалов
by: Druzhinin, А. А., et al.
Published: (2008)
by: Druzhinin, А. А., et al.
Published: (2008)
Дослідження взаємодії еритроцитів з пірогенними оксидами SiO2, Al2O3/SiO2 та TiO2/SiO2 шляхом вимірювання параметрів світлорозсіювання
by: Gerashchenko, I. I., et al.
Published: (2010)
by: Gerashchenko, I. I., et al.
Published: (2010)
Физические основы проектирования зеркал оптических резонаторов полихромных лазеров
by: Bondarchuk, Jа. M., et al.
Published: (2009)
by: Bondarchuk, Jа. M., et al.
Published: (2009)
Теоретичне вивчення лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx
by: Gavrylyuk, O. O.
Published: (2014)
by: Gavrylyuk, O. O.
Published: (2014)
Вплив вмісту металів на структурні характеристики неорганічних нанокомпозитів MxOy/SiO2 та C/MxOy/SiO2
by: Bogatyrev, V. M., et al.
Published: (2011)
by: Bogatyrev, V. M., et al.
Published: (2011)
Будова гідратного шару поверхні композитних систем SiO2/ДНК(Dox) і SiO2/ДНК(Dox)/фуллерен С60
by: Turov, V. V., et al.
Published: (2011)
by: Turov, V. V., et al.
Published: (2011)
Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
by: Tonkoshkur, A. S., et al.
Published: (2014)
by: Tonkoshkur, A. S., et al.
Published: (2014)
Дифференциальный термометр с высокой разрешающей способностью
by: Gotra, Z. Yu., et al.
Published: (2009)
by: Gotra, Z. Yu., et al.
Published: (2009)
LaNi9Si4: CRYSTAL STRUCTURE AND ELECTRICAL PROPERTIES
by: Belan, Bohdana, et al.
Published: (2023)
by: Belan, Bohdana, et al.
Published: (2023)
Fundamental Physical Constants and their Stability, Transition to New Definitions of the SI Units
by: Melnikov, V. N., et al.
Published: (2012)
by: Melnikov, V. N., et al.
Published: (2012)
Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
by: Alieva, Kh. S., et al.
Published: (2010)
by: Alieva, Kh. S., et al.
Published: (2010)
Розташування атомів Al та Si у заміщеному карбіді бору
by: Garbuz, V. V., et al.
Published: (2023)
by: Garbuz, V. V., et al.
Published: (2023)
Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
by: Popov, V. P., et al.
Published: (2013)
by: Popov, V. P., et al.
Published: (2013)
Квантовохімічний розрахунок 29Si ЯМР-спектрів фулереноподібних молекул діоксиду кремнію
by: Filonenko, O. V., et al.
Published: (2015)
by: Filonenko, O. V., et al.
Published: (2015)
Механізм диспергування MoO3 на поверхні SiO2
by: Nasiedkin, D.B., et al.
Published: (2025)
by: Nasiedkin, D.B., et al.
Published: (2025)
Аналіз структурно–хімічного стану дуплекс–систем силікати–силіциди лужно–земельних металів. Повідомлення 2. Дуплекс–система SiO2–MgO–CaO: Si–Mg–Ca
by: Бєлов, Б. Ф., et al.
Published: (2023)
by: Бєлов, Б. Ф., et al.
Published: (2023)
Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
by: Koziarskyi, Ivan, et al.
Published: (2023)
by: Koziarskyi, Ivan, et al.
Published: (2023)
Утворення дефектів на поверхні Si-підкладок в процесі термічного напилення золота
by: Kukurudziak, Mykola, et al.
Published: (2023)
by: Kukurudziak, Mykola, et al.
Published: (2023)
Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si
by: Kozyrev, Yu. M., et al.
Published: (2011)
by: Kozyrev, Yu. M., et al.
Published: (2011)
Стан води на межі фаз композиту «SiO2 / скловидне тіло»
by: Turov, V. V., et al.
Published: (2012)
by: Turov, V. V., et al.
Published: (2012)
Osteopontin siRNA does not confer resistance to toxic effects of parthenolide in Jurkat cells
by: Mehri, S., et al.
Published: (2023)
by: Mehri, S., et al.
Published: (2023)
ELECTROCHEMICAL SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF Tа2Si OBTAINED FROM CHLORIDE-FLUORIDE MELTS
by: Kuleshov, Serhii, et al.
Published: (2025)
by: Kuleshov, Serhii, et al.
Published: (2025)
Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження
by: Dyadenchuk, A. F., et al.
Published: (2018)
by: Dyadenchuk, A. F., et al.
Published: (2018)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2010)
by: Gorev, N. B., et al.
Published: (2010)
Similar Items
-
Роль пластической деформации в получении нанокремния
by: Smyntyna, V. A., et al.
Published: (2011) -
Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
by: Budzulyak, S. I., et al.
Published: (2014) -
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
by: Kurmashev, Sh. D., et al.
Published: (2014) -
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПЛОТНОСТИ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЗАРЯДОВ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА КОНТАКТИРУЮЩИХ ИЗОЛИРОВАННЫХ ПРОВОДНИКОВ КАБЕЛЕЙ
by: Беспрозванных, А.В., et al.
Published: (2014) -
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Novitskyi, S. V.
Published: (2012)